一种制备CIS薄膜的方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102709381A

    公开(公告)日:2012-10-03

    申请号:CN201210135620.7

    申请日:2012-05-03

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 一种制备CIS薄膜的方法,属于薄膜太阳能电池材料的制备技术领域。首先制备油胺包覆的单分散CuInS2纳米晶,然后用吡啶置换纳米晶表面的油胺分子,并分散在氯仿或甲苯中,在镀钼玻璃上进行涂膜,采用固态硒源硒化法对CuInS2纳米晶薄膜进行硒化退火处理以制备大晶粒CuIn(SSe)2薄膜。利用本发明提供的方法可以得到大晶粒的CIS薄膜。本发明属于非真空涂覆制膜工艺,工艺简单,可大规模制备,节约了成本。

    一种制备CIS薄膜的方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102709381B

    公开(公告)日:2014-11-26

    申请号:CN201210135620.7

    申请日:2012-05-03

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 一种制备CIS薄膜的方法,属于薄膜太阳能电池材料的制备技术领域。首先制备油胺包覆的单分散CuInS2纳米晶,然后用吡啶置换纳米晶表面的油胺分子,并分散在氯仿或甲苯中,在镀钼玻璃上进行涂膜,采用固态硒源硒化法对CuInS2纳米晶薄膜进行硒化退火处理以制备大晶粒CuIn(SSe)2薄膜。利用本发明提供的方法可以得到大晶粒的CIS薄膜。本发明属于非真空涂覆制膜工艺,工艺简单,可大规模制备,节约了成本。

    一种铜锌锡硫纳米晶的溶剂热合成方法

    公开(公告)号:CN102674435A

    公开(公告)日:2012-09-19

    申请号:CN201210144130.3

    申请日:2012-05-10

    Abstract: 一种铜锌锡硫纳米晶的溶剂热合成方法属于功能纳米材料的制备技术领域。本发明在较低的温度范围内,使用吡啶作为溶剂,可以克服以往铜锌锡硫纳米晶合成过程中碳,氧元素的引入。本发明步骤:称取一定量的氯化铜、氯化锌、氯化亚锡和硫代乙酰胺,其摩尔比为2:1:1:5;在吡啶中依次加入氯化铜、氯化锌、氯化亚锡和硫代乙酰胺,持续搅拌溶液,搅拌均匀后,将溶液移入密闭反应釜中;放在130-140℃的烘箱中加热15h-20h,之后随炉冷却至室温;取出粉体,依次用乙醇和蒸馏水离心;之后在真空烘箱中烘干;即制得铜锌锡硫纳米晶。该方法工艺简单,无氧低碳,成本低廉,具有大规模生产的潜力。

    一种铜锌锡硫纳米晶的溶剂热合成方法

    公开(公告)号:CN102674435B

    公开(公告)日:2014-04-16

    申请号:CN201210144130.3

    申请日:2012-05-10

    Abstract: 一种铜锌锡硫纳米晶的溶剂热合成方法属于功能纳米材料的制备技术领域。本发明在较低的温度范围内,使用吡啶作为溶剂,可以克服以往铜锌锡硫纳米晶合成过程中碳,氧元素的引入。本发明步骤:称取一定量的氯化铜、氯化锌、氯化亚锡和硫代乙酰胺,其摩尔比为2:1:1:5;在吡啶中依次加入氯化铜、氯化锌、氯化亚锡和硫代乙酰胺,持续搅拌溶液,搅拌均匀后,将溶液移入密闭反应釜中;放在130-140℃的烘箱中加热15h-20h,之后随炉冷却至室温;取出粉体,依次用乙醇和蒸馏水离心;之后在真空烘箱中烘干;即制得铜锌锡硫纳米晶。该方法工艺简单,无氧低碳,成本低廉,具有大规模生产的潜力。

    一种新型可见光光催化剂硫化铟的合成方法

    公开(公告)号:CN102335616A

    公开(公告)日:2012-02-01

    申请号:CN201110205646.X

    申请日:2011-07-21

    CPC classification number: Y02W10/37

    Abstract: 一种新型可见光光催化剂硫化铟的合成方法,属于光催化剂的制备技术领域。包括以下步骤:称取四水合氯化铟溶解于去离子水中,加入醋酸调节其pH值为1-3,然后加入硫代乙酰胺溶液,铟离子的浓度为0.025mol/L,其中In和S物质的量的比为1∶4-1∶10;将得到的混合溶液进行恒温加热使之反应,调节温度为80℃,水热反应4-8小时,室温冷却;减压抽滤,洗涤,干燥,得到橙红色硫化铟粉末。本发明方法制备的硫化铟形貌为花球形,比表面积大,大小均匀,所得的硫化铟粉体为立方结构。它作为可见光光催化剂,对有机染料(如甲基橙)有良好的降解效果。

    一种化学浴沉积硫化铟薄膜的方法

    公开(公告)号:CN101608304A

    公开(公告)日:2009-12-23

    申请号:CN200910088840.7

    申请日:2009-07-20

    Abstract: 本发明涉及一种化学浴沉积硫化铟薄膜的方法,属于功能薄膜材料的制备技术领域。目前现有的制备硫化铟的方法,对沉积条件要求较高,需要高温加热,对沉积衬底有很大的局限性。制备硫化铟的方法采用柠檬酸或丙二酸作为络合剂,在低于100℃的水浴环境下,即可在改性的普通玻璃上均获得具有立方结构,均一致密且高度结晶的硫化铟薄膜。本发明对衬底无选择性,低温溶液中合成,具有良好结晶性,工艺简单,成本低廉,适合于大规模生产应用。

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