公开(公告)号：CN107871781A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201610854119.4

申请日：2016-09-27

Applicant: 西安电子科技大学 ,  中兴通讯股份有限公司

Inventor： 宋庆文 ,  张玉明 ,  贾一凡 ,  肖莉 ,  王茳 ,  王志坚

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L27/0203 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66666

Abstract: 本发明提供一种碳化硅MOSFET及其制造方法，用以解决现有技术中碳化硅MOSFET界面密度较高的问题，该碳化硅MOSFET包括：碱土金属氧化物形成的界面层，该界面层纵向设置于MOSFET的二氧化硅栅介质层与JFET区域之间，横向设置于MOSFET的两个N+源区接触之间，该碳化硅MOSFET缓解了传统碳化硅MOSFET器件中碳化硅与二氧化硅之间的晶格失配，从而缓和界面应力，减少悬挂键，改善了界面特性，提高了器件性能。

公开(公告)号：CN107644939A

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201710848505.7

申请日：2017-09-19

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 贾仁需 ,  庞体强 ,  栾苏珍 ,  张玉明 ,  汪钰成 ,  刘银涛

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明涉及一种宽谱响应光电探测器及其制备方法，所述制备方法包括：(a)选取蓝宝石衬底；(b)在所述蓝宝石衬底表面制作底电极；(c)在所述底电极表面制作光吸收层；(d)在所述光吸收层表面制作顶电极以完成所述宽谱响应光电探测器的制备。本发明提供的宽谱响应光电探测器，采用了双异质结结构，从而形成双势垒，可有效降低漏电流，从而大幅提高光电探测器的器件可靠性。

公开(公告)号：CN107591324A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201710738612.4

申请日：2017-08-24

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 韩超 ,  王莎 ,  张玉明 ,  汤晓燕 ,  郭辉 ,  宋庆文

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/861 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种结终端扩展终端结构的制备方法及结构，该方法包括：选取SiC衬底层；在所述SiC衬底层表面生长外延层；利用离子注入工艺在所述外延层上形成结终端扩展区；利用离子注入工艺在所述外延层上形成有源区；在所述外延层表面生长绝缘钝化层以完成所述结终端扩展终端结构的制备。本发明通过线性变化的边缘电荷分布消除传统碳化硅结终端扩展边缘处的单点锋锐电场峰并降低峰值电场值，缓解结边缘的电场集中效应，从而降低器件由于单点高电场诱发额外漏电和提前击穿的风险，提高结终端扩展结构在反向耐压时的可靠性。

公开(公告)号：CN107425059A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710421686.5

申请日：2017-06-07

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 贾仁需 ,  杨宇 ,  元磊 ,  张玉明 ,  彭博

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明涉及一种Cr掺杂异质结自旋场效应晶体管及其制备方法，其中，制备方法包括：选取蓝宝石衬底；利用MBE工艺在蓝宝石衬底表面生长Ga2O3外延层；在Ga2O3外延层注入Cr离子形成源区和漏区；在源区和漏区表面制作欧姆接触源极和漏极；利用PECVD工艺在Ga2O3外延层表面生长隔离层；在Ga2O3外延层表面制作肖特基接触栅电极以完成自旋场效应晶体管的制备；本发明提供的Cr掺杂异质结自旋场效应晶体管及制备方法，可通过调节离子注入的剂量和退火时间改变源漏材料中的掺杂浓度和缺陷浓度，从而优化室温下材料的自旋极化率。

公开(公告)号：CN107332514A

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：CN201710521403.4

申请日：2017-06-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 吕红亮 ,  张艳松 ,  葛玮璠 ,  武岳 ,  张义门 ,  张玉明

IPC: H03B5/12

CPC classification number: H03B5/1237

Abstract: 本发明提供了一种无变容管的推推式压控振荡器，属于电路设计技术领域，包括：谐振腔模块，由一对耦合传输线组成，用于产生所需的振荡信号；能量补偿模块，由一对晶体管组成，用于补偿谐振腔工作时的能量损失；信号耦合网络，由两个电容组成，用于差分信号的耦合；供电模块，用于给谐振腔模块和能量补偿模块供电；耦合传输线的输入端与供电模块的正极连接，耦合传输线的输出端与晶体管的集电极或基极连接，电容互相并联并与晶体管的基极连接，晶体管的发射极与供电模块的正极连接。该振荡器不仅可以实现推推式压控振荡器的功能，而且消除了变容管对其性能的不利影响，还可以在工艺厂商未提供变容管的情况下实现推推式压控振荡器的设计。

公开(公告)号：CN106409987B

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201611124463.4

申请日：2016-12-08

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 元磊 ,  张弘鹏 ,  贾仁需 ,  张玉明

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/107 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明涉及一种基于Ir2O3/Ga2O3的深紫外APD探测二极管及其制作方法。该方法包括：选取β‑Ga2O3衬底；在β‑Ga2O3衬底表面生长β‑Ga2O3材料形成同质外延层；在同质外延层表面生长上生长Ir2O3材料形成异质外延层；刻蚀异质外延层和同质外延层形成梯形结构；在异质外延层表面形成顶电极；在β‑Ga2O3衬底下表面形成底电极，最终形成APD探测器二极管。本发明采用β‑Ga2O3材料，发挥该材料在深紫外光区域和可见光区域的极高光透率和透明度，并确保了APD探测器的耐压极高、击穿电场较高，适合高频、高辐射、高温高压等极端环境，在极端环境下不仅器件可靠性大幅提高，探测性能也将优于目前的APD探测器。

公开(公告)号：CN106910794A

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201710153393.3

申请日：2017-03-15

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  吴建鲁 ,  曹鹏辉 ,  张玉明 ,  张晨旭

IPC: H01L31/08 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/08 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于氧化锌透明电极的异面型光导开关。其包括掺钒碳化硅衬底(1)、上欧姆接触电极(2)、下欧姆接触电极(3)、上薄膜电极(4)和下薄膜电极(5)，该上欧姆接触电极(2)及下欧姆接触电极(3)分别淀积在掺钒碳化硅衬底(1)的正面和背面，该上薄膜电极(4)淀积在掺钒碳化硅衬底(1)正面及上欧姆接触电极(2)的表面，该下薄膜电极(5)淀积在掺钒碳化硅衬底(1)背面及下欧姆接触电极(3)的表面；上薄膜电极和下薄膜电极均采用透明氧化锌材料，使得光导开关可在电极面光照下导通，增加了器件的受光面积，提高了导电通道的光子浓度和激光能量利用率，可用于高速脉冲系统。

公开(公告)号：CN103928532B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201410166376.X

申请日：2014-04-21

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 宋庆文 ,  袁昊 ,  汤晓燕 ,  张艺蒙 ,  贾仁需 ,  王悦湖 ,  张玉明

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅沟槽MOS结势垒肖特基二极管及其制造方法，主要解决器件边缘电场集中效应严重和漏电流过大导致的击穿电压过低和可靠性等问题，其特点是在传统JBS器件结构基础上引入沟槽MOS结构，从而达到缓解P结边缘电场集中，降低漏电流的作用。

公开(公告)号：CN106784125A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611124462.X

申请日：2016-12-08

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 元磊 ,  张弘鹏 ,  贾仁需 ,  张玉明

IPC: H01L31/11 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1105 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种Ga2O3/SiC异质结光电PNP晶体管及其制备方法。该方法包括：选取SiC衬底；分别生长P型SiC同质外延层形成集电区；在P型SiC同质外延层表面生长N型SiC同质外延层；在N型SiC同质外延层表面生长P型β‑Ga2O3异质外延层；在P型β‑Ga2O3异质外延层采用干法刻蚀形成发射区；N型同质外延层采用干法刻蚀形成基区，并在暴露出的P型同质外延层表面部分位置处生长第一金属材料形成集电极；在发射区表面生长第二金属材料形成发射极，最终形成Ga2O3/SiC异质结光电PNP晶体管。本发明的PNP晶体管使用两种不同的宽禁带材料构成异质结，其禁带宽度的不同及其材料特性使得本发明光电晶体管的光电增益大幅提高，提高光电晶体管将光信号转化为电信号的能力并提高器件可靠性。

公开(公告)号：CN104701405B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201510098787.4

申请日：2015-03-05

Applicant: 西安电子科技大学 ,  中国工程物理研究院核物理和化学研究所

Inventor： 郭辉 ,  梁佳博 ,  蒋树庆 ,  宋朝阳 ,  张玉明

IPC: H01L31/103 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅嵌入式电极异面型光导开关。其包括掺钒碳化硅衬底(1)、上致密绝缘氧化层(2)、下致密绝缘氧化层(3)、上欧姆接触电极(4)和下欧姆接触电极(5)，该上致密绝缘氧化层(2)和下致密绝缘氧化层(3)分别淀积在掺钒碳化硅衬底(1)的正面和背面，掺钒碳化硅衬底的正面及其表面的上致密绝缘氧化层(2)所对应位置处开有上凹槽(6)，掺钒碳化硅衬底背面及其表面的下致密绝缘氧化层(3)所对应位置处开有下凹槽(7)，上欧姆接触电极(4)和下欧姆接触电极(5)分别嵌入到上凹槽(6)中和下凹槽(7)中。本发明具有导通电阻小，导通效率和载流子收集率高，边缘击穿少的优点，可用于高速脉冲系统。