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公开(公告)号：CN111276783A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010174683.8
申请日：2020-03-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P5/08
Abstract: 本发明公开了一种全向传输的人工磁局域表面等离激元平移旋转耦合结构，全向传输的人工磁局域表面等离激元平移旋转耦合结构包括介质基板和开槽螺旋双臂结构，所述开槽螺旋双臂结构的数量至少为两个，两个所述开槽螺旋双臂结构位于所述介质基板上，所述开槽螺旋双臂结构包括两个螺旋臂，两个所述螺旋臂交错螺旋设置，两个所述螺旋臂的一端重合，至少两个所述开槽螺旋双臂结构的中心点连线与所述介质基板表面水平线具有夹角。沿特定路径实现全向传输，利用人工局域表面等离激元磁模式的角向均匀特性实现大角度弯曲传输。
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公开(公告)号：CN110568553A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910960224.X
申请日：2019-10-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于谐振腔耦合金属波导结构全光等离子体开关，包括附着在绝缘介质上的金属层，以及镂空嵌设在金属层中的传输波导、谐振腔和共振波导；所述传输波导位于金属层的中部；该传输波导呈直条状，其两端分别延伸至金属层两对边的边缘；所述谐振腔位于传输波导的一侧；该谐振腔呈矩形；所述共振波导位于传输波导和谐振腔之间；该共振波导呈直条状，其一端与传输波导相连通，另一端与谐振腔相连通。当谐振腔为一个时，该结构呈现单端口开关或带阻滤波器特性，当谐振腔为两个以上时，该结构呈现双端口开关或多端口开关特性。本发明可获得较好的光学开关特性，并为未来的全光集成电路中的滤波器和光开关等领域都有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110098120A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910342453.5
申请日：2019-04-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/308 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及纳米结构技术领域，尤其涉及一种大面积转移制备纳米结构的方法，以Al作为基底，采用两次阳极氧化法制备单通AAO多孔纳米结构模板，并对单通AAO多孔纳米结构模板进行两次旋涂，再采用排水法和干法刻蚀制备工艺制备得到双通AAO纳米多孔薄膜，最后在目标基片表面获得纳米结构。本发明是一种大面积转移制备纳米结构的方法，能够实现将超薄AAO阵列纳米结构大面积转移至目标基片，并高精度、低成本、无损伤高均匀性地在目标基片制备出与AAO具有相同特征尺寸的高规整度纳米结构。
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公开(公告)号：CN107884874B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201711174343.X
申请日：2017-11-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种等离子激元谐振波分复用器，由金属薄膜，以及呈镂空状开设在金属薄膜上的1条入射波导、2条以上的出射波导和2条以上的谐振腔组成。出射波导和谐振腔的数量相同，1个出射波导对应1个谐振腔。通过在入射波导的两侧和/或后端设置谐振腔，并在谐振腔的另一侧设置出射波导来构成复用器，并通过在每个谐振腔内部加入一个金属膜块，使得谐振腔内可以形成一个F‑P腔，使得表面等离激元SPP与谐振腔实现共振耦合；这样利用表面等离激元SPP与谐振腔的共振耦合作用，可以通过调节谐振腔中金属薄膜的尺寸，实现等离激元多路信号分离和各通道波长调节；同时可以通过改变耦合间距，体现特定的耦合效果。
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公开(公告)号：CN109941961A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910232023.8
申请日：2019-03-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及功能性薄膜技术领域，尤其涉及一种具有微纳米结构的多功能薄膜制备方法，包括以下步骤：制备滚筒压印模板；对滚筒压印模板进行防粘处理；采用滚筒压印模板对聚合物薄膜进行压印，干燥后得到具有微纳米结构的多功能薄膜。本发明的一种具有微纳米结构的多功能薄膜制备方法，简单、高效、成本较低，能够大面积地制备多功能薄膜，且制备得到的多功能薄膜具有较好的疏水自清洁性、增透性和广角性能，适合推广使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109509954A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201910006730.5
申请日：2019-01-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P3/00
Abstract: 本发明涉及一种基于费马旋臂结构的人工表面等离激元波导，解决的是电模式表面等离激元波导各方向强度分布不均匀的技术问题，通过采用包括介质基板，以及设置在介质基板单面或对称面的金属费马旋臂结构，可以将表面等离激元束缚在金属费马旋臂结构单元周围，实现人工表面磁等离激元的高效传输。所述金属费马旋臂结构的厚度小于10-4倍工作波长的技术方案，较好的解决了该问题，并应用于等离激元波导中。
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公开(公告)号：CN106299564B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201610963317.4
申请日：2016-10-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/208
Abstract: 本发明公开一种基于微腔耦合结构的等离子体弯曲波导滤波器，包括金属薄膜、以及开设在金属薄膜上的弯曲波导和谐振腔。弯曲波导由入射波导、中间波导和出射波导组成。谐振腔位于中间波导的其中一侧和/或两侧。本发明将直波导变成两个直角组成的弯曲波导，这样中间的中间波导可以形成一个F‑P腔；并且在中间的中间波导的两侧增加两个矩形谐振腔，利用表面等离激元SPP与谐振腔的共振耦合作用，通过调节谐振腔的长度，实现等离激元滤波功能；此外，还可以通过调节谐振腔与波导的间距、谐振腔的长度以及谐振腔的个数，来实现滤波和电磁感应透明效应，并能体现一种特殊的耦合效果。
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公开(公告)号：CN108306622A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810384680.X
申请日：2018-04-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提出S波段宽带MMIC低噪声放大器,包括两级放大器：第一级场效应晶体管放大器、第一级栅极偏置网络、第一级漏极偏置网络、与第一级场效应晶体管放大器串联的第一传输线网、第二级场效应晶体管放大器、第二级栅极偏置网络和第二级漏极偏置网络；三级匹配网络：输入级匹配网络、级间匹配网络以及输出级匹配网络。本发明在第二级场效应晶体管源漏级并联负反馈网络，反馈网络的反馈电阻调节了放大器的增益，反馈网络的电容同时调节了信号的幅度和相位，还起到了直流隔离的作用。使得在较宽的频带内保持良好的增益平坦度，显著提高了低噪声放大器的线性度，降低了噪声系数。
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公开(公告)号：CN107833923A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711034834.4
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林斯壮微电子有限责任公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/20 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7831 , H01L29/20 , H01L29/401 , H01L29/42356 , H01L29/66446 , H01L29/66484
Abstract: 本发明公开了一种能够提高栅控能力以及减小短沟道效应的硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件及其制备方法。所述硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件包括单晶硅衬底、介质键合层、隔离层、背栅电极、背栅介质层、背栅界面控制层、InGaAs沟道层、上界面控制层、III-V族半导体源漏层、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极；该制备方法包括步骤，首先在单晶硅衬底上设置第一键合片；然后在III-V族半导体外延衬底上依次沉积背栅介质层的材料层、背栅电极的材料层、在隔离层、第二键合片；将第一键合片和所述第二键合片键合在一起，形成介质键合层；然后再成形、源漏金属层、顶栅介质层、顶栅电极。采用该硅基InGaAs沟道双栅MOSFET器件及其制备方法能够提高MOSFET器件的栅控能力，满足高性能III-V族CMOS技术要求。
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公开(公告)号：CN107742606A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201711030930.1
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/2007
Abstract: 本发明公开了一种键合晶圆的结构及其制备方法，主要解决现有技术键合强度低以及键合的空隙率高的技术问题。该键合晶圆的结构及其制备方法通过将需要键合的两块晶圆进行清洗、蒸发沉积金属Al，在任一晶圆表面旋涂光刻胶、软烘烤、UV曝光、光刻胶显影，刻蚀形成等间距通道、在氧环境下低温键合以及低温退火键合得到晶圆键合结构，该晶圆键合结构包括上下两层晶圆层，以及在该两层晶圆层之间氧化与键合同时进行，使得键合后的表面具有三氧化二铝和气体混合的气体通道的技术方案，该键合晶圆的结构及其制备方法，实现了晶圆之间空隙小、键合强度高，以及基于SOI结构制造的器件散热性好；能够用于晶圆的低温键合。
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