公开(公告)号：CN119315383A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411318709.6

申请日：2024-09-20

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨晓光 ,  杨涛 ,  柴宏宇 ,  吕尊仁 ,  汪帅

IPC: H01S5/22

Abstract: 本申请提供了一种倏逝波耦合结构、硅基半导体激光器和激光装置，包括下包层、有源层、介质层和脊波导层，下包层形成于有源层的下方，使得有源层中的光会被下包层所限制而只能向上反射，并通过倏逝波耦合传输至介质层中，再通过倏逝波耦合将光由介质层传输至脊波导层中，由脊波导层将光向外输出。通过将有源层设置为宽度由大到小渐变的结构形式，使有源层中的光在传输的过程中被逐渐约束在更小的面积范围内，从而提高光自垂直方向耦合过程中的耦合效率，降低光耦合损耗。本申请以解决了硅基波导直接与III‑V外延材料波导耦合效率较低、可拓展性弱及工艺难度大等问题。

公开(公告)号：CN114421283B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202210061888.4

申请日：2022-01-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 汪帅 ,  杨涛 ,  吕尊仁

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/34 ,  H01S5/343 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明公开了一种双掺杂量子点有源区外延结构及其制备方法和应用，双掺杂量子点有源区外延结构量子点有源区被配置为周期性的双掺杂量子点叠层结构，量子点有源区包括：周期排列的n型掺杂层以及p型掺杂层；其中，p型掺杂层与所述n型掺杂层发生协同作用，第一隔层，设置在周期排列的n型掺杂层和p型掺杂层之间；第二隔层，设置在p型掺杂层的另一侧，另一侧与所述第一隔层所在一侧不同；第一隔层或第二隔层用于提供应力调控或应力缓解，本发明通过空间分离的交替掺杂的结构，降低载流子的损耗，提高材料的光学质量；改善量子点导带和价带准费米能级移动的不对称性，提升材料峰值增益和微分增益。

公开(公告)号：CN109346556B

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201811108728.0

申请日：2018-09-21

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 孟磊 ,  杨涛

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

Abstract: 本公开提供一种光学粗糙且电学平坦型透明导电衬底的制备方法，包括：步骤A：在玻璃衬底上生长金属氧化物薄膜，制成主模；步骤B：将步骤A所生长的金属氧化物薄膜的表面形貌转移到聚二甲基硅氧烷模板的表面；步骤C：将步骤B所制成的聚二甲基硅氧烷模板上带有金属氧化物薄膜表面形貌的图案转移到玻璃衬底上，制成图案化玻璃衬底；步骤D：在步骤C后得到的图案化玻璃衬底的表面制备透明导电薄膜；以及步骤E：对步骤D所完成覆有导电薄膜的玻璃衬底进行热处理，完成衬底的制备；所述透明导电衬底具有29.5Ω/sq的薄膜电阻、高于85％的可见光透过率、平坦的表面和光散射功能，同时降低薄膜太阳电池的非辐射复合损耗和光学损耗而提高电池的光电转化效率。

公开(公告)号：CN107069425B

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：CN201710342201.3

申请日：2017-05-12

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨涛 ,  袁慧宏

IPC: H01S5/065

Abstract: 一种多模激光器及多模调节方法，其中多模激光器包括：激光器，用于发射宽光谱激光；至少一个分束镜，用于将宽光谱激光分为至少两个分光束；至少两个光学支路，分别用于传输至少两个分光束，每个光学支路包括：闪耀光栅，用于筛选传输的分光束，得到单一波长的光，并将单一波长的光反馈至激光器；可调光衰减器，用于调节反馈至激光器的单一波长的光的光强度。由于每个光学支路中均包括闪耀光栅和可调光衰减器，可以在腔外调节多模中的每个模式的强度，从而避免了激光器的内部调节，因此也可适用于强度不均衡的增益谱，即降低了半导体激光器增益谱平坦化的要求，使本发明的多模激光器更加普适。

公开(公告)号：CN109830545A

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201910116789.X

申请日：2019-02-14

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 孟磊 ,  杨涛

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L31/075

Abstract: 本发明提供一种铝掺杂氧化锌薄膜表面改性材料、制备方法及电池。所述表面改性材料为ZnMoOx薄膜，其中3＜x＜4，并且所述ZnMoOx薄膜的表面功函数为4.3eV～4.86eV。本发明提供的铝掺杂氧化锌透明导电薄膜表面改性材料，具有稳定的宽范围(3.83eV-4.86eV)可调谐的表面功函数，解决了目前增加ZnO:Al功函数的表面改性技术难以形成稳定的表面结构以保证表面功函数的稳定性的问题。以这种ZnMoOx表面改性的铝掺杂氧化锌透明导电薄膜作为阳电极的非晶硅单结薄膜太阳能电池具有0.89V的开路电压，0.61的填充因子和6.54％的光电转换效率。

公开(公告)号：CN107069425A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710342201.3

申请日：2017-05-12

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨涛 ,  袁慧宏

IPC: H01S5/065

Abstract: 一种多模激光器及多模调节方法，其中多模激光器包括：激光器，用于发射宽光谱激光；至少一个分束镜，用于将宽光谱激光分为至少两个分光束；至少两个光学支路，分别用于传输至少两个分光束，每个光学支路包括：闪耀光栅，用于筛选传输的分光束，得到单一波长的光，并将单一波长的光反馈至激光器；可调光衰减器，用于调节反馈至激光器的单一波长的光的光强度。由于每个光学支路中均包括闪耀光栅和可调光衰减器，可以在腔外调节多模中的每个模式的强度，从而避免了激光器的内部调节，因此也可适用于强度不均衡的增益谱，即降低了半导体激光器增益谱平坦化的要求，使本发明的多模激光器更加普适。

公开(公告)号：CN103346070A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201310232595.9

申请日：2013-06-13

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 韩伟华 ,  杨晓光 ,  杨涛 ,  王昊 ,  洪文婷 ,  杨富华

IPC: H01L21/205 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法。该方法包括：步骤A，在(110)晶面SOI衬底的顶硅薄层上制备整段硅纳米线；步骤B，去除整段硅纳米线的中段部分，在保留的左段硅纳米线和右段硅纳米线朝向内侧的端面形成硅(111)晶面；以及步骤C，在左段硅纳米线和右段硅纳米线朝向内侧的，具有硅(111)晶面的两端面之间横向选区生长III-V族材料纳米线，形成异质结桥接结构。本发明利用硅(111)晶面有较高的悬挂键密度和较低的表面自由能的特性，可以低成本实现在两段硅纳米线之间硅(111)晶面侧壁上III-V族纳米线的选区横向生长。

公开(公告)号：CN102684070B

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201210150154.X

申请日：2012-05-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 罗帅 ,  季海铭 ,  杨涛

IPC: H01S5/343

Abstract: 一种制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一磷化铟衬底；步骤2：在该磷化铟衬底上外延生长一层磷化铟缓冲层；步骤3：在磷化铟缓冲层上沉积晶格匹配的铟镓砷磷薄层；步骤4：在铟镓砷磷薄层上外延生长多周期的砷化铟量子点有源层；步骤5：在砷化铟量子点有源层上沉积铟镓砷磷盖层，完成量子点激光器有源区的制备。本发明是在砷化铟/磷化铟量子点生长停顿间隙，通过改变五族保护源流量来抑制As/P互换效应，调控量子点形貌，结合两步生长盖层技术，达到既保持良好光学性能又能调谐发光波长的目的。这种方法可以实现InAs/InP量子点发光波从1.3-1.7微米(μm)宽达400nm的范围内可控调节。

公开(公告)号：CN102683491A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210153189.9

申请日：2012-05-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨晓光 ,  杨涛

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0304

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种制备砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上依次生长n+型GaAs层和本征GaAs缓冲层；步骤2：在本征GaAs缓冲层上生长多周期的量子点结构；步骤3：在多周期的量子点结构上依次生长本征GaAs层、p型GaAs层、p+型GaAs层和p+型Al0.8Ga0.2As层；步骤4：在p+型Al0.8Ga0.2As层上蒸发上金属电极；步骤5：刻蚀上金属电极，使上金属电极形成网状；步骤6：在网状上金属电极上及裸露的p+型Al0.8Ga0.2As层上生长减反层；步骤7：剥离掉覆盖在上金属电极表面的减反层，使上金属电极裸露；步骤8：在衬底的下表面制作下金属电极，形成电池组件；步骤9：对电池组件进行封装，完成太阳电池的制作。

公开(公告)号：CN102208756A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110100538.6

申请日：2011-04-21

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 汪明 ,  杨涛

IPC: H01S5/343

Abstract: 一种在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长一缓冲层、一下波导层、一双量子阱结构、一上波导层和一盖层，完成在磷化铟衬底上生长砷化铟/铟镓砷量子阱材料的制作。其是通过在较低温度下生长合适的InAs量子阱厚度，起到了在大应变条件下减小缺陷，增加跃迁波长到2.3μm的作用。