公开(公告)号：CN115571906B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202211196541.7

申请日：2022-09-28

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 房永征 ,  刘振宇 ,  刘玉峰 ,  房诗玉 ,  史继超 ,  于成也 ,  李文 ,  周子强

IPC: C01G19/00 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/042

Abstract: 本发明提供一种可见光响应型硫化亚锡(SnS)量子点薄膜及其制备方法。本发明的制备方法可获得高质量的SnS量子点，具有较窄的尺寸分布和高的单分散性，比常规添加油酸的热注入法制备得到的可见光响应型SnS量子点薄膜太阳能电池的导电性能提高2～3倍；并利用旋涂法制备SnS量子点薄膜，降低了对工艺流程设备的要求，为设计其他实验路径提供便捷，对室温可见光太阳能电池应用领域具有重要意义。

公开(公告)号：CN115571906A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202211196541.7

申请日：2022-09-28

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 房永征 ,  刘振宇 ,  刘玉峰 ,  房诗玉 ,  史继超 ,  于成也 ,  李文 ,  周子强

IPC: C01G19/00 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/042

Abstract: 本发明提供一种可见光响应型硫化亚锡(SnS)量子点薄膜及其制备方法。本发明的制备方法可获得高质量的SnS量子点，具有较窄的尺寸分布和高的单分散性，比常规添加油酸的热注入法制备得到的可见光响应型SnS量子点薄膜太阳能电池的导电性能提高2～3倍；并利用旋涂法制备SnS量子点薄膜，降低了对工艺流程设备的要求，为设计其他实验路径提供便捷，对室温可见光太阳能电池应用领域具有重要意义。

公开(公告)号：CN114242831A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111338083.1

申请日：2021-11-12

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 刘玉峰 ,  房诗玉 ,  房永征 ,  金佳杰 ,  刘振宇 ,  张娜 ,  赵国营 ,  侯京山

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0352 ,  C09K11/88 ,  C09K11/02 ,  C01B19/00 ,  C01G21/00

Abstract: 本发明公开了一种CdTe/CsPbBr3量子点异质结光探测薄膜的制备方法：将镉源、碲粉分别溶解后，将镉溶液注入到含碲溶液中，得到CdTe量子点前体溶液，然后加入抗溶剂分散离心，得到CdTe量子点，并将其分散在溶剂中；将等摩尔比的铯源和铅源溶解在溶剂中，并加入表面活性配体，搅拌溶解，得到CsPbBr3量子点前体溶液；在CsPbBr3量子点前体溶液中加入CdTe量子点溶液，搅拌，将其旋涂后得到CdTe/CsPbBr3量子点异质结光探测薄膜，退火增加其结晶度。该方法得到的复合薄膜致密度高。通过不同半导体量子点的异质集成，可以扩大光的吸收范围，改善载流子的迁移率，在新型光探测器件领域具有潜在应用价值。

公开(公告)号：CN114106833A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202111382732.8

申请日：2021-11-22

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 房永征 ,  房诗玉 ,  刘玉峰 ,  刘振宇 ,  金佳杰 ,  张娜 ,  赵国营 ,  侯京山

IPC: C09K11/89 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种离子交换制备碲镉汞(HgxCd1‑xTe)量子点的方法。本发明的制备方法为：通过热注入法制备CdTe量子点，并将其分散在含有烷基硫醇作为配体的汞前驱体的氯仿溶液中，随后通过离子交换法制备得到HgxCd1‑xTe量子点。本发明的制备方法简单，且能够通过控制汞前驱体的含量及离子交换时间得到不同近红外发光波段的HgxCd1‑xTe量子点，实现HgxCd1‑xTe量子点在近红外波段的调控。本发明的方法可获得高质量的HgxCd1‑xTe量子点，其具有较均匀的粒径分布和高的单分散性，在近红外光电探测应用领域具有重要意义。