公开(公告)号：CN107667435A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201680028567.7

申请日：2016-02-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田真臣 ,  东贤一 ,  神川刚 ,  酒井敏彦 ,  国吉督章 ,  辻埜和也 ,  邹柳民

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/075

Abstract: 光电转换装置(1)具备以与半导体基板(101)的一个面相接的方式形成的i型非晶质半导体层(102i)、分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上的p型非晶质半导体层(102p)与分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上，且于半导体基板(101)的面内方向邻接于p型非晶质半导体层(102p)而形成的n型非晶质半导体层(102n)。进而，光电转换装置(1)具备电极(103)作为保护层，所述保护层是以在邻接的p型非晶质半导体层(102p)之间及邻接的n型非晶质半导体层(102n)之间与i型非晶质半导体层(102i)相接的方式形成。

公开(公告)号：CN107532289A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680022950.1

申请日：2016-02-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 酒井敏彦 ,  神川刚 ,  原田真臣 ,  国吉督章 ,  邹柳民

IPC: C23C14/50 ,  C23C14/04 ,  C23C16/04 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

Abstract: 在基板形成薄膜的成膜方法，具有紧贴工序、外力去除工序及成膜工序。紧贴工序(工序B)将紧贴用部件(31)以接触于基板(30)的一面的方式重叠，在向基板(30)与紧贴用部件(31)重合的方向施加外力的状态下，将基板(30)与紧贴用部件(31)置于真空下。外力去除工序(工序C)在大气压下或真空下将外力去除。成膜工序(工序E)在基板(30)的一面或另一面上形成薄膜。

公开(公告)号：CN105679846B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201510856132.9

申请日：2015-11-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田真臣 ,  神川刚 ,  酒井敏彦 ,  国吉督章 ,  邹柳民

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/03529 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/20 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，即使减小n型半导体层上的电极与p型半导体层上的电极的间隔，pn结也不易短路。光电转换装置具备在半导体基板(101)的背面形成的n型非晶态半导体层(102n)和p型非晶态半导体层(102p)。另外，在n型非晶态半导体层(102n)和p型非晶态半导体层(102p)中的至少一个半导体层上，形成相间隔地配置的多个电极(103)。在多个电极(103)的表面形成导电部(302)，通过导电部(302)将多个电极(103)电连接。

公开(公告)号：CN104247053B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201380012484.5

申请日：2013-03-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 神川刚 ,  加藤正明 ,  花本哲也

IPC: H01L33/10

CPC classification number: H01L33/58 ,  H01L21/268 ,  H01L21/78 ,  H01L33/005 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/42 ,  H01L33/64 ,  H01L33/641 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 半导体发光元件(100)具有：透明基板具有透光性；多层结构体(150)，其形成在所述透明基板(110)上。多层结构体(150)包含由n型层(120)、MQW发光层(130)及p型层(140)构成的半导体多层膜。透明基板(110)包括光散射结构(200)，所述散射结构(200)形成在该透明基板(110)中，用于使入射到基板中的光散射。(110)，其对该半导体发光元件(100)所发出的光

公开(公告)号：CN106062973A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580012504.8

申请日：2015-04-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田真臣 ,  酒井敏彦 ,  菅沼利人 ,  辻埜和也 ,  国吉督章 ,  神川刚

IPC: H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/075 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供一种光电转换装置，能够抑制p层或者n层的掺杂物向相邻的层扩散。光电转换装置(1)具备硅基板(10)、形成于硅基板(10)的一个面并且实质上是本征的本征非晶质层(11)以及形成于本征非晶质层(11)上的第1导电类型非晶质层(12)。第1导电类型非晶质层(12)包括第1浓度层(121)和层叠于第1浓度层(121)的第2浓度层(122)。第2浓度层(122)的掺杂物浓度是8×1017cm‑3以上且低于第1浓度层的掺杂物浓度。

公开(公告)号：CN103918093A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201380003789.X

申请日：2013-05-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 神川刚

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L33/502 ,  H01L24/29 ,  H01L33/483 ,  H01L33/507 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L33/641 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体发光装置(50)，其包含：包含透明基板(110)的半导体发光元件(100)；搭载有半导体发光元件(100)的反射基板(60)；具有透光性的粘接层(70)，其包含荧光体(72)，且将半导体发光元件(100)固定在反射基板(60)上；密封部件(80)，其包含荧光体(82)，且密封半导体发光元件(100)。在该半导体发光装置(50)中，粘接层(70)具有密封部件(80)所包含的荧光体(82)的平均粒径以下的厚度。

公开(公告)号：CN103907211A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201280053485.X

申请日：2012-09-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 神川刚

IPC: H01L33/60 ,  F21S2/00 ,  F21V29/00 ,  H01L33/64 ,  F21Y101/02

CPC classification number: F21V13/08 ,  F21K9/90 ,  F21V7/0066 ,  F21V7/22 ,  F21Y2115/10 ,  H01L24/45 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0091 ,  Y10T29/4913 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种发光装置、照明装置以及发光装置的制造方法。该发光装置(50)具有：发光元件(60)；具有搭载发光元件(60)的搭载面(70a)及位于与搭载面(70a)相反一侧且不搭载发光元件(60)的面即非搭载面(70b)的陶瓷基板(70)；形成于非搭载面(70b)上的金属反射膜(90)。该金属反射膜(90)对透过陶瓷基板(70)的、来自发光元件(60)的光进行反射。

公开(公告)号：CN101499618B

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN200910007988.3

申请日：2007-03-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 神川刚 ,  川口佳伸

IPC: H01S5/028

Abstract: 本发明提供包含在发光部分形成的，并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体的涂膜的氮化物半导体发光器件；和制备所述氮化物半导体发光器件的方法。本发明还提供包含氮化物半导体层和栅极绝缘膜的氮化物半导体晶体管器件，所述栅极绝缘膜与所述氮化物半导体层接触并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体。

公开(公告)号：CN1755957B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200510071664.8

申请日：2005-02-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高仓辉芳 ,  神川刚 ,  金子佳加

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/30612 ,  H01L33/007 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/305 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供了一种制作氮化物半导体发光器件的方法，该半导体发光器件包括在其顶面上形成有延伸成条形的槽和脊的氮化物半导体衬底，以及在氮化物半导体衬底上形成的由多个氮化物半导体层构成的氮化物半导体生长层。该方法包括一个步骤，即通过在氮化物半导体衬底上形成氮化物半导体生长层，至少在槽和脊之一上形成一个大于或等于10μm宽的平坦区，使得在槽上形成的氮化物半导体生长层的高度小于在脊上形成的氮化物半导体生长层的高度。

公开(公告)号：CN101645481B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200910140670.2

申请日：2005-02-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高仓辉芳 ,  神川刚 ,  金子佳加

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/223 ,  H01S5/343 ,  H01L21/205

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/30612 ,  H01L33/007 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/305 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供了一种制作氮化物半导体发光器件的方法，该半导体发光器件包括在其顶面上形成有延伸成条形的槽和脊的氮化物半导体衬底，以及在氮化物半导体衬底上形成的由多个氮化物半导体层构成的氮化物半导体生长层。该方法包括一个步骤，即通过在氮化物半导体衬底上形成氮化物半导体生长层，至少在槽和脊之一上形成一个大于或等于10μm宽的平坦区，使得在槽上形成的氮化物半导体生长层的高度小于在脊上形成的氮化物半导体生长层的高度。