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公开(公告)号：CN103258919A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310157617.X
申请日：2013-05-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池非晶硅与多晶硅薄膜界面的钝化方法及应用该方法制备n型多晶硅薄膜SPA结构的HIT电池的方法，其中太阳能电池非晶硅与多晶硅薄膜界面的钝化方法，是采用等离子体增强化学气相沉积的方法，在通入腔室氢气的情况下，对太阳能电池的非晶硅与多晶硅薄膜界面进行钝化处理。氢等离子体界面处理可以降低多晶硅薄膜的表面态，从而使得SPA结构的HIT电池的非晶硅与多晶硅薄膜的界面态减少，使得光照下产生的光生载流子在界面处的复合减少，增加了光生载流子的收集，提高电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN102983215A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210468808.3
申请日：2012-11-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种具有硅纳米线结构的硅薄膜太阳能电池的制备方法，包括：在不锈钢衬底上，溅射掺锡氧化铟薄膜；在腔室中通入氢气，对掺锡氧化铟薄膜进行H等离子体处理；再向腔室中通入第一反应气体或第二反应气体，使不锈钢衬底与铟金属纳米颗粒之间形成n型或p型硅纳米线；降低腔室中温度，向腔室中通入氢气和硅烷气体，在硅纳米线上沉积本征层；向腔室中通入第二反应气体或第一反应气体，在本征层上沉积掺杂层，该掺杂层为p型掺杂或n型掺杂，形成样品；将沉积掺杂层后的样品从腔室中取出，采用磁控溅射的方法在掺杂层上生长掺锡氧化铟透明薄膜电极，完成制备。该方法具有陷光能力强和高的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN102176496B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110033772.1
申请日：2011-01-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/20 , C30B25/16 , H01L31/075
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池的制作方法，包括如下步骤：步骤1：将一衬底清洗干净，然后放入等离子体增强型化学气相沉积系统，烘烤并抽高真空；步骤2：在衬底上制作中间层；步骤3：在中间层上制作电极层，其是通过氢气调制本征层(I层)能带结构改进太阳电池的光吸收性能和界面性能，进而提高电池的效率。
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公开(公告)号：CN102176496A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110033772.1
申请日：2011-01-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/20 , C30B25/16 , H01L31/075
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池的制作方法，包括如下步骤：步骤1：将一衬底清洗干净，然后放入等离子体增强型化学气相沉积系统，烘烤并抽高真空；步骤2：在衬底上制作中间层；步骤3：在中间层上制作电极层，其是通过氢气调制本征层(I层)能带结构改进太阳电池的光吸收性能和界面性能，进而提高电池的效率。
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公开(公告)号：CN103258919B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310157617.X
申请日：2013-05-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池非晶硅与多晶硅薄膜界面的钝化方法及应用该方法制备n型多晶硅薄膜SPA结构的HIT电池的方法，其中太阳能电池非晶硅与多晶硅薄膜界面的钝化方法，是采用等离子体增强化学气相沉积的方法，在通入腔室氢气的情况下，对太阳能电池的非晶硅与多晶硅薄膜界面进行钝化处理。氢等离子体界面处理可以降低多晶硅薄膜的表面态，从而使得SPA结构的HIT电池的非晶硅与多晶硅薄膜的界面态减少，使得光照下产生的光生载流子在界面处的复合减少，增加了光生载流子的收集，提高电池的转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103794680A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410043904.2
申请日：2014-01-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/186
Abstract: 本发明提出一种改善硅纳米线太阳能电池性能的方法，包括：S1、将硅纳米线太阳能电池和导电金属网置于电解液中，并将该硅纳米线太阳能电池和该导电金属网分别连接至稳压直流电源的负极和正极；S2、打开所述稳压直流电源的同时用光照射所述硅纳米线太阳能电池，并持续一个预定时间；S3、从所述电解液中取出所述硅纳米线太阳能电池，并进行清洗。本发明能够提高硅纳米线太阳能电池的效率，且工艺简单、成本低廉。
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公开(公告)号：CN103579404A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310585523.2
申请日：2013-11-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/075 , H01L31/0224 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/035227 , H01L31/022441 , H01L31/182
Abstract: 本发明公开了一种硅纳米线薄膜电池及其制备方法。电池包括衬底(1)和形成在衬底(1)上的硅纳米线层(2)，硅纳米线层(2)由多个长度方向垂直于衬底(1)表面的硅纳米线构成，在每个硅纳米线的外侧依次形成有背电极薄膜层(2a)、掺杂型硅薄膜层(2b)、活性层硅薄膜(3)、掺杂型硅薄膜(4)和透明导电膜(5)。本发明能获得具有很好陷光效果及真正实现载流子径向收集，进而提高转换效率的硅纳米线薄膜电池，同时电池的制备过程简便易行，具有低成本可规模化生产的优点。
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公开(公告)号：CN102157614A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110028237.7
申请日：2011-01-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种改进非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的方法，该方法通过在非晶硅/微晶硅叠层太阳电池顶电池与底电池之间n/p界面处插入p型非晶硅复合层实现，是在顶电池的n层为非晶硅、底电池p层为纳米硅的叠层电池的在n/p界面处插入p型非晶硅复合层。利用本发明，能减少叠层电池隧穿复合结处的损失，实验结果表明叠层电池的开压等于子电池的开压之和，说明隧穿复合结处没有产生光生载流子的积累。同时调节p型非晶硅复合层的硼烷气体掺杂比和生长时间的方法具有简单易行的优点，便于应用到产业化工艺中。
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公开(公告)号：CN103794680B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410043904.2
申请日：2014-01-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提出一种改善硅纳米线太阳能电池性能的方法，包括：S1、将硅纳米线太阳能电池和导电金属网置于电解液中，并将该硅纳米线太阳能电池和该导电金属网分别连接至稳压直流电源的负极和正极；S2、打开所述稳压直流电源的同时用光照射所述硅纳米线太阳能电池，并持续一个预定时间；S3、从所述电解液中取出所述硅纳米线太阳能电池，并进行清洗。本发明能够提高硅纳米线太阳能电池的效率，且工艺简单、成本低廉。
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公开(公告)号：CN102157614B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201110028237.7
申请日：2011-01-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种改进非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的方法，该方法通过在非晶硅/微晶硅叠层太阳电池顶电池与底电池之间n/p界面处插入p型非晶硅复合层实现，是在顶电池的n层为非晶硅、底电池p层为纳米硅的叠层电池的在n/p界面处插入p型非晶硅复合层。利用本发明，能减少叠层电池隧穿复合结处的损失，实验结果表明叠层电池的开压等于子电池的开压之和，说明隧穿复合结处没有产生光生载流子的积累。同时调节p型非晶硅复合层的硼烷气体掺杂比和生长时间的方法具有简单易行的优点，便于应用到产业化工艺中。
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