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公开(公告)号:CN114231269A
公开(公告)日:2022-03-25
申请号:CN202111382491.7
申请日:2021-11-22
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/02 , C09K11/88 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种柔性碲镉汞量子点光探测薄膜的制备方法。本发明的制备方法包括:首先,将CdTe量子点旋涂在涂覆有掺铟的二氧化锡层的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)上,并通过退火增加薄膜的结晶程度和薄膜在PET上的附着力,随后将旋涂层朝上放置在含汞前驱体溶液中,随后进一步退火得到柔性碲镉汞量子点光探测薄膜。本发明的工艺路线简单,薄膜致密度高,相比于外延法生长碲镉汞薄膜,本发明提供的方法实现条件较温和,操作简单,对于近红外光电探测器、光伏器件等领域上有很好的应用前景。
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公开(公告)号:CN113998676A
公开(公告)日:2022-02-01
申请号:CN202111506999.3
申请日:2021-12-10
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种溶剂热法制备硒化汞量子点的方法:将汞源、表面活性配体、溶剂,混合搅拌,得到汞前驱体溶液;将硒粉溶解于三辛基膦中,然后加入溶剂,得到硒前驱体溶液;将汞源、硒源、溶剂放置在反应釜的聚四氟乙烯内衬中,于50‑100℃条件下加热4‑12小时。该方法得到的碲镉汞量子点表现出较均匀的粒径分布和较好的单分散性。
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