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公开(公告)号：CN103578977A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310585868.8
申请日：2013-11-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/3245 , H01L21/2056 , H01L33/0075
Abstract: 本发明提供了一种提高AlN外延薄膜荧光强度的方法。该方法通过在低压热壁CVD中对AlN外延薄膜在N2氛围下进行高温退火，使得AlN中的部分原子重新迁移到合适的位置，减小了非辐射复合缺陷，提高了AlN外延薄膜的荧光强度。
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公开(公告)号：CN103545712A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310520575.1
申请日：2013-10-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种带有分布反馈光栅和多孔波导量子级联激光器，包括：一衬底；一下波导层生长在衬底的中间部位；一量子级联有源区结构生长在下波导层上；一掩埋光栅层生长在量子级联有源区结构上；一低掺层生长在掩埋光栅层上；一高掺层生长在低掺层的中间部位；一多孔结构生长在低掺层上，及高掺层的两侧；一电注入窗口覆盖高掺层和高掺层两侧的部分多孔结构，暴露出多孔结构两端的部分区域；一电绝缘层生长在衬底暴露的部分上面，及下波导层、量子级联有源区结构、掩埋光栅层、低掺层、多孔结构的两侧，并覆盖多孔结构两端暴露的上表面，形成基片；一正面电极制作在电绝缘层上，并覆盖基片的上表面；一背面电极制作在衬底的背面。
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公开(公告)号：CN103532013A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310503782.6
申请日：2013-10-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种低发散角的面发射量子级联激光器结构，其包括：衬底；下波导层，该下波导层生长在该衬底正面；下光限制层，该下光限制层生长在下波导层上；有源区，该有源区生长在下光限制层上；上光限制层，该上光限制层生长在该有源区上；光栅层，该光栅层制作于上光限制层的上，并且该光栅层具有二级分布反馈结构；上波导层，该上波导层生长在该光栅层上；亚波长金属光栅层，该亚波长金属光栅层制作于该衬底。本发明公开的上述方案用亚波长金属光栅结构对面发射量子级联激光器进行光束整形，既减小了波导方向的发散角又没有影响器件的倒装焊接。在中红外波段很容易激发等离子体波，且等离子体波的传播距离较远、吸收损耗较小。
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公开(公告)号：CN103490280A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310447427.1
申请日：2013-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种可调谐分布反馈量子级联激光器阵列器件及其制备方法。所述阵列器件包括：在衬底上依次生长的下波导层、下限制层、有源区、上限制层、上波导层、梯度掺杂盖层和高掺层；阵列器件，其包含多个DFB激光器，每个DFB激光器具有脊型波导结构，且脊型波导的一侧留有引线区；脊上面的高掺层上为取样布拉格光栅结构，阵列中不同DFB激光器脊型波导上面的取样布拉格光栅具有不同的取样周期；二氧化硅层，其覆盖了整个脊型波导结构的表面区域；正面电极层，其生长在二氧化硅层的上面及高掺层取样布拉格光栅的上面；电隔离沟，其位于阵列器件中两个DFB激光器的脊型波导结构之间；背面金属电极层，其生长在衬底的下表面。
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公开(公告)号：CN103489941A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310459476.7
申请日：2013-09-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/04 , H01L31/18 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/1804 , B82Y40/00 , H01L31/035227
Abstract: 本发明公开了一种硅纳米线阵列结构硅薄膜太阳电池及其制备方法，该硅纳米线阵列结构包括形成在衬底上的多个硅纳米线，所述衬底的表面在形成硅纳米线之前具有作为催化剂的金属薄膜，但在形成硅纳米线之后不具备所述金属薄膜的金属。所述方法包括在衬底上形成了硅纳米线之后，将其放入一定浓度的酸溶液中，清除硅纳米线顶端的金属。利用本发明，硅纳米线阵列结构硅薄膜太阳电池开路电压得到明显改进，电池转换效率有较大提高，对太阳电池的生产和推广使用具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103346068A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310290457.6
申请日：2013-07-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种高In组分AlInN薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上生长低温GaN形核层；步骤2：在低温GaN形核层上生长高温GaN缓冲层；步骤3：在高温GaN缓冲层上生长AlInN连续渐变缓冲层；步骤4：在连续渐变缓冲层上生长AlInN层。本发明采用新的缓冲层结构设计，可以使应力逐渐的释放，降低晶格失配的影响，减少生长过程中引入的位错。
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公开(公告)号：CN103296209A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310206510.X
申请日：2013-05-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 一种基于异质结构等离激元与体异质结结合的太阳电池结构，该结构由下至上依次包括：一透明衬底；一阳极，其沉积在该衬底上；一下缓冲层，其沉积在阳极上；一掺杂有源层，其沉积在下缓冲层上；一上缓冲层，其沉积在该掺杂有源层上；以及一阴极，其沉积在该上缓冲层上。本发明在不降低有机体异质结太阳电池开路电压的情况下提高了电池的短路电流，从而提高太阳电池的能量转换效率。
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公开(公告)号：CN103227417A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310121425.3
申请日：2013-04-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种锁模外腔半导体激光器，该锁模外腔半导体激光器沿其光路依次包括半导体器件、准直透镜、波长调谐元件、聚焦透镜和反射镜。该锁模外腔半导体激光器采用等边色散棱镜作为波长调谐元件。相比于闪耀光栅，等边色散棱镜对光的损耗较小，从而保证了较高的光输出功率；等边色散棱镜不会压窄锁模外腔半导体激光器的激射光谱宽度，因此不会增加输出光脉冲的脉冲宽度，特别适用于锁模激光器的波长调谐。
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公开(公告)号：CN102938435A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201210484770.9
申请日：2012-11-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种制备超饱和硫系元素掺杂硅的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：对衬底表面进行制绒；步骤3：对制绒后的衬底进行超饱和硫系元素离子注入；步骤4：对硫系元素离子注入后的衬底进行激光退火，消除离子注入产生的晶格缺陷，完成制备。本发明形成的超饱和硫系元素掺杂硅表面，既保证了良好的电极接触，又对入射光具有一定的减反射作用，对于制作高响应红外探测器特别有利。
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公开(公告)号：CN102820213A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210325584.0
申请日：2012-09-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法，包括：步骤1：取一衬底；步骤2：利用MOCVD方法，通入铟源和锌源，在衬底上得到高度均一、竖直排列的InN纳米棒；步骤3：关闭铟源和锌源，通入镓源，在InN纳米棒外层生长GaN层；步骤4：关闭镓源，在氨气气氛下升高反应室温度，对外层覆盖有GaN层的InN纳米棒在高温下退火，使InN纳米棒分解随载气排除，完成单晶GaN纳米管的生长。本发明利用InN纳米棒作为形核层，可以获得排列整齐的单晶GaN纳米管。
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