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公开(公告)号：CN103258919A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310157617.X
申请日：2013-05-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池非晶硅与多晶硅薄膜界面的钝化方法及应用该方法制备n型多晶硅薄膜SPA结构的HIT电池的方法，其中太阳能电池非晶硅与多晶硅薄膜界面的钝化方法，是采用等离子体增强化学气相沉积的方法，在通入腔室氢气的情况下，对太阳能电池的非晶硅与多晶硅薄膜界面进行钝化处理。氢等离子体界面处理可以降低多晶硅薄膜的表面态，从而使得SPA结构的HIT电池的非晶硅与多晶硅薄膜的界面态减少，使得光照下产生的光生载流子在界面处的复合减少，增加了光生载流子的收集，提高电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN102983215A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210468808.3
申请日：2012-11-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种具有硅纳米线结构的硅薄膜太阳能电池的制备方法，包括：在不锈钢衬底上，溅射掺锡氧化铟薄膜；在腔室中通入氢气，对掺锡氧化铟薄膜进行H等离子体处理；再向腔室中通入第一反应气体或第二反应气体，使不锈钢衬底与铟金属纳米颗粒之间形成n型或p型硅纳米线；降低腔室中温度，向腔室中通入氢气和硅烷气体，在硅纳米线上沉积本征层；向腔室中通入第二反应气体或第一反应气体，在本征层上沉积掺杂层，该掺杂层为p型掺杂或n型掺杂，形成样品；将沉积掺杂层后的样品从腔室中取出，采用磁控溅射的方法在掺杂层上生长掺锡氧化铟透明薄膜电极，完成制备。该方法具有陷光能力强和高的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN102176496B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110033772.1
申请日：2011-01-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/20 , C30B25/16 , H01L31/075
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池的制作方法，包括如下步骤：步骤1：将一衬底清洗干净，然后放入等离子体增强型化学气相沉积系统，烘烤并抽高真空；步骤2：在衬底上制作中间层；步骤3：在中间层上制作电极层，其是通过氢气调制本征层(I层)能带结构改进太阳电池的光吸收性能和界面性能，进而提高电池的效率。
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公开(公告)号：CN102176496A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110033772.1
申请日：2011-01-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/20 , C30B25/16 , H01L31/075
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池的制作方法，包括如下步骤：步骤1：将一衬底清洗干净，然后放入等离子体增强型化学气相沉积系统，烘烤并抽高真空；步骤2：在衬底上制作中间层；步骤3：在中间层上制作电极层，其是通过氢气调制本征层(I层)能带结构改进太阳电池的光吸收性能和界面性能，进而提高电池的效率。
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公开(公告)号：CN101820004A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010162344.4
申请日：2010-04-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 本发明公开了一种光电分离的太阳能电池背反射器，包括透明导电薄膜(3)、透明衬底(4)和高反射材料(5)三层结构，其中透明衬底(4)一侧没有织构，而另一侧有织构，透明导电薄(3)沉积在透明衬底(4)没有织构的一侧，高反射材料(5)沉积在透明衬底(4)有织构的一侧。利用本发明，解决了电池光吸收与电学输运之间的矛盾，既能够有效提高太阳能电池的光吸收，又能保持较好的电学性能，从而提高电池的光电转换效率，同时还具有成本低，可规模化生产的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101800268A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010117751.3
申请日：2010-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种改进非晶硅太阳电池性能的方法，其特征在于，该方法通过改进非晶硅薄膜太阳电池i/p界面来实现，是在p层为纳米硅的条件下，在非晶硅薄膜太阳电池的i/p界面处插入纳米硅缓冲层，形成双纳米硅层结构。将双纳米硅层结构应用于电池后，开路电压与短路电流都得到了改进，电池转换效率有较大的提高。这种i/p界面处理方法没有碳掺杂，稳定性更好，简便易行，便于推广。另外采用这种方法可以不用甲烷，节省原材料的使用，降低原材料成本；同时可以免去PECVD系统的一个甲烷气路及相关设施，将极大的降低设备成本，对太阳能电池的生产和推广使用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN103579404A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310585523.2
申请日：2013-11-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/075 , H01L31/0224 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/035227 , H01L31/022441 , H01L31/182
Abstract: 本发明公开了一种硅纳米线薄膜电池及其制备方法。电池包括衬底(1)和形成在衬底(1)上的硅纳米线层(2)，硅纳米线层(2)由多个长度方向垂直于衬底(1)表面的硅纳米线构成，在每个硅纳米线的外侧依次形成有背电极薄膜层(2a)、掺杂型硅薄膜层(2b)、活性层硅薄膜(3)、掺杂型硅薄膜(4)和透明导电膜(5)。本发明能获得具有很好陷光效果及真正实现载流子径向收集，进而提高转换效率的硅纳米线薄膜电池，同时电池的制备过程简便易行，具有低成本可规模化生产的优点。
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公开(公告)号：CN102157614A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110028237.7
申请日：2011-01-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种改进非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的方法，该方法通过在非晶硅/微晶硅叠层太阳电池顶电池与底电池之间n/p界面处插入p型非晶硅复合层实现，是在顶电池的n层为非晶硅、底电池p层为纳米硅的叠层电池的在n/p界面处插入p型非晶硅复合层。利用本发明，能减少叠层电池隧穿复合结处的损失，实验结果表明叠层电池的开压等于子电池的开压之和，说明隧穿复合结处没有产生光生载流子的积累。同时调节p型非晶硅复合层的硼烷气体掺杂比和生长时间的方法具有简单易行的优点，便于应用到产业化工艺中。
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公开(公告)号：CN103489941A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310459476.7
申请日：2013-09-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/04 , H01L31/18 , B82Y40/00
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/1804 , B82Y40/00 , H01L31/035227
Abstract: 本发明公开了一种硅纳米线阵列结构硅薄膜太阳电池及其制备方法，该硅纳米线阵列结构包括形成在衬底上的多个硅纳米线，所述衬底的表面在形成硅纳米线之前具有作为催化剂的金属薄膜，但在形成硅纳米线之后不具备所述金属薄膜的金属。所述方法包括在衬底上形成了硅纳米线之后，将其放入一定浓度的酸溶液中，清除硅纳米线顶端的金属。利用本发明，硅纳米线阵列结构硅薄膜太阳电池开路电压得到明显改进，电池转换效率有较大提高，对太阳电池的生产和推广使用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN103258919B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310157617.X
申请日：2013-05-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池非晶硅与多晶硅薄膜界面的钝化方法及应用该方法制备n型多晶硅薄膜SPA结构的HIT电池的方法，其中太阳能电池非晶硅与多晶硅薄膜界面的钝化方法，是采用等离子体增强化学气相沉积的方法，在通入腔室氢气的情况下，对太阳能电池的非晶硅与多晶硅薄膜界面进行钝化处理。氢等离子体界面处理可以降低多晶硅薄膜的表面态，从而使得SPA结构的HIT电池的非晶硅与多晶硅薄膜的界面态减少，使得光照下产生的光生载流子在界面处的复合减少，增加了光生载流子的收集，提高电池的转换效率。
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