公开(公告)号：CN100377292C

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN03132892.X

申请日：2003-07-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 村上智史 ,  长尾里筑子 ,  坂仓真之 ,  仲泽美佐子 ,  宫城德子 ,  池田寿雄 ,  土屋薰 ,  石垣步 ,  高桥正弘 ,  松田宪之 ,  大原宏树

IPC: H01L21/00 ,  H05B33/10 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/5206

Abstract: 本发明的一个目的是减小或消除具有有机化合物的发光元件中出现的各种缺陷模式(收缩、黑斑等)。本发明通过使阻挡层111的上部或下部形成有曲率半径的曲面抑制在发光元件刚制造完成后就产生的不发光区，用多孔海绵清洗阳极110的表面以去除散布在阳极表面上的微粒，并在就要形成含有机化合物的层112前，通过进行真空加热以去除其上配有TFT和阻挡层的整个衬底表面上的吸收水，来抑制收缩出现。

公开(公告)号：CN101064346A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200710100927.2

申请日：2007-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/78675 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明的目的在于减少由于半导体膜的沟道形成区域的端部的特性使晶体管的特性受到的影响。本发明的半导体装置的结构为，具有在衬底上的半导体膜的沟道形成区域上中间夹栅绝缘膜而形成的栅电极，且上述半导体膜配置在比上述绝缘膜的端部内侧的区域中，并且上述沟道形成区域的侧面至少不接触于上述栅绝缘膜。换言之，本发明的半导体装置具有由上述衬底、上述沟道形成区域的侧面、上述栅绝缘膜围绕而形成的空间。注意，其结构也可以为上述沟道形成区域的侧面不接触于上述栅电极，即，也可以具有由上述衬底、上述沟道形成区域的侧面、上述栅绝缘膜、上述栅电极围绕而形成的空间。

公开(公告)号：CN101044627A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200580030578.0

申请日：2005-09-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 桧垣欣成 ,  坂仓真之 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/78669 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3248 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的目的是连接用两种不相容的膜(ITO膜和铝膜)构成的引线、电极等，同时不增大该引线的横截面面积，并且即使屏幕尺寸变得更大也能够实现低功耗。本发明提供了一种包括上层和下层的双层结构，下层宽度大于上层宽度。第一导电层是用Ti和Mo构成的，第二导电层是用铝(纯净的铝)构成的，第二导电层具有低电阻且位于第一导电层上。从上层的端部突出来的那部分下层与ITO接合。

公开(公告)号：CN1779984A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510108747.X

申请日：2005-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/32 ,  H01L27/15 ,  H01L21/82 ,  H05B33/12 ,  H05B33/04 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L29/78636 ,  G09G3/3225 ,  G09G3/3233 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2310/0251 ,  G09G2310/0262 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78654 ,  H01L33/0041 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明将提供发光元件下部产生的凹凸对发光元件无坏影响的显示器件的制造方法作为课题。或者将提供能减小水通过透潮性大的膜渗入显示器件内部而工序数不大量增加的显示器件的制造方法作为课题。或者将提供可同时满足该两个课题要求的显示器件及其制造方法作为课题。能解决所述课题的本发明显示器件在衬底上形成的绝缘表面上具有薄膜晶体管和发光元件，发光元件将发光叠层体夹在第1电极与第2电极之间，在薄膜晶体管上形成的第1绝缘膜上形成第1电极，并且在第1电极和绝缘膜之间与第1电极对应地形成第1平坦化膜。

公开(公告)号：CN1655370A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN200410082283.5

申请日：2004-08-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 土屋薰 ,  安西彩 ,  坂仓真之 ,  永井雅晴 ,  松田丰

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15 ,  H05B33/12 ,  H05B33/04

CPC classification number: H01L33/52 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/5246 ,  H01L2251/5323 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的就是提供这样一种密封结构，其阻止了作为破坏因素的材料例如水或者氧气从外部进入，并且在显示器中使用有机或无机场致发光元件的显示器中可以获得足够的可靠性。鉴于上述目的，关注层间绝缘膜的渗透性，根据本发明，通过阻止水从层间绝缘膜的进入，抑制了场致发光元件的损坏并且获得了足够的可靠性。

公开(公告)号：CN1599056A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410078765.3

申请日：2004-09-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂仓真之 ,  永井雅晴 ,  松田丰 ,  斋藤惠子 ,  池田寿雄

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/15 ,  H05B33/10 ,  H05B33/28 ,  H05B33/00 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3246 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5262 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/5323

Abstract: 本发明的目的是提供一种发光效率(取出光的效率)高、亮度高、功耗低、并且稳定性高的发光器件以及这种发光器件的制造方法。在本发明中，分割墙和耐热性平整膜使用相同的材料，这样可以提高密接性，同时，可以减少制造成本。在耐热性平整膜上连接形成阳极或阴极。此外，密接分割墙和耐热性平整膜而不在其间夹具有不同折射率的膜，以形成不在界面产生光反射的结构。

公开(公告)号：CN1578546A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410069424.X

申请日：2004-06-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  乡户宏充 ,  土屋薰

IPC: H05B33/04 ,  H05B33/12 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5246 ,  H01L23/564 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L33/44 ,  H01L51/5237 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/5323 ,  H05B33/04 ,  H05B33/14 ,  Y10T428/24777

Abstract: 本发明的目的是提供一种可靠性高的显示器件及其制作方法，该显示器件的结构能够阻断从密封区域侵入的导致显示器件特性产生退化的水分或氧。本发明的显示器件及其制作方法的特征是：显示器件包括的显示部分是将在一对衬底之间使用有机发光材料的EL元件排列而形成的；其中，所述显示部分形成在绝缘层上，该绝缘层形成在其中一方的衬底上；所述一对衬底借助包围所述显示部分外围且形成于所述绝缘层上的密封材料被键合(bonding)；所述绝缘层中的至少一层由有机树脂材料形成；所述显示部分的外围包括第一区域和第二区域；所述第一区域的所述绝缘层具有被保护膜覆盖的开口部分，并且所述密封材料和所述开口部分及保护膜连接而形成；所述第二区域的所述绝缘层的外边缘部分被保护膜或密封材料覆盖。

公开(公告)号：CN1419297A

公开(公告)日：2003-05-21

申请号：CN02157581.9

申请日：2002-11-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  村上智史 ,  坂仓真之 ,  高山彻

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L51/20 ,  H05B33/00 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/3244 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3246 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627 ,  H01L51/5234 ,  H01L51/5253 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/566

Abstract: 本发明提高包含TFT和有机发光元件的发光设备的可靠性。该发光设备具有薄膜晶体管和发光元件，包括：半导体下表面上的第一无机绝缘层，栅电极上表面上的第二无机绝缘层，第二无机绝缘层上的第一有机绝缘层，第一有机绝缘层上的第三无机绝缘层，第三无机绝缘层上遍布的布线层，第二有机绝缘层和布线层的末端重叠且具有35－45度的倾斜角，形成在第二有机绝缘层的上表面和侧表面上且在布线层上有开口的第四无机绝缘层，与布线层接触形成且具有与第四无机绝缘层相重叠的侧端，与阴极层和第四无机绝缘层接触形成且包含发光材料的有机化合物层，和包含发光材料的有机化合物层接触形成的阳极层，第三和第四无机绝缘层用氮化硅或氮化铝形成。

公开(公告)号：CN107046040B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN201710063863.7

申请日：2017-02-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 松田慎平 ,  坂仓真之 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明涉及半导体装置及电子设备。本发明提供一种能够长期间保持数据的半导体装置。该半导体装置包括存储电路及保持电路，其中存储电路包括第一晶体管，保持电路包括第二晶体管。存储电路具有使第一晶体管处于开启状态来写入数据的功能以及使第一晶体管处于关闭状态来保持数据的功能。保持电路具有使第二晶体管处于开启状态来对第一晶体管的背栅极供应使第一晶体管处于关闭状态的第一电位的功能以及使第二晶体管处于关闭状态来保持第一电位的功能。作为第一晶体管和第二晶体管使用电特性不同的晶体管。

公开(公告)号：CN104538355B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201510004825.5

申请日：2010-08-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  津吹将志 ,  秋元健吾 ,  细羽幸 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/477 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02664 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法，其包括以下步骤：在绝缘层之上形成氧化物半导体层；对所述氧化物半导体层进行脱水化或脱氢化；在所述氧化物半导体层之上形成源电极层和漏电极层；形成与所述氧化物半导体层的一部分接触且在所述氧化物半导体层、所述源电极层和所述漏电极层之上的氧化物绝缘层；以及通过加热所述氧化物绝缘层来在所述氧化物半导体层中形成i型区。其中，所述i型区至少形成在第一n型区和第二n型区之间，所述第一n型区与所述源电极层接触，以及所述第二n型区与所述漏电极层接触。