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公开(公告)号：CN103268852A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310157821.1
申请日：2013-05-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种超饱和掺杂半导体薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：将衬底表面清洗干净；步骤3：在较低的生长温度下，在衬底表面沉积半导体非晶薄膜；其中，通过控制原子的沉积速率比，得到超饱和掺杂的半导体非晶薄膜；步骤4：利用超快激光对所得的超饱和掺杂半导体非晶薄膜进行激光退火，完成超饱和掺杂半导体薄膜的制备。本发明提出的上述制备方法中，应用分子束外延技术制备掺杂浓度均匀的超掺杂薄膜，所制备出的超饱和掺杂硅薄膜内杂质的深度分布很均匀。
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公开(公告)号：CN103762255A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410035355.4
申请日：2014-01-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0288 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0288 , H01L31/02162 , H01L31/022408 , H01L31/09 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种硫族元素超饱和掺杂硅红外探测器及其制造方法，探测器包括p型掺杂硅单晶衬底，金字塔减反射结构分别形成于p型掺杂硅单晶衬底的上、下表面，硫族元素超饱和掺杂硅晶态薄膜形成于p型掺杂硅单晶衬底的上表面的金字塔减反射结构的表面；硅氧化物介质钝化层形成于硫族元素超饱和掺杂硅晶态薄膜的表面；正面接触栅电极形成在硅氧化物介质钝化层的表面；背面接触电极形成在p型掺杂硅单晶衬底的下表面的金字塔减反射结构的表面。本发明在硫族元素超饱和掺杂硅晶态薄膜的制备过程加入了表面减反射结构，这可以增强它的红外吸收。
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公开(公告)号：CN104409553B
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201410612819.3
申请日：2014-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/077 , H01L31/0312 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅中间带太阳能电池及其制备方法。该碳化硅中间带太阳能电池包括：n型碳化硅衬底；形成于该n型碳化硅衬底上的经深能级杂质离子注入和纳秒激光退火的本征层，其作为中间带光吸收层；以及形成于该本征层上的p型帽层。本发明碳化硅中间带太阳电池结构系首次提出，其可以大幅提高碳化硅太阳电池的光响应波长和转换效率。
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公开(公告)号：CN103268852B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201310157821.1
申请日：2013-05-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种超饱和掺杂半导体薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：将衬底表面清洗干净；步骤3：在较低的生长温度下，在衬底表面沉积半导体非晶薄膜；其中，通过控制原子的沉积速率比，得到超饱和掺杂的半导体非晶薄膜；步骤4：利用超快激光对所得的超饱和掺杂半导体非晶薄膜进行激光退火，完成超饱和掺杂半导体薄膜的制备。本发明提出的上述制备方法中，应用分子束外延技术制备掺杂浓度均匀的超掺杂薄膜，所制备出的超饱和掺杂硅薄膜内杂质的深度分布很均匀。
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公开(公告)号：CN102938435B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201210484770.9
申请日：2012-11-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种制备超饱和硫系元素掺杂硅的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：对衬底表面进行制绒；步骤3：对制绒后的衬底进行超饱和硫系元素离子注入；步骤4：对硫系元素离子注入后的衬底进行激光退火，消除离子注入产生的晶格缺陷，完成制备。本发明形成的超饱和硫系元素掺杂硅表面，既保证了良好的电极接触，又对入射光具有一定的减反射作用，对于制作高响应红外探测器特别有利。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101908581A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010217374.0
申请日：2010-06-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一n+型GaAs单晶片作为衬底；步骤2：在衬底上依次生长n型GaAs层和本征GaAs缓冲层；步骤3：在本征GaAs缓冲层上生长多个周期的量子点结构，作为电池的i吸收层；步骤4：在多个周期的量子点结构上依次生长p型GaAs层、p+型GaAs层、Al0.4Ga0.6As层和ZnS/MgF2层；步骤5：在ZnS/MgF2层上生长并制作上金属电极；步骤6：在衬底10的下表面制作下金属电极；步骤7：对电池组件进行封装，完成太阳电池的制作。
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公开(公告)号：CN103762255B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410035355.4
申请日：2014-01-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0288 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种硫族元素超饱和掺杂硅红外探测器及其制造方法，探测器包括p型掺杂硅单晶衬底，金字塔减反射结构分别形成于p型掺杂硅单晶衬底的上、下表面，硫族元素超饱和掺杂硅晶态薄膜形成于p型掺杂硅单晶衬底的上表面的金字塔减反射结构的表面；硅氧化物介质钝化层形成于硫族元素超饱和掺杂硅晶态薄膜的表面；正面接触栅电极形成在硅氧化物介质钝化层的表面；背面接触电极形成在p型掺杂硅单晶衬底的下表面的金字塔减反射结构的表面。本发明在硫族元素超饱和掺杂硅晶态薄膜的制备过程加入了表面减反射结构，这可以增强它的红外吸收。
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公开(公告)号：CN104409553A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410612819.3
申请日：2014-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/077 , H01L31/0312 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/077 , H01L31/0312 , H01L31/18 , H01L31/1864
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅中间带太阳能电池及其制备方法。该碳化硅中间带太阳能电池包括：n型碳化硅衬底；形成于该n型碳化硅衬底上的经深能级杂质离子注入和纳秒激光退火的本征层，其作为中间带光吸收层；以及形成于该本征层上的p型帽层。本发明碳化硅中间带太阳电池结构系首次提出，其可以大幅提高碳化硅太阳电池的光响应波长和转换效率。
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公开(公告)号：CN102938435A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201210484770.9
申请日：2012-11-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种制备超饱和硫系元素掺杂硅的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：对衬底表面进行制绒；步骤3：对制绒后的衬底进行超饱和硫系元素离子注入；步骤4：对硫系元素离子注入后的衬底进行激光退火，消除离子注入产生的晶格缺陷，完成制备。本发明形成的超饱和硫系元素掺杂硅表面，既保证了良好的电极接触，又对入射光具有一定的减反射作用，对于制作高响应红外探测器特别有利。
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公开(公告)号：CN101908581B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010217374.0
申请日：2010-06-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一n+型GaAs单晶片作为衬底；步骤2：在衬底上依次生长n型GaAs层和本征GaAs缓冲层；步骤3：在本征GaAs缓冲层上生长多个周期的量子点结构，作为电池的i吸收层；步骤4：在多个周期的量子点结构上依次生长p型GaAs层、p+型GaAs层、Al0.4Ga0.6As层和ZnS/MgF2层；步骤5：在ZnS/MgF2层上生长并制作上金属电极；步骤6：在衬底10的下表面制作下金属电极；步骤7：对电池组件进行封装，完成太阳电池的制作。
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