公开(公告)号：CN103490280A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310447427.1

申请日：2013-09-27

申请人： 中国科学院半导体研究所

发明人： 闫方亮 ,  张锦川 ,  姚丹阳 ,  谭松 ,  王利军 ,  刘峰奇 ,  王占国

IPC分类号： H01S5/34 ,  H01S5/22

摘要： 本发明公开了一种可调谐分布反馈量子级联激光器阵列器件及其制备方法。所述阵列器件包括：在衬底上依次生长的下波导层、下限制层、有源区、上限制层、上波导层、梯度掺杂盖层和高掺层；阵列器件，其包含多个DFB激光器，每个DFB激光器具有脊型波导结构，且脊型波导的一侧留有引线区；脊上面的高掺层上为取样布拉格光栅结构，阵列中不同DFB激光器脊型波导上面的取样布拉格光栅具有不同的取样周期；二氧化硅层，其覆盖了整个脊型波导结构的表面区域；正面电极层，其生长在二氧化硅层的上面及高掺层取样布拉格光栅的上面；电隔离沟，其位于阵列器件中两个DFB激光器的脊型波导结构之间；背面金属电极层，其生长在衬底的下表面。

公开(公告)号：CN103490280B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310447427.1

申请日：2013-09-27

申请人： 中国科学院半导体研究所

发明人： 闫方亮 ,  张锦川 ,  姚丹阳 ,  谭松 ,  王利军 ,  刘峰奇 ,  王占国

IPC分类号： H01S5/34 ,  H01S5/22

摘要： 本发明公开了一种可调谐分布反馈量子级联激光器阵列器件及其制备方法。所述阵列器件包括：在衬底上依次生长的下波导层、下限制层、有源区、上限制层、上波导层、梯度掺杂盖层和高掺层；阵列器件，其包含多个DFB激光器，每个DFB激光器具有脊型波导结构，且脊型波导的一侧留有引线区；脊上面的高掺层上为取样布拉格光栅结构，阵列中不同DFB激光器脊型波导上面的取样布拉格光栅具有不同的取样周期；二氧化硅层，其覆盖了整个脊型波导结构的表面区域；正面电极层，其生长在二氧化硅层的上面及高掺层取样布拉格光栅的上面；电隔离沟，其位于阵列器件中两个DFB激光器的脊型波导结构之间；背面金属电极层，其生长在衬底的下表面。