公开(公告)号：CN102936006B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201210410794.X

申请日：2012-10-24

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王如志 ,  王宇清 ,  严辉 ,  朱满康 ,  侯育冬 ,  王波 ,  张铭 ,  宋雪梅 ,  刘晶冰 ,  汪浩

IPC: C23C16/34 ,  C01B21/06 ,  C23C16/52 ,  B82Y30/00

Abstract: 一种低成本低污染的氮化镓纳米线的制备生成方法，属于无机化合物半导体材料领域。本发明步骤：（1）GaN粉体通过掺胶、研磨，压片，经过煅烧后，烧制成GaN靶；（2）将清洗烘干后的硅片在SBC-12小型离子溅射仪沉积30s-60s,得到表面有厚度为10nm-30nm金膜的衬底；（3）利用等离子体辅助热丝化学气象沉积法：在气压为1500Pa-2500Pa,衬底温度800℃-1000℃，偏压电流100mA-180m，通入氮气流速为10-50厘米3/分钟，通入氢气流速为10-50厘米3/分钟，沉积时间为5min～30min。本发明得到实心、线形氮化镓纳米线，产物形貌平直整齐、排列有序、均匀、成线性，光学、化学、物理性能稳定，制备流程短，产物生长快，直径达40-150nm，单根线平均长度为10-15μm。

公开(公告)号：CN102936006A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201210410794.X

申请日：2012-10-24

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王如志 ,  王宇清 ,  严辉 ,  朱满康 ,  侯育冬 ,  王波 ,  张铭 ,  宋雪梅 ,  刘晶冰 ,  汪浩

IPC: C01B21/06 ,  B82Y30/00 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52

Abstract: 一种低成本低污染的氮化镓纳米线的制备生成方法，属于无机化合物半导体材料领域。本发明步骤：（1）GaN粉体通过掺胶、研磨，压片，经过煅烧后，烧制成GaN靶；（2）将清洗烘干后的硅片在SBC-12小型离子溅射仪沉积30s-60s,得到表面有厚度为10nm-30nm金膜的衬底；（3）利用等离子体辅助热丝化学气象沉积法：在气压为1500Pa-2500Pa,衬底温度800℃-1000℃，偏压电流100mA-180m，通入氮气流速为10-50厘米3/分钟，通入氢气流速为10-50厘米3/分钟，沉积时间为5min～30min。本发明得到实心、线形氮化镓纳米线，产物形貌平直整齐、排列有序、均匀、成线性，光学、化学、物理性能稳定，制备流程短，产物生长快，直径达40-150nm，单根线平均长度为10-15μm。

公开(公告)号：CN103484823A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310254474.4

申请日：2013-06-25

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王如志 ,  王宇清 ,  严辉 ,  王波 ,  张铭 ,  宋雪梅 ,  朱满康 ,  侯育冬 ,  刘晶冰 ,  汪浩

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/06

Abstract: 激光脉冲沉积技术制备氮化镓纳米线的方法，属于无机化合物半导体材料的制取与生成领域。本发明步骤：GaN粉体通过掺胶、研磨，通过80目网筛后压片，在560℃煅烧2小时，烧制成粉靶；将清洗烘干后的硅片在离子溅射仪沉积5‐60s,得到表面有厚度约为5‐40nm金膜的衬底；采用以上制备的GaN粉靶和衬底，利用激光脉冲沉积法：反应压强2x10‐3Pa，衬底温度850℃，激光能量380mJ/Pulse，激光频率6Hz，沉积时间为10min‐60min。本发明无任何气体参与反应，在设备腔体中直接反应，生成实心、线形的氮化镓纳米线，生成的纳米线密度均匀，直径变化范围小，定向性好，大部分垂直衬底生长。