-
公开(公告)号:CN118919599A
公开(公告)日:2024-11-08
申请号:CN202411012208.5
申请日:2024-07-26
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/0352 , G01J1/42 , G01J5/10
Abstract: 本发明公开了一种HgSe量子点/Ge异质结光探测器及其制备方法和应用,制备方法包括:(1)将Se前驱体和Hg前驱体通过热注入合成HgSe量子点;(2)将所述HgSe量子点旋涂至Ge衬底上,退火,得HgSe量子点薄膜;(3)在所述Ge衬底和所述HgSe量子点薄膜上分别制备金属电极,得所述HgSe量子点/Ge异质结光探测器。本发明方法制备的HgSe量子点/Ge异质结光探测器,分别在Ge衬底和HgSe量子点薄膜上制备金属电极,可以优化探测器的波长范围和灵敏度。
-
公开(公告)号:CN116004227B
公开(公告)日:2024-09-20
申请号:CN202211615458.9
申请日:2022-12-15
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种紫外激发的蓝光发射荧光粉及其制备方法与应用。该蓝光荧光粉属于AO‑B2O3‑SnO2‑SiO2‑Ce2O3体系,其中,A为Ca、Sr和Ba的一种或几种;B为Ga和In的一种或几种,其组分以氧化物的质量百分比计为:20.44%≤AO≤44.86%,18.31%≤B2O3≤33.76%,20.29%≤SnO2≤30.88%,13.49%≤SiO2≤20.52%,0.11%≤Ce2O3≤0.468%。与现有技术相比,本发明荧光粉为氧化物基荧光粉,具备物理化学性能稳定、制备简便、成本低等突出优势,适应于紫外芯片白光LED、紫外芯片类太阳光LED、紫外芯片全光谱LED及紫外芯片高质量白光LED等的应用。
-
公开(公告)号:CN117736734A
公开(公告)日:2024-03-22
申请号:CN202311539286.6
申请日:2023-11-17
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种紫光激发的蓝色荧光材料及其制备方法与应用。该荧光材料的化学表达式为Sr3CeNa(PO4)3F:xEu2+其中0.01≤x≤0.06。本发明提供的所述紫光激发的蓝色荧光材料是一种全新的,未被报道过的紫外激发Eu2+掺杂的氧氟化物基447nm蓝光发射荧光材料,所述荧光粉具有宽激发带,有效吸收范围覆盖220~420nm,可被紫外激发,中心发射波长447nm的蓝光,具备物理化学性质稳定的优势,同时,该荧光粉可采用常规固相反应法制得,具有制备工艺简单、利于工业化成产的特点,可作为白光LED广泛应用的良好候选材料。所述荧光粉完全可以与现有的紫外芯片进行很好地匹配,满足商业化市场需求,适应于白光LED、类太阳光LED、全光谱LED等的应用。
-
公开(公告)号:CN116004227A
公开(公告)日:2023-04-25
申请号:CN202211615458.9
申请日:2022-12-15
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种紫外激发的蓝光发射荧光粉及其制备方法与应用。该蓝光荧光粉属于AO‑B2O3‑SnO2‑SiO2‑Ce2O3体系,其中,A为Ca、Sr和Ba的一种或几种;B为Ga和In的一种或几种,其组分以氧化物的质量百分比计为:20.44%≤AO≤44.86%,18.31%≤B2O3≤33.76%,20.29%≤SnO2≤30.88%,13.49%≤SiO2≤20.52%,0.11%≤Ce2O3≤0.468%。与现有技术相比,本发明荧光粉为氧化物基荧光粉,具备物理化学性能稳定、制备简便、成本低等突出优势,适应于紫外芯片白光LED、紫外芯片类太阳光LED、紫外芯片全光谱LED及紫外芯片高质量白光LED等的应用。
-
公开(公告)号:CN110684529B
公开(公告)日:2022-08-23
申请号:CN201910978174.8
申请日:2019-10-15
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种超小型钙钛矿量子点的制备方法,包括以下步骤:分别称取溴化铅和溴化铯的固体粉末,溶解于乙醇溶液中,保温处理得到反应物前驱体溶液;将介孔氧化硅分散于含有油胺和油酸的氯仿溶液中,搅拌处理,将获得介孔氧化硅悬浮液置于冰水浴中备用;将所述反应物前驱体溶液加入所述介孔氧化硅悬浮液中,搅拌条件下反应结晶,然后将混合液体中的固体分离,洗涤得到所述超小型钙钛矿量子点。与现有技术相比,本发明具有制得的超小型量子点具备稳定、有序、可控生长的优点,并且具有极好的化学和光学稳定性,在LED器件上具有良好的应用前景。
-
公开(公告)号:CN114242831A
公开(公告)日:2022-03-25
申请号:CN202111338083.1
申请日:2021-11-12
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0336 , H01L31/0352 , C09K11/88 , C09K11/02 , C01B19/00 , C01G21/00
Abstract: 本发明公开了一种CdTe/CsPbBr3量子点异质结光探测薄膜的制备方法:将镉源、碲粉分别溶解后,将镉溶液注入到含碲溶液中,得到CdTe量子点前体溶液,然后加入抗溶剂分散离心,得到CdTe量子点,并将其分散在溶剂中;将等摩尔比的铯源和铅源溶解在溶剂中,并加入表面活性配体,搅拌溶解,得到CsPbBr3量子点前体溶液;在CsPbBr3量子点前体溶液中加入CdTe量子点溶液,搅拌,将其旋涂后得到CdTe/CsPbBr3量子点异质结光探测薄膜,退火增加其结晶度。该方法得到的复合薄膜致密度高。通过不同半导体量子点的异质集成,可以扩大光的吸收范围,改善载流子的迁移率,在新型光探测器件领域具有潜在应用价值。
-
公开(公告)号:CN114231269A
公开(公告)日:2022-03-25
申请号:CN202111382491.7
申请日:2021-11-22
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/02 , C09K11/88 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种柔性碲镉汞量子点光探测薄膜的制备方法。本发明的制备方法包括:首先,将CdTe量子点旋涂在涂覆有掺铟的二氧化锡层的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)上,并通过退火增加薄膜的结晶程度和薄膜在PET上的附着力,随后将旋涂层朝上放置在含汞前驱体溶液中,随后进一步退火得到柔性碲镉汞量子点光探测薄膜。本发明的工艺路线简单,薄膜致密度高,相比于外延法生长碲镉汞薄膜,本发明提供的方法实现条件较温和,操作简单,对于近红外光电探测器、光伏器件等领域上有很好的应用前景。
-
公开(公告)号:CN114106833A
公开(公告)日:2022-03-01
申请号:CN202111382732.8
申请日:2021-11-22
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种离子交换制备碲镉汞(HgxCd1‑xTe)量子点的方法。本发明的制备方法为:通过热注入法制备CdTe量子点,并将其分散在含有烷基硫醇作为配体的汞前驱体的氯仿溶液中,随后通过离子交换法制备得到HgxCd1‑xTe量子点。本发明的制备方法简单,且能够通过控制汞前驱体的含量及离子交换时间得到不同近红外发光波段的HgxCd1‑xTe量子点,实现HgxCd1‑xTe量子点在近红外波段的调控。本发明的方法可获得高质量的HgxCd1‑xTe量子点,其具有较均匀的粒径分布和高的单分散性,在近红外光电探测应用领域具有重要意义。
-
公开(公告)号:CN113998676A
公开(公告)日:2022-02-01
申请号:CN202111506999.3
申请日:2021-12-10
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种溶剂热法制备硒化汞量子点的方法:将汞源、表面活性配体、溶剂,混合搅拌,得到汞前驱体溶液;将硒粉溶解于三辛基膦中,然后加入溶剂,得到硒前驱体溶液;将汞源、硒源、溶剂放置在反应釜的聚四氟乙烯内衬中,于50‑100℃条件下加热4‑12小时。该方法得到的碲镉汞量子点表现出较均匀的粒径分布和较好的单分散性。
-
公开(公告)号:CN113773839A
公开(公告)日:2021-12-10
申请号:CN202111110541.6
申请日:2021-09-23
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及荧光粉制备技术领域,尤其是涉及一种近紫外/紫光激发的热稳定红光荧光粉及其制备方法与应用,该热稳定红光荧光粉的化学表达式为RbZnF3:xEu3+,式中,x=0.05~0.2。制备时将ZnC4H6O4·2H2O与RbF溶于甲醇后再加入Eu(NO3)3·6H2O,在室温下搅拌得到白色浑浊液体,静置后离心,再用乙醇或去离子水进行洗涤,重复以上步骤三次及以上,最后干燥得到红光荧光粉产品。本发明合成了一种Eu3+掺杂的氟化物红光荧光粉,对比于现有的Eu3+掺杂的红光荧光粉,本发明荧光粉具备有热稳定性良好,制备工艺相对简单等优势,能作为近紫外或紫光LED用红色荧光粉。
-
-
-
-
-
-
-
-
-