公开(公告)号：CN1111814A

公开(公告)日：1995-11-15

申请号：CN94117935.4

申请日：1994-09-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  大沼英人 ,  山口直明 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618

Abstract: 在薄膜晶体管的栅电极上形成掩模，以较低电压在栅电极两侧形成多孔阳极氧化膜。以较高电压在栅电极和多孔阳极氧化层之间和栅电极上面形成阻挡阳极氧化层，并用它作为掩模腐蚀栅绝缘膜。腐蚀阻挡阳极氧化层后，选择地腐蚀多孔阳极氧化层，以获得其上有栅绝缘膜的有源层区和其上无栅绝缘膜的其它有源层区。至少把氧、氮、碳中的一种元素掺入到浓度比其它有源层区的高的有源层区或P型杂质掺入到有源层中。

公开(公告)号：CN1098818A

公开(公告)日：1995-02-15

申请号：CN94104092.5

申请日：1994-03-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  竹村保彦 ,  大沼英人 ,  须泽英臣 ,  鱼地秀贵

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/784 ,  H01L27/02 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1259

Abstract: 一种薄膜晶体管及其制造方法，包括：以掺杂用掩模和栅电极为掩模，以自对准方法，把杂质掺入其表面有绝缘涂层的半导体区，在用掺杂用掩模腐蚀表面绝缘层后，以强光照射所得表面。把碳氮氧组中的至少一种元素注入岛状半导体区的边缘，其浓度高于半导体区的平均浓度，以增大电阻并减少源漏间的漏电流。其中，控制薄膜半导体区的边缘部分使其成为本征的，或与沟道形成区导电类型相同，防止这部分中栅绝缘膜击穿。

公开(公告)号：CN105185817B

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201510670490.0

申请日：2006-10-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 桑原秀明 ,  大沼英人

IPC: H01L27/32

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L27/3241 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L33/36 ,  H01L51/0011 ,  H01L51/52 ,  H01L2251/5338

Abstract: 本发明揭示一种发光装置及其制造方法，其目的在于解决如下问题：由于随着高细致化而带来的像素区域的微细化、随着大面积化而带来的衬底的大型化，由于蒸发沉积时所使用的掩模的精度和挠曲等的原因而产生不良。本发明的技术要点如下：通过使用设置有由衍射光栅图形或半透膜构成的具有光强度降低功能的辅助图案的光掩模或中间掩模，在显示区域的像素电极(也被称为第一电极)上、以及像素电极层周边，形成具有膜厚不同的部分的隔离壁，而不增加工序。

公开(公告)号：CN101752294B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN200910262141.X

申请日：2009-12-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  桃纯平 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明涉及SOI衬底的制造方法以及半导体装置的制造方法。本发明的目的在于提供一种减少SOI衬底的单晶半导体层中的氧浓度的方法。通过使单晶半导体层成为熔化状态，来促进氧的外方扩散。具体来说，形成具有支撑衬底、设置在所述支撑衬底上的含有氧的接合层、以及设置在所述含有氧的接合层上的单晶半导体层的SOI结构；在将所述支撑衬底加热到500℃以上且低于所述支撑衬底的熔点的温度的状态下，通过照射激光束使所述单晶半导体层部分熔化，由此制造SOI衬底。

公开(公告)号：CN101562153B

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN200910132820.5

申请日：2009-04-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  野村典嗣

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/78 ,  H01L21/20 ,  H01L21/50 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1233 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明名称为半导体装置及半导体装置的制造方法。中间夹着绝缘层贴合具有脆弱层的单晶半导体衬底和基础衬底，通过热处理以脆弱层为界线分离单晶半导体衬底，并在基础衬底上固定单晶半导体层，对单晶半导体层照射激光束，使单晶半导体层处于部分熔化状态来进行再单晶化，而修复结晶缺陷。并且，使用光掩模对成为n型晶体管的岛状单晶半导体层进行沟道掺杂，接着使用该光掩模对该成为n型晶体管的岛状单晶半导体层进行回蚀刻，来将其减薄到薄于成为p型晶体管的岛状单晶半导体层的厚度。

公开(公告)号：CN101281912B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN200810085214.8

申请日：2008-03-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  掛端哲弥 ,  饭窪阳一

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/762 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供一种SOI衬底，该SOI衬底具备有当使用玻璃衬底等耐热温度低的衬底时也可以实用的耐性的SOI层。另外，本发明还提供使用这种SOI衬底的半导体装置。当对具有绝缘表面的衬底或绝缘衬底键合单晶半导体层时，对于形成键合的面的一方或双方使用以有机硅烷为原材料来淀积的氧化硅膜。根据本结构，可以使用玻璃衬底等耐热温度为700℃以下的衬底，来获得坚固地键合的SOI层。亦即，可以在一边超过一米的大面积衬底上形成单晶半导体层。

公开(公告)号：CN102226997B

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201110161168.7

申请日：2005-05-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大沼英人 ,  纳光明 ,  安西彩 ,  乡戶宏充 ,  二村智哉

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/5262 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258

Abstract: 本发明涉及一种发光器件，包括：衬底上的薄膜晶体管；薄膜晶体管上的氢化膜，其中该氢化膜具有开口；氢化膜上的电极，该电极通过氢化膜的接触孔与薄膜晶体管的源极和漏极之一电接触；形成在所述电极和氢化膜上的层间绝缘膜，其中该层间绝缘膜覆盖氢化膜的开口；形成在层间绝缘膜上的像素电极，该像素电极通过层间绝缘膜的接触孔与所述电极电接触；覆盖像素电极的外围部分的堤，其中像素电极未被所述堤覆盖的部分与氢化膜的开口重叠；和像素电极上的发光层。

公开(公告)号：CN101471398B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200810189178.X

申请日：2008-12-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  广濑贵史

IPC: H01L31/18

Abstract: 本发明名称为光电转换装置的制造方法。在单晶硅衬底中形成脆弱层，在单晶硅衬底的表面一侧形成第一杂质硅层，在其上形成第一电极。在将支撑衬底的一表面和第一电极贴合之后，沿着脆弱层分离单晶硅衬底，以在支撑衬底上形成单晶硅层。在进行单晶硅层的结晶缺陷修复处理或结晶缺陷去除处理之后，使用至少包含硅烷类气体的原料气体，由在大气压或接近大气压的压力下产生的等离子体使原料气体活性化，来使单晶硅层外延生长。在外延生长的单晶硅层的表面一侧形成第二杂质硅层。

公开(公告)号：CN101409214B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200810166515.3

申请日：2008-10-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  饭漥阳一 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66772

Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法，该方法防止杂质进入SOI基板。激发包括从氢气、氦气、或卤素气体中选择的一种或多种气体的源气体以产生离子，并且将这些离子添加到接合基板，由此在接合基板中形成了形成了易碎层。然后，通过蚀刻、抛光等，除去接合基板的表面上和其附近的区域，即从比易碎层浅的位置到其表面这一区域。接下来，在将接合基板粘贴到底部基板之后，在易碎层处分离接合基板，由此，在底部基板上形成半导体膜。在底部基板上形成半导体膜之后，利用该半导体膜形成半导体元件。

公开(公告)号：CN101409216B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200810166535.0

申请日：2008-10-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  挂端哲弥 ,  下村明久 ,  笹川慎也 ,  仓田求

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/268 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供一种半导体衬底的制造方法，该半导体衬底具备即使是在使用玻璃衬底等耐热温度低的衬底的情况下、也可以实际使用的单晶半导体层。通过激发源气体产生等离子体，从单晶半导体衬底的一个表面添加等离子体中所包含的离子种，从而形成损伤区域；在单晶半导体衬底的一个表面上形成绝缘层；以中间夹着绝缘层的方式而将支撑衬底与单晶半导体衬底紧贴，以使其面对单晶半导体衬底；通过加热单晶半导体衬底，在损伤区域中进行分离，将它分离成贴合有单晶半导体层的支撑衬底和单晶半导体衬底；对贴合在支撑衬底上的单晶半导体层的表面进行干法刻蚀；通过对单晶半导体层照射激光束，使单晶半导体层的至少一部分熔化，从而使单晶半导体层再单晶化。