公开(公告)号：CN1741257A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510091919.7

申请日：1994-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  高山彻 ,  竹村保彦 ,  山本睦夫

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明是一种薄膜晶体管的形成方法，该方法包括以下步骤：形成一硅膜，该硅膜在衬底之上，属非晶型；给硅膜供予促进结晶化的一种催化元素；使利用了所述催化元素的硅膜退火，而将硅膜结晶；在结晶的硅膜之上形成一栅极；对结晶的硅膜供以杂质；在结晶的硅膜的多个部分上形成含催化元素的物质；以及去除物质的一部分。

公开(公告)号：CN1208807C

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：CN98118382.4

申请日：1994-06-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  宫永昭治 ,  高山彻 ,  大谷久 ,  竹村保彦 ,  竹山顺一

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/78675

Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件具有作为有源层区的结晶硅膜。结晶硅膜有平行于衬底取向的针状或柱状晶体，并且晶体生长方向为(111)轴。制备半导体器件的方法包括以下步骤，把催化剂元素添加到非晶硅膜中；在低温把含有催化剂元素的非晶硅膜加热使其成为结晶硅膜。

公开(公告)号：CN1599030A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410069654.6

申请日：1993-12-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  高山彻 ,  福永健司 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G09G2300/0408 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种制造半导体器件，例如薄膜晶体管的方法。在非晶硅膜之上或之下，选择形成岛状、线状、条状、点状或膜状的镍、铁、钴、钌、铑、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金、银及其硅化物，得到结晶硅膜，再以它们作起始点，在低于普通非晶硅的结晶温度下退火使其结晶化。通过在将变成晶体管有源区的半导体层之上选择形成覆盖膜，然后再使其热结晶化，构成具有薄膜晶体管的动态电路的同时，得到漏电小和迁移率高的晶体管。

公开(公告)号：CN1571165A

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN200410064274.3

申请日：1994-09-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小沼利光 ,  菅原彰 ,  上原由起子 ,  张宏勇 ,  铃木敦则 ,  大沼英人 ,  山口直明 ,  须泽英臣 ,  鱼地秀贵 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/12 ,  H01L27/092 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/31687 ,  H01L21/321 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66598 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，它包括至少一个第一晶体管和一个第二晶体管，所述第一和第二晶体管各自包括：结晶半导体，具有源区和漏区、源区和漏区间的沟道区、以及分别在沟道区和源区之间以及沟道区和漏区之间的一对杂质区，其中包含于该对杂质区内的一种导电类型杂质的浓度小于源区和漏区内杂质的浓度；位于沟道区上的栅绝缘膜；以及位于栅绝缘膜之上的栅电极，其中，第二晶体管中的那对杂质区至少部分地与栅电极重叠，而第一晶体管中的那对杂质区与栅电极之间没有重叠，其中，第一和第二晶体管的源区和漏区包括硅化镍。

公开(公告)号：CN1183599C

公开(公告)日：2005-01-05

申请号：CN00133102.7

申请日：1992-08-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  间濑晃 ,  广木正明 ,  竹村保彦 ,  张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  根本英树

IPC: H01L27/092 ,  G02F1/13

Abstract: 一种适用于有源矩阵式液晶显示器的绝缘栅场效应晶体管。其沟道长度，即源区与漏区的间距被做成大于栅极沿沟道纵向所占的长度。在沟道区内，源区与漏区的侧面上形成有偏移(offset)区。这些偏移区不受或受到极微弱的来自栅极的电场作用。

公开(公告)号：CN1149639C

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN98120978.5

申请日：1994-10-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大谷久 ,  宫永昭治 ,  张宏勇 ,  福永健司

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678 ,  Y10S148/016

Abstract: 一种半导体器件，包括至少一个含有结晶硅膜的有源区，在绝缘表面上形成，其特征在于，所述硅膜含促进非晶硅膜晶化过程的催化元素。

公开(公告)号：CN1149634C

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN00103833.8

申请日：1993-12-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  高山彻 ,  福永健司 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G09G2300/0408 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，例如制造薄膜晶体管的方法。在非晶硅膜之上或之下，选择形成岛状、线状、条状、点状或膜状的镍、铁、钴、钌、锗、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金、银及其硅化物，得到结晶硅膜，再以它们作起始点，在低于普通非晶硅的结晶温度下退火使其结晶化。通过在将变成晶体管有源区的半导体层之上选择形成覆盖膜，然后再使其热结晶化，构成具有薄膜晶体管的动态电路的同时，得到漏电小和迁移率高的晶体管。

公开(公告)号：CN1146056C

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN95108515.8

申请日：1995-06-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 竹村保彦 ,  滨谷敏次 ,  小沼利光 ,  小山润 ,  河崎祐司 ,  张宏勇 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/04 ,  H01L21/00 ,  G09F9/33

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/13624 ,  G02F2001/13685 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0852 ,  G09G2320/0214 ,  H01L27/124 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种减小有源矩阵显示器的截止电流的结构。在有源矩阵显示器中，多个TFT与每一个象素电极串联连接。在这些串联的TFT中，除了位于相对两端的TFT以外，至少要将一个TFT保持在导通状态。另外，至少要将一个电容器连接在串联连接的每个TFT的源极和漏极的结合部与交流接地点之间。于是，减小了在TFT截止期间从附加电容器释放的电荷量。

公开(公告)号：CN1146038C

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN94119444.2

申请日：1994-12-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大谷久 ,  宫永昭治 ,  张宏勇 ,  山口直明 ,  铃木敦则

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/322

Abstract: 在使用促进结晶化的催化剂元素，在550℃左右经4小时加热处理，获得结晶态硅方法中，严格控制催化剂元素的引入量。在已形成氧化硅底膜12的玻璃基片11上滴上添加了10～200ppm(要调节)镍等催化元素的乙酸盐溶液等水溶液13。在此状态下保持规定时间，再用旋涂机15进行甩干。而后，以等离子CVD形成非晶硅膜14，在550℃进行加热处理4小时，获得结晶态硅膜。

公开(公告)号：CN1139105C

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN99126726.5

申请日：1993-06-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  张宏勇 ,  石原浩朗

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/322

CPC classification number: G02B27/09 ,  C23C14/58 ,  C23C14/5813 ,  C23C16/56 ,  G02B27/0966 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1285

Abstract: 一种用于恢复经受结构损伤的硅之类的淀积半导体薄膜晶性的激光退火方法，所述方法包括通过用波长为400nm或更短和脉宽为50nsec或更窄的脉冲式激光束照射在薄膜的表面上激活半导体的步骤，其中，所述淀积薄膜被涂敷透明薄膜，如氧化硅之类的薄膜，其厚度为3至300nm，所采用的入射到所述涂层的激光束的能量密度为E(MJ/cm2)，并满足关系式：log10N≤-0.02(E-350)，其中N是脉冲式激光束的发射数目。