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公开(公告)号：CN102684070B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201210150154.X
申请日：2012-05-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一磷化铟衬底；步骤2：在该磷化铟衬底上外延生长一层磷化铟缓冲层；步骤3：在磷化铟缓冲层上沉积晶格匹配的铟镓砷磷薄层；步骤4：在铟镓砷磷薄层上外延生长多周期的砷化铟量子点有源层；步骤5：在砷化铟量子点有源层上沉积铟镓砷磷盖层，完成量子点激光器有源区的制备。本发明是在砷化铟/磷化铟量子点生长停顿间隙，通过改变五族保护源流量来抑制As/P互换效应，调控量子点形貌，结合两步生长盖层技术，达到既保持良好光学性能又能调谐发光波长的目的。这种方法可以实现InAs/InP量子点发光波从1.3-1.7微米(μm)宽达400nm的范围内可控调节。
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公开(公告)号：CN105826814A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610333092.4
申请日：2016-05-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/223
CPC classification number: H01S5/223
Abstract: 一种磷化铟基窄脊波导半导体激光器的制备方法，包括如下步骤：在磷化铟基外延片P面接触层上进行光刻，将光刻版上条形脊波导的图形转移到光刻胶上；以光刻胶为掩膜，腐蚀掉部分磷化铟基外延片上没有被光刻胶保护的P面接触层部分，形成脊形波导；将带有光刻胶的磷化铟基外延片打胶去底膜，在其上溅射一层介质薄膜；剥离脊形波导上的光刻胶和介质薄膜，形成电注入窗口；在磷化铟基外延片正面溅射或蒸发金属，形成P面电极；将磷化铟基外延片的N型衬底减薄、抛光，在N型衬底上蒸发金属，形成N面电极，并合金，形成基片；将基片烧结在热沉上，并引线，完成制备。本发明的工艺简单，产品成品率高。
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公开(公告)号：CN103077886A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310043881.0
申请日：2013-02-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 一种锑作为表面活性剂的InP基InAs量子阱材料的生长方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长缓冲层；步骤3：在缓冲层上生长量子阱结构，该量子阱结构引入锑源作为表面活性剂；步骤4：在量子阱结构上生长盖层，完成量子阱的制备。本发明通过在InAs量子阱的生长过程中引入锑原子作为表面活性剂，促进外延表面更加平整，减缓材料薄膜的局部应力释放，改善材料的晶体质量。
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公开(公告)号：CN104638516A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510111671.X
申请日：2015-03-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种大晶格失配可调谐量子阱激光器外延芯片的制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一InP衬底；步骤2：在该衬底上依次沉积InP缓冲层、下波导层、下限制层、量子阱层、上限制层、上波导层和InP盖层；步骤3：在InP盖层上外延Zn扩散缓冲层；步骤4：在Zn扩散缓冲层上外延Zn掺杂InP上包层、梯度层及InGaAs接触层，完成制备。本发明可以实现量子阱激光器波长大范围的调谐。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102983069A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210564366.2
申请日：2012-12-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明提供了一种生长InP基InAs量子阱的方法。该方法包括：在InP衬底上生长InP缓冲层；在InP缓冲层上生长两侧均包含In1-xGaxAs应力渐变势垒层的InAs量子阱结构；以及在InAs量子阱结构上生长InP盖层。本发明通过在InAs量子阱两侧引入晶格常数渐变的In1-xGaxAs应力渐变势垒层来减缓InAs量子阱所受到的压应变，减少材料中因应变累积释放而产生的缺陷浓度，改善了InAs量子阱材料的晶体质量，并拓展了InAs量子阱材料的发光波长。
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公开(公告)号：CN104600564B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201510012713.4
申请日：2015-01-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一磷化铟衬底；步骤2：在该磷化铟衬底上生长磷化铟缓冲层；步骤3：在磷化铟缓冲层上生长晶格匹配的铟镓砷磷薄层；步骤4：在铟镓砷磷薄层上制备多周期的砷化铟量子点有源层，所述铟镓砷磷薄层是砷化铟量子点有源层的下势垒层；步骤5：在砷化铟量子点有源层上沉积铟镓砷磷盖层，本层为砷化铟量子点有源层的上势垒层。本发明通过改变第一盖层的厚度对量子点高度进行调控，在不同周期中得到不同的发光波长，通过多周期量子点同时发光实现良好的光学性能和宽达300nm以上的发光光谱。
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公开(公告)号：CN102684070A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210150154.X
申请日：2012-05-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一磷化铟衬底；步骤2：在该磷化铟衬底上外延生长一层磷化铟缓冲层；步骤3：在磷化铟缓冲层上沉积晶格匹配的铟镓砷磷薄层；步骤4：在铟镓砷磷薄层上外延生长多周期的砷化铟量子点有源层；步骤5：在砷化铟量子点有源层上沉积铟镓砷磷盖层，完成量子点激光器有源区的制备。本发明是在砷化铟/磷化铟量子点生长停顿间隙，通过改变五族保护源流量来抑制As/P互换效应，调控量子点形貌，结合两步生长盖层技术，达到既保持良好光学性能又能调谐发光波长的目的。这种方法可以实现InAs/InP量子点发光波从1.3-1.7微米(μm)宽达400nm的范围内可控调节。
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公开(公告)号：CN104600564A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510012713.4
申请日：2015-01-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一磷化铟衬底；步骤2：在该磷化铟衬底上生长磷化铟缓冲层；步骤3：在磷化铟缓冲层上生长晶格匹配的铟镓砷磷薄层；步骤4：在铟镓砷磷薄层上制备多周期的砷化铟量子点有源层，所述铟镓砷磷薄层是砷化铟量子点有源层的下势垒层；步骤5：在砷化铟量子点有源层上沉积铟镓砷磷盖层，本层为砷化铟量子点有源层的上势垒层。本发明通过改变第一盖层的厚度对量子点高度进行调控，在不同周期中得到不同的发光波长，通过多周期量子点同时发光实现良好的光学性能和宽达300nm以上的发光光谱。
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公开(公告)号：CN104538843A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410818520.3
申请日：2014-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种二氧化碳检测用半导体激光芯片的制作方法，包括：选择一InP衬底，在该衬底上依次沉积InP缓冲层、下波导层、下限制层、量子阱层、上限制层、上波导层和InP盖层；在上波导层及InP盖层上制作出布拉格光栅条纹；之其上二次外延InP上包层、第一梯度层、第二梯度层及InGaAs接触层；向下刻蚀，刻蚀深度到达布拉格光栅条纹的表面，使InGaAs接触层向下形成脊型条结构，该脊型条结构的两侧形成台面；在脊型条结构的表面及其两侧的台面上淀积电介质层；在脊型条结构的上面开电极窗口；在淀积电介质层的台面及电极窗口内蒸镀P面电极；将InP衬底减薄、抛光；在InP衬底的背面蒸镀N面电极；退火合金、加厚电极，划片解理，完成激光芯片的制作。
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