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公开(公告)号：CN113072099A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010006214.5
申请日：2020-01-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种TMDs二维材料薄膜、器件及制备方法，基于高温热分解法，将TMDs前驱体盐熔融，以形成与生长衬底的表面相接触的溶解盐层及位于溶解盐层上方的TMDs二维材料薄膜；由于溶解盐层的溶解性，只需采用溶液即可将TMDs二维材料薄膜与生长衬底分离，并在溶液中完成TMDs二维材料薄膜的转移，可提供操作便捷、工艺简单、无污染、安全性高、制备面积大以及性能好的TMDs二维材料薄膜及器件。
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公开(公告)号：CN111129113A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911346297.6
申请日：2019-12-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/16 , H01L21/329 , H01L29/86
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯纳米带器件阵列及其制备方法，涉及微电子技术领域。本发明首先通过在具有10°偏角(100)晶面的锗衬底上生长一层石墨烯薄膜，并依次经过曝出点阵阵列、覆盖掩膜层、剥离并保留点阵孔洞里的掩膜、等离子体进行刻蚀掩膜层外的石墨烯、腐蚀掉保护层、退火并生长石墨烯纳米带阵列、曝出电极区域、制备电极，最终完成直接在半导体衬底上制备石墨烯纳米带器件阵列。相比于现有技术，本发明避免了掩膜刻蚀法制备石墨烯纳米带阵列带来的石墨烯载流子迁移率降低的问题，同时打开了石墨烯的带隙；而且，本发明采用的制备工艺与目前成熟的半导体工艺兼容，为石墨烯微电子器件的实际运用和大规模生产提供了可能。
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公开(公告)号：CN106711019B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201510792045.1
申请日：2015-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种利用可控缺陷石墨烯插入层制备金属‑半导体合金的方法，包括以下步骤：1）提供半导体衬底；2）在半导体衬底表面形成石墨烯；3）对石墨烯进行离子注入，以得到密度可控的缺陷石墨烯；4）在缺陷石墨烯表面形成金属层；5）对步骤4）得到的结构进行退火处理，形成金属‑半导体合金层。通过在半导体衬底与金属层之间形成石墨烯插入层，可以有效地改善半导体衬底与金属‑半导体合金层的界面的接触特性，外延得到的金属‑半导体合金层质量更好、性能更加稳定；石墨烯插入层具有较高的电子迁移率，可以有效地降低外延生长的金属‑半导体合金层电阻及半导体衬底与金属‑半导体合金层的接触电阻，从而提高其电学性能。
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公开(公告)号：CN110065939A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201810062548.7
申请日：2018-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/186 , C01B32/194
Abstract: 本发明提供一种具有石墨烯气泡的石墨烯结构及其制备方法，制备方法包括：提供一衬底；于衬底上表面形成氢钝化层和位于氢钝化层上表面的石墨烯层；将一探针置于石墨烯层上，并给探针施加一预设电压，以激发探针对应位置的部分氢钝化层转换成氢气，氢气使得其对应位置的石墨烯层凸起以形成包覆氢气的石墨烯气泡。通过上述方案，本发明提供一种具有石墨烯气泡的石墨烯结构以及该石墨烯结构的制备方法，本发明的技术方案可以精确地控制石墨烯气泡的形成位置，并实现了石墨烯气泡的大小以及形状等的高度可控，本发明的制备方法操作简单，具有很强的可操作性和实用价值。
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公开(公告)号：CN109841939A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201910099321.4
申请日：2019-01-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明的无源滤波器及其制备方法，该方法包括：提供绝缘衬底；于绝缘衬底的至少一面上形成金属导线，金属导线的一端为电磁波信号的输入端，另一端为电磁波信号的输出端；于金属导线表面及金属导线所在的绝缘衬底表面覆盖屏蔽粉层。通过改变金属导线的线宽及长度等参数可以改变无源滤波器的大小，增大无源滤波器的适用范围，使无源滤波器可以放入小型仪器中进行滤波；另外，使用半导体工艺中的金属剥离方法或掩膜版蒸镀金属方法形成金属导线，大大减小了金属导线的线宽及金属导线的间距，使无源滤波器做到更小；最后，工艺制备简单，易于实施。
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公开(公告)号：CN105866983B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201610216678.2
申请日：2016-04-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02F1/015 , H01L31/115 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供一种锗银复合材料及其在光电器件中的应用，所述锗银复合材料包括本征锗及埋在所述本征锗中的银纳米颗粒。所述锗银复合材料可以通过离子注入法将银离子注入到本征锗中并退火得到。本发明可以利用银纳米颗粒的局域表面等离子体共振增强作用，以及纳米颗粒之间表面等离子体共振耦合排斥作用，调控共振增强峰位频率在近红外波段，从而增强锗在近红外波段的光电响应。通过控制纳米银颗粒在本征锗中的密度，可以有效的控制增强锗光电响应的频谱范围从可见光到近红外。
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公开(公告)号：CN106328502B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201510355810.3
申请日：2015-06-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/324 , C30B29/10
Abstract: 本发明提供一种SiGeSn材料及其制备方法，制备方法包括以下步骤：提供衬底，所述衬底包含SiGe层；向所述SiGe层内注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体；将注入后的所述衬底进行退火处理。本发明的SiGeSn材料及其制备方法相较于现有技术具有成本低廉、工艺简单、质量更好、更利于大规模生产的优点。
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公开(公告)号：CN109280903A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811245546.8
申请日：2018-10-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种高密度锗纳米线的制备方法，包括如下步骤：1)提供一锗衬底，锗衬底包括相对的第一表面及第二表面；2)于锗衬底的第一表面生长石墨烯；3)于锗衬底的第一表面形成铟催化剂层，且铟催化剂层至少覆盖石墨烯；4)于铟催化剂层远离锗衬底的表面生长锗纳米线。本发明无需采用电子束蒸发的方式沉积金属，大大简化了锗纳米线制备的工艺流程，并降低成本，非常适合于大规模低成本的锗纳米线的制备；本发明采用铟作为催化剂生长的锗纳米线具有较高的长宽比，同时具有较高的表面密度，这些特点使得该方法更便于锗纳米线的转移与应用，从而为基于四族纳米线的器件制备奠定工艺基础；同时，本发明制备的锗纳米线具有很好的稳定性和重复性。
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公开(公告)号：CN108793146A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810714966.X
申请日：2018-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学
IPC: C01B32/194
CPC classification number: C01B32/194
Abstract: 本发明提供一种转移石墨烯的方法，包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上生长石墨烯，形成石墨烯/衬底结构；在所述石墨烯上涂敷派瑞林，形成派瑞林/石墨烯/衬底结构；利用腐蚀液去除所述派瑞林/石墨烯/衬底结构中的所述衬底，形成派瑞林/石墨烯结构；将所述派瑞林/石墨烯结构翻转，形成石墨烯/派瑞林结构，完成所述石墨烯的转移。本发明采用派瑞林作为石墨烯的转移介质及支撑层，仅经过一次腐蚀液去除衬底后进行翻转，即可获得高质量、大面积、无损、洁净的石墨烯。
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公开(公告)号：CN105321821B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201410328962.X
申请日：2014-07-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种应力可调的悬浮应变薄膜结构及其制备方法，该方法包括以下步骤：S1：提供一自上而下依次包括顶层应变半导体层、埋氧层及半导体衬底的半导体结构，刻蚀顶层应变半导体层形成预设图形微结构及基座；所述微结构包括一对平板及连接于该一对平板之间的至少一条中心桥线；所述平板的外端连接于基座；S2：通过干法腐蚀去除所述微结构下方的埋氧层以释放微结构，使得所述平板应力弛豫，中心桥线应力增加。本发明通过弹性变形机制和图形化改变顶层应变半导体层本身的固有应力，使得平板应力弛豫，而中心桥线应力增加，从而实现应力大小及应力区域的调控，在绝缘体上应变半导体材料结构上制备高质量、大应变的应变纳米线，工艺简单高效。
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