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公开(公告)号：CN104674187B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201510101325.3
申请日：2015-03-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/505
Abstract: 一种低成本无污染单根硼氮纳米线可控生长方法属于无机化合物半导体材料的制备领域。本发明采用PECVD方法，未使用任何催化剂，首次在硅衬底上水平生长出了规则排列的硼氮纳米线。纳米线在Si(110)衬底上仅沿着一个方向生长；在Si(100)衬底上生长的纳米线互相垂直；在Si(111)衬底上纳米线有三个生长方向，且任意两个方向之间的夹角为60°。通过不同硅衬底表面晶体微结构特征以及电镜分析，发现纳米线总是在基底表面沿着Si 取向定向生长。TEM显示纳米线是由一系列生长进衬底里的非晶量子点组成，电子能量损失谱(EELS)表明纳米线确实由硼氮组成。本发明简单，将对推动纳米器件的制造具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN104979189B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201510366328.X
申请日：2015-06-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/3065
Abstract: 一种基于基底晶向调控制备规则图形的等离子体刻蚀方法属于微电子器件、薄膜、材料加工领域。其特征在于：刻蚀装置包括真空腔体、升温装置与等离子发生系统。通过温度场与等离子能量梯度调控实现基底刻蚀作用；真空度低于10Pa后，通入氮气在N2，气氛中升温到900‐1100℃，通入氢气，打开射频电源，将射频功率调到40‐150W，电离N2和H2，对基底进行刻蚀，此时气压为30‐100Pa，持续0.5‐2个小时；刻蚀结束后，关闭射频与停止通入氢气，冷却到室温。本发明无需使用任何模板，直接在衬底上刻蚀出具有规则取向的图案，并且图案的形貌和方向可以通过衬底的晶面取向调控。本发明在微电子器件制造、微纳米材料制备等方面具有重要意义。
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公开(公告)号：CN104979189A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510366328.X
申请日：2015-06-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065
Abstract: 一种基于基底晶向调控制备规则图形的等离子体刻蚀方法属于微电子器件、薄膜、材料加工领域。其特征在于：刻蚀装置包括真空腔体、升温装置与等离子发生系统。通过温度场与等离子能量梯度调控实现基底刻蚀作用；真空度低于10Pa后，通入氮气在N2，气氛中升温到900‐1100℃，通入氢气，打开射频电源，将射频功率调到40‐150W，电离N2和H2，对基底进行刻蚀，此时气压为30‐100Pa，持续0.5‐2个小时；刻蚀结束后，关闭射频与停止通入氢气，冷却到室温。本发明无需使用任何模板，直接在衬底上刻蚀出具有规则取向的图案，并且图案的形貌和方向可以通过衬底的晶面取向调控。本发明在微电子器件制造、微纳米材料制备等方面具有重要意义。
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公开(公告)号：CN104674187A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510101325.3
申请日：2015-03-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/505
CPC classification number: C23C16/342 , C23C16/505
Abstract: 一种低成本无污染单根硼氮纳米线可控生长方法属于无机化合物半导体材料的制备领域。本发明采用PECVD方法，未使用任何催化剂，首次在硅衬底上水平生长出了规则排列的硼氮纳米线。纳米线在Si(110)衬底上仅沿着一个方向生长；在Si(100)衬底上生长的纳米线互相垂直；在Si(111)衬底上纳米线有三个生长方向，且任意两个方向之间的夹角为60°。通过不同硅衬底表面晶体微结构特征以及电镜分析，发现纳米线总是在基底表面沿着Si 取向定向生长。TEM显示纳米线是由一系列生长进衬底里的非晶量子点组成，电子能量损失谱(EELS)表明纳米线确实由硼氮组成。本发明简单，将对推动纳米器件的制造具有重要的意义。
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