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公开(公告)号：CN109346556B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201811108728.0
申请日：2018-09-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本公开提供一种光学粗糙且电学平坦型透明导电衬底的制备方法，包括：步骤A：在玻璃衬底上生长金属氧化物薄膜，制成主模；步骤B：将步骤A所生长的金属氧化物薄膜的表面形貌转移到聚二甲基硅氧烷模板的表面；步骤C：将步骤B所制成的聚二甲基硅氧烷模板上带有金属氧化物薄膜表面形貌的图案转移到玻璃衬底上，制成图案化玻璃衬底；步骤D：在步骤C后得到的图案化玻璃衬底的表面制备透明导电薄膜；以及步骤E：对步骤D所完成覆有导电薄膜的玻璃衬底进行热处理，完成衬底的制备；所述透明导电衬底具有29.5Ω/sq的薄膜电阻、高于85％的可见光透过率、平坦的表面和光散射功能，同时降低薄膜太阳电池的非辐射复合损耗和光学损耗而提高电池的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN109830545A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910116789.X
申请日：2019-02-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/075
Abstract: 本发明提供一种铝掺杂氧化锌薄膜表面改性材料、制备方法及电池。所述表面改性材料为ZnMoOx薄膜，其中3＜x＜4，并且所述ZnMoOx薄膜的表面功函数为4.3eV～4.86eV。本发明提供的铝掺杂氧化锌透明导电薄膜表面改性材料，具有稳定的宽范围(3.83eV-4.86eV)可调谐的表面功函数，解决了目前增加ZnO:Al功函数的表面改性技术难以形成稳定的表面结构以保证表面功函数的稳定性的问题。以这种ZnMoOx表面改性的铝掺杂氧化锌透明导电薄膜作为阳电极的非晶硅单结薄膜太阳能电池具有0.89V的开路电压，0.61的填充因子和6.54％的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN116299856A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310566605.6
申请日：2023-05-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/13 , G02B6/136 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种硅光耦合结构，包括：衬底（1），其表面一选区内刻蚀形成外延槽；外延复合层（4），生长于外延槽内，包括第一外延层（41）和第二外延层（42），第一外延层（41）覆盖外延槽底部，第二外延层（42）位于第一外延层（41）的上表面的第一预定区域，第一预定区域的面积小于或等于第一外延层（41）的面积；顶波导层（6），设置于第二外延层（42）上，并延伸出外延槽。本发明的硅光耦合结构体积紧凑，工艺兼容性高，耦合效率高，同时具有灵活性和可拓展性。
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公开(公告)号：CN109346556A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811108728.0
申请日：2018-09-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本公开提供一种光学粗糙且电学平坦型透明导电衬底的制备方法，包括：步骤A：在玻璃衬底上生长金属氧化物薄膜，制成主模；步骤B：将步骤A所生长的金属氧化物薄膜的表面形貌转移到聚二甲基硅氧烷模板的表面；步骤C：将步骤B所制成的聚二甲基硅氧烷模板上带有金属氧化物薄膜表面形貌的图案转移到玻璃衬底上，制成图案化玻璃衬底；步骤D：在步骤C后得到的图案化玻璃衬底的表面制备透明导电薄膜；以及步骤E：对步骤D所完成覆有导电薄膜的玻璃衬底进行热处理，完成衬底的制备；所述透明导电衬底具有29.5Ω/sq的薄膜电阻、高于85％的可见光透过率、平坦的表面和光散射功能，同时降低薄膜太阳电池的非辐射复合损耗和光学损耗而提高电池的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN116299856B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310566605.6
申请日：2023-05-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/13 , G02B6/136 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供了一种硅光耦合结构，包括：衬底（1），其表面一选区内刻蚀形成外延槽；外延复合层（4），生长于外延槽内，包括第一外延层（41）和第二外延层（42），第一外延层（41）覆盖外延槽底部，第二外延层（42）位于第一外延层（41）的上表面的第一预定区域，第一预定区域的面积小于或等于第一外延层（41）的面积；顶波导层（6），设置于第二外延层（42）上，并延伸出外延槽。本发明的硅光耦合结构体积紧凑，工艺兼容性高，耦合效率高，同时具有灵活性和可拓展性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115373072A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110562784.7
申请日：2021-05-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种c轴择优取向氧化锌镁脊型波导及制作方法，该方法包括：在c轴择优取向Znl‑xMgxO薄膜上形成条形的掩蔽层，其中0≤x≤0.3；以及在所述掩蔽层的保护下，采用干法刻蚀技术对所述c轴择优取向Zn1‑xMgxO薄膜进行刻蚀，形成脊型波导结构。本发明制得的Znl‑xMgxO脊型波导可应用于非线性波导、光波耦合器、波导调制器、波导开关以及波导激光器等无源和有源器件，在集成光学和光互连等领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN111943520A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010805925.9
申请日：2020-08-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C03C15/00 , H01L31/0236 , H01L51/00 , H01L51/42
Abstract: 本发明公开了一种高雾度玻璃衬底、制备方法及薄膜太阳电池。制备方法包括：步骤A，清洗玻璃衬底；步骤B，对步骤A得到的玻璃衬底的表面进行反应离子刻蚀处理；步骤C，使用盐酸溶液对所述步骤B得到的玻璃衬底进行腐蚀处理；步骤D，使用氢氟酸溶液对所述步骤C得到的玻璃衬底进行腐蚀处理；以及步骤E，清洗并干燥所述步骤D得到的玻璃衬底。通过本公开的制备方法得到的高雾度玻璃衬底具有均匀分布微米量级尺寸形状的粗糙形貌，所制备的高雾度玻璃衬底上粗糙形貌基本单元的尖锐程度可调控。
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公开(公告)号：CN108823539A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810534896.X
申请日：2018-05-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种低电阻层状结构正交相MoO3-x薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：利用真空蒸发法在衬底上形成薄膜；步骤2：将所述薄膜在大气气氛中进行第一步热处理；以及步骤3：将所述薄膜在氮气气氛中进行第二步热处理，完成制备。本发明具有制造工艺简便等优点；该方法是采用真空蒸发法制膜并加以两步热处理，可以获得既具有层状结构又具有较低电阻率的α-MoO3-x薄膜材料；该材料可广泛地应用于双电层电容器、锂离子电池、有机光电二极管、薄膜太阳能电池等光电子器件。
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公开(公告)号：CN111943520B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202010805925.9
申请日：2020-08-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C03C15/00 , H01L31/0236 , H01L51/00 , H01L51/42
Abstract: 本发明公开了一种高雾度玻璃衬底、制备方法及薄膜太阳电池。制备方法包括：步骤A，清洗玻璃衬底；步骤B，对步骤A得到的玻璃衬底的表面进行反应离子刻蚀处理；步骤C，使用盐酸溶液对所述步骤B得到的玻璃衬底进行腐蚀处理；步骤D，使用氢氟酸溶液对所述步骤C得到的玻璃衬底进行腐蚀处理；以及步骤E，清洗并干燥所述步骤D得到的玻璃衬底。通过本公开的制备方法得到的高雾度玻璃衬底具有均匀分布微米量级尺寸形状的粗糙形貌，所制备的高雾度玻璃衬底上粗糙形貌基本单元的尖锐程度可调控。
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公开(公告)号：CN109830545B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201910116789.X
申请日：2019-02-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/075
Abstract: 本发明提供一种铝掺杂氧化锌薄膜表面改性材料、制备方法及电池。所述表面改性材料为ZnMoOx薄膜，其中3＜x＜4，并且所述ZnMoOx薄膜的表面功函数为4.3eV～4.86eV。本发明提供的铝掺杂氧化锌透明导电薄膜表面改性材料，具有稳定的宽范围(3.83eV‑4.86eV)可调谐的表面功函数，解决了目前增加ZnO:Al功函数的表面改性技术难以形成稳定的表面结构以保证表面功函数的稳定性的问题。以这种ZnMoOx表面改性的铝掺杂氧化锌透明导电薄膜作为阳电极的非晶硅单结薄膜太阳能电池具有0.89V的开路电压，0.61的填充因子和6.54％的光电转换效率。
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