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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103500769B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201310412715.3
申请日：2013-09-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/055 , H01L31/18 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521
Abstract: 一种超疏水的金字塔-硅纳米线复合陷光结构及其制备方法，属于太阳能电池领域。硅片表面的清洁，利用碱性刻蚀在其表面制备金字塔结构，利用化学反应还原原理在硅片表面沉积非连续的贵金属颗粒，利用贵金属颗粒作为催化剂刻蚀制备硅纳米线进而获得金字塔-硅纳米线复合双结构，利用氟硅烷对复合结构表面进行化学修饰获得超疏水性能。在可见光范围内，其表面反射率降低到4%以下，且经过表面化学修饰后，表面接触角大于150°。
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公开(公告)号：CN103500769A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310412715.3
申请日：2013-09-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/055 , H01L31/18 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521 , H01L31/1804 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/02168 , H01L31/02363
Abstract: 一种超疏水的金字塔-硅纳米线复合陷光结构及其制备方法，属于太阳能电池领域。硅片表面的清洁，利用碱性刻蚀在其表面制备金字塔结构，利用化学反应还原原理在硅片表面沉积非连续的贵金属颗粒，利用贵金属颗粒作为催化剂刻蚀制备硅纳米线进而获得金字塔-硅纳米线复合双结构，利用氟硅烷对复合结构表面进行化学修饰获得超疏水性能。在可见光范围内，其表面反射率降低到4%以下，且经过表面化学修饰后，表面接触角大于150°。
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公开(公告)号：CN103367474A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310287086.6
申请日：2013-07-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0256 , H01L31/042 , C01B33/02 , B82Y30/00
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 硅纳米管阵列作为太阳能电池的表面微纳结构的应用，属于太阳能电池技术领域。其中硅纳米管的外半径为20-200nm，内外径之比小于1，长径比大于10，硅纳米管的阵列填充率为0.1-0.785；硅纳米管阵列具有优异的减反陷光性能，可进一步提高陷光效果，并且解决了传统的陷光结构受晶粒取向限制的问题。
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公开(公告)号：CN103367474B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310287086.6
申请日：2013-07-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0256 , H01L31/042 , C01B33/02 , B82Y30/00
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 硅纳米管阵列作为太阳能电池的表面微纳结构的应用，属于太阳能电池技术领域。其中硅纳米管的外半径为20-200nm，内外径之比小于1，长径比大于10，硅纳米管的阵列填充率为0.1-0.785；硅纳米管阵列具有优异的减反陷光性能，可进一步提高陷光效果，并且解决了传统的陷光结构受晶粒取向限制的问题。
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公开(公告)号：CN103367466A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310287057.X
申请日：2013-07-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 硅纳米球颗粒阵列层作为太阳能电池表面减反陷光层的应用，属于太阳能电池技术领域。硅纳米球的直径在100-1000nm之间，填充率在0.05-0.4之间；以填充率为0.09时的硅纳米球阵列为例，可以得出在可见光波段（300-850nm）内，SiNSA的反射率始终保持在0.4%以下，同时具有98%以上的高透过率，表现出优异的减反、陷光性能。这种太阳能电池表面新型陷光结构的应用将进一步提高陷光效果，有助于太阳能电池效率的提高。
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