公开(公告)号：CN104282739B

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201410331664.6

申请日：2014-07-11

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·康拉斯 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

Abstract: 本文涉及一种双极晶体管及其制造方法。双极晶体管包括半导体结构，该半导体结构包括发射极区、基极区和集电极区。发射极区电连接至双极晶体管的发射极接触。另外，发射极区具有第一导电类型。基极区电连接至双极晶体管的基极接触。此外，基极区至少主要地具有第二导电类型。集电极区电连接至双极晶体管的集电极接触并且至少主要地具有第一导电类型。另外，集电极区包括具有第二导电类型的多个封闭的子区，或者基极区包括具有第一导电类型的多个封闭的子区。

公开(公告)号：CN108550619A

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201810491009.5

申请日：2014-09-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： C·P·桑道 ,  H-J·舒尔策 ,  J·G·拉文 ,  F·J·涅德诺斯塞德 ,  F·D·普菲尔施 ,  H-P·菲尔斯尔

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739

Abstract: 一种IGBT包括至少一个第一类晶体管单元，该第一类晶体管单元包括基区、第一发射区、体区和第二发射区。体区被布置在第一发射区与基区之间。基区被布置在体区与第二发射区之间。IGBT还包括毗邻体区且通过栅极电介质与体区介电绝缘的栅电极以及毗邻基区且通过基电极电介质与基区介电绝缘的基电极。基区具有邻接基电极电介质的第一基区部分和被布置在第二发射区与第一基区部分之间的第二基区部分。第一基区部分的掺杂浓度比第二基区部分的掺杂浓度高。

公开(公告)号：CN105374856B

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201510491053.2

申请日：2015-08-11

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： E·法尔克 ,  K·布赫霍尔茨 ,  M·戴内塞 ,  H-J·舒尔策 ,  G·施密特 ,  F·翁巴赫

IPC: H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/74 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供具有屏蔽结构的半导体器件。一种半导体器件具有包括相对的底侧和顶侧的半导体本体、围绕半导体本体的表面、形成在半导体本体中的有源半导体区域、围绕有源半导体区域的边缘区域、形成在边缘区域中的第一导电类型的第一半导体区、形成在顶侧处的边缘区域中的边缘终端结构以及布置在边缘终端结构背离底侧的那侧上的屏蔽结构。屏蔽结构具有N1≥2个第一段和N2≥1个第二段。第一段中的每个电连接至其他第一段中的每个以及第二段中的每个，并且第二段中的每个具有比第一段中的每个的电阻率高的电阻率。

公开(公告)号：CN104465537B

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201410469490.X

申请日：2014-09-15

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H-J·舒尔策 ,  M·普法芬莱纳 ,  M·施密特

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/3221 ,  H01L21/31 ,  H01L21/31155 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/32 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7801 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明描述一种半导体元件和用于制造半导体元件的方法。该半导体元件包括：半导体主体(100)，其具有内部区域(110)和边缘区域(120)；钝化层(20)，其至少设置在半导体主体(100)的与所述边缘区域邻接的表面(101)上，该钝化层具有半导体氧化物并且具有带有晶体缺陷的缺陷区域，所述晶体缺陷用作用于杂质的吸气中心。

公开(公告)号：CN104465766B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201410469610.6

申请日：2014-09-15

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H-J·舒尔策

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L21/22 ,  H01L23/34 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7803 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件包括半导体衬底。半导体衬底包括被布置在半导体衬底的主表面处的第一掺杂区域、被布置在半导体衬底的后侧表面处的发射极层、通过半导体衬底的第二掺杂区域与第一掺杂区域分离的至少一个第一传导类型区以及至少一个温度稳定电阻区。第一掺杂区域具有第一传导类型并且发射极层至少主要具有第二传导类型。第二掺杂区域具有第二传导类型并且至少一个第一传导类型区具有第一传导类型。至少一个温度稳定电阻区被定位在第二掺杂区域内并且邻近至少一个第一传导类型区。进一步地，至少一个温度稳定电阻区具有比被定位成邻近至少一个温度稳定电阻区的第二掺杂区域的至少一部分在半导体器件的操作温度的范围区间更低的电阻变化。

公开(公告)号：CN104465734B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201410465273.3

申请日：2014-09-12

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·G·拉文 ,  A·菲利波 ,  H-J·舒尔策 ,  C·耶格 ,  R·巴布斯克 ,  A·维莱

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66348 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。IGBT包括在两个单元沟槽结构之间从半导体部分的第一表面延伸至该半导体部分的层部分的台面部分。电连接至发射极电极的源区形成于该台面部分中。通过互补导电类型的体区与该源区分开的掺杂区，包括具有第一平均净杂质浓度的第一部分以及具有第二平均净杂质浓度的第二部分，该第二平均净杂质浓度超过至少10倍的第一平均净杂质浓度。在台面部分中，第一部分从体区延伸至层部分。掺杂区的第二部分虚拟地缩小了该IGBT在正常导通状态下的台面部分。

公开(公告)号：CN106328712A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201610516124.4

申请日：2016-07-01

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： E·法尔克 ,  H-J·舒尔策 ,  A·施韦格曼

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: 提供了一种功率半导体器件边缘结构，尤其是具有第一负载端子(11)、第二负载端子(12)和半导体主体(10)的半导体器件(1)。半导体主体结终止区域(14)，有源区域(13)被配置为传导第一负载端子(11)与第二负载端子(12)之间的负载电流。半导体主体(10)包括：漂移层(101)；主体区(16)；保护区(17)；场停止区(18-1)；和低掺杂区(18-2)，其中，主体区(16)、保护区(17)、场停止区(18-1)和低掺杂区(18-2)被布置在半导体主体(10)内，以使得它们沿着垂直延伸方向(Z)呈现至少1μm的共同深度范围(DR)。(10)包括有源区域(13)和包围有源区域(13)的

公开(公告)号：CN106024871A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610180420.1

申请日：2016-03-25

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： C·耶格 ,  R·巴布斯克 ,  F·J·涅德诺斯塞德 ,  H-J·舒尔策 ,  A·维莱

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/417 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L21/0465 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66333

Abstract: 公开了具有两种类型的发射极区的发射极的双极型晶体管器件。双极型半导体器件包括具有第一表面的半导体本体以及在半导体本体中的第一发射极区和第一掺杂类型的基极区，第一发射极区邻接第一表面，且包括与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的多个第一类型发射极区、第二掺杂类型的多个第二类型发射极区、第一掺杂类型的多个第三类型发射极区和包括复合中心的复合区，第一类型发射极区和第二类型发射极区从第一表面延伸进入半导体本体，第一类型发射极区比第二类型发射极区具有更高的掺杂浓度且从第一表面更深地延伸进入半导体本体，第三类型发射极区邻接第一类型发射极区和第二类型发射极区，复合区至少位于第一类型发射极区和第三类型发射极区中。

公开(公告)号：CN106024855A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610188505.4

申请日：2016-03-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H-J·舒尔策 ,  H·奥弗纳

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/223

CPC classification number: H01L29/36 ,  C30B29/06 ,  C30B31/06 ,  C30B33/00 ,  C30B33/005 ,  H01L21/02005 ,  H01L29/0684 ,  H01L21/223

Abstract: 公开了半导体晶片和制造方法。半导体晶片包括：第一主表面和第二主表面，沿着竖直方向彼此相反；以及侧表面，环绕半导体晶片。在侧表面和半导体晶片的中心之间的垂直于竖直方向的横向距离包括第一部分和第二部分。第一部分从侧表面延伸到第二部分，并且第二部分从第一部分延伸到中心。第一部分中的氮和氧中的至少之一的平均浓度大于5x 1014cm‑3并且超过第二部分中的氮和氧中的至少之一的平均浓度(第二部分中的氮和氧中的至少之一的平均浓度的)多于20％。

公开(公告)号：CN105742156A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201511010410.5

申请日：2015-12-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H-J·舒尔策 ,  P·伊尔斯格勒 ,  G·鲁尔

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L51/0048 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B31/0226 ,  C01B31/0461 ,  C01B32/184 ,  C01B32/188 ,  H01L21/02373 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02612 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7781 ,  H01L51/0002 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/003 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/057 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/932

Abstract: 各种实施例涉及形成石墨烯结构的方法。在各种实施例中，提供了形成石墨烯结构的方法。该方法可以包括形成包括至少一个突出部的本体，以及在至少一个突出部的外周表面处形成石墨烯层。