镀覆装置以及镀覆液的搅拌方法

    公开(公告)号:CN114981485A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202080027302.1

    申请日:2020-12-21

    Inventor: 张绍华 关正也

    Abstract: 本发明涉及镀覆装置以及镀覆液的搅拌方法。本发明提供一种无需使用搅棒,就能够搅拌镀覆液的技术。镀覆装置(1000)具备保持件盖(50),该保持件盖(50)配置于基板保持件(30),并在基板保持件旋转的情况下与基板保持件一起旋转,保持件盖具有浸渍于镀覆液且位于比基板的被镀覆面靠下方的位置的下表面,在保持件盖的下表面设置有沿相对于保持件盖的旋转方向交叉的方向延伸的至少一个盖槽。

    镀覆装置以及镀覆处理方法

    公开(公告)号:CN114916234A

    公开(公告)日:2022-08-16

    申请号:CN202080039920.8

    申请日:2020-12-08

    Abstract: 本发明涉及镀覆装置以及镀覆处理方法。本发明提供一种能够抑制因滞留在隔膜的下表面的工艺气体而导致基板的镀覆品质变差的技术。镀覆装置(1000)具备:镀覆槽(10),在阳极室(13)配置有阳极(11);和基板保持件(30),配置于比阳极室靠上方的位置,并保持作为阴极的基板(Wf),阳极具有沿上下方向延伸的圆筒形状,镀覆装置还具备:气体存积部(60),以在与阳极之间具有空间,并且覆盖阳极的上端、外周面以及内周面的方式设置于阳极室,存积从阳极产生的工艺气体;和排出机构(70),使存积于气体存积部的工艺气体排出到镀覆槽的外部。

    调整镀覆模块的方法
    104.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114787428A

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN202180006560.6

    申请日:2021-03-05

    Abstract: 本发明涉及一种方法,其是调整镀覆模块的方法,所述镀覆模块具备保持基板的基板支架、与所述基板支架对置地配置的阳极、以及配置于所述基板支架与所述阳极之间的作为阻挡体的板,其中,所述方法包括:准备在调整了所述板的外周部的孔隙率以使基板的外周部的镀覆膜厚小于其他部分的膜厚的状态下进行了初始设定的镀覆模块的步骤;和与利用所述镀覆模块进行了镀覆的基板的膜厚分布相对应地,以使基板的外周部的膜厚增加的方式调整所述基板支架与所述板之间的距离,由此调整所述基板支架与所述板之间的距离以使基板整体的镀覆膜厚分布变得平坦的步骤。

    预湿模块、脱气液循环系统和预湿方法

    公开(公告)号:CN114752976A

    公开(公告)日:2022-07-15

    申请号:CN202210460141.6

    申请日:2022-04-28

    Abstract: 提供对基板高效地进行前置处理的预湿模块、脱气液循环系统和预湿方法。预湿模块(200)包括:脱气槽(210),其收容脱气液;处理装置(258),其包括喷嘴(268),其对被处理面向上的基板的被处理面供给清洗液;基板保持架(220),其具有配置于脱气槽与处理装置之间且保持第1基板的第1保持构件(222)和保持第2基板的第2保持构件(224);以及驱动机构(230),其使基板保持架旋转和升降,驱动机构(230)包括:旋转机构(240),其使基板保持架在使第1基板的被处理面与脱气槽内的脱气液相向的第1状态和使第2基板的被处理面与脱气槽内的脱气液相向的第2状态之间旋转;和升降机构(248),其使基板保持架升降。

    研磨装置
    106.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109702641B

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN201811241908.6

    申请日:2018-10-24

    Abstract: 本发明的目的在于,提供一种在基板的背面朝下的状态下,能够有效地对包含最外部的基板的背面整体进行研磨的研磨装置。研磨装置具有:使晶片(W)旋转的基板保持部(10);对晶片(W)的背面进行研磨的研磨头(50);带输送装置(46);以及使研磨头(50)进行平移旋转运动的平移旋转运动机构(60)。基板保持部(10)具有多个辊(11)。多个辊(11)构成为能够以各辊(11)的轴心为中心旋转,并具有能够与晶片(W)的周缘部接触的基板保持面(11a)。研磨头(50)相比于基板保持面(11a)配置在下方,具有对研磨带(31)进行按压的研磨托板(55)、和将研磨托板(55)向上方抬起的加压机构(52)。

    涡电流传感器及研磨装置
    107.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114536214A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202111413479.8

    申请日:2021-11-25

    Abstract: 本发明提供一种对周围环境的变化与过去相比更不易受到影响的涡电流传感器及研磨装置。用于检测可生成于晶片的涡电流的涡电流传感器(50)具有作为磁性体的磁芯(136)。磁芯(136)具有:基部(120);在基部(120)的第一方向(122)的中央且设于基部(120)的中央壁(144);及在基部120的第一方向(122)的两端部,分别设于基部(120)的端部壁(134)。涡电流传感器(50)具有:配置于端部壁(134),且可在晶片上生成涡电流的励磁线圈(62);及配置于中央壁(144),且用于检测涡电流的检测线圈(63)。

    光束弯折器
    108.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110581047B

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN201910496639.6

    申请日:2019-06-10

    Inventor: 村上武司

    Abstract: 本发明提供一种光束弯折器,能够提高由光束弯折器弯曲后的电子射线的集束性。在沿着通过光束弯折器(12)的内侧曲面(17)与外侧曲面(19)之间的电子射线的行进方向的第一剖面中,设定成内侧曲面的曲率和外侧曲面的曲率分别恒定,内侧曲面的曲率中心与外侧曲面的曲率中心一致。在与电子射线的行进方向垂直的第二剖面中,设定成内侧曲面的曲率和外侧曲面的曲率分别恒定,内侧曲面的曲率中心与外侧曲面的曲率中心一致。第二剖面中的内侧曲面的曲率半径被设定得比第一剖面中的内侧曲面的曲率半径大,第二剖面中的外侧曲面的曲率半径被设定得比第一剖面中的外侧曲面的曲率半径大。

    气体溶解液供给装置及由气体溶解液供给装置执行的方法

    公开(公告)号:CN114272776A

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN202111158227.5

    申请日:2021-09-30

    Abstract: 本发明提供一种能够实现气体溶解液的高浓度化,能够抑制气体溶解液的送出压力的变动的气体溶解液供给装置及由气体溶解液供给装置执行的方法。气体溶解液供给装置(1)具备:积存气体溶解液的第一气液分离器(8)、设置于第一气液分离器的后段并积存向使用点供给的气体溶解液的第二气液分离器(16)、设置于第一气液分离器和第二气液分离器之间的中间线路(17)、设置于中间线路并使从第一气液分离器向第二气液分离器供给的气体溶解液的压力上升的升压泵(18)、供给成为气体溶解液的原料的气体的气体供给线路(2)、设置于中间线路并使从气体供给线路供给的气体溶解于从第一气液分离器供给的气体溶解液的气体溶解部(20)。

Patent Agency Ranking