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公开(公告)号：CN2708505Y
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN200420059243.4
申请日：2004-05-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/52 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/528 , H01L23/5226 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种内连线错误的改善图案。此内连线错误的改善图案应用于金属层/介电层/金属层的结构，在其中一金属层的其他区域加上辅助图案，利用这些辅助物所造成的热应力梯度来集中金属层中的空缺，从而克服了现有技术的缺陷，可有效防止用以连接两金属层的中介插塞底部产生孔洞。
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公开(公告)号：CN222529525U
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202421263789.5
申请日：2024-06-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本实用新型实施例涉及一种半导体结构，其包含光学裸片、第一边缘耦合器，以及反射层。所述光学裸片具有顶面及边缘。所述第一边缘耦合器放置于所述光学裸片中且邻近于所述光学裸片的所述边缘。所述反射层放置于所述光学裸片中且邻近于所述光学裸片的所述边缘。所述反射层放置于所述第一边缘耦合器上方且与所述第一边缘耦合器分离。
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公开(公告)号：CN220553016U
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202321288481.1
申请日：2023-05-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 本实用新型的实施例提供一种光耦合器及光子集成电路，光耦合器包含：多个波导核心层，其：彼此垂直叠置；彼此垂直间隔开；及从所述光耦合器的光接收端纵向延伸穿过所述光耦合器到所述光耦合器的光输出端，其中所述多个波导核心层中的每一者包含从所述光耦合器的所述光接收端沿着所述光耦合器的长度延伸的多个相异波导路径；及包层，其由围绕所述多个波导核心层中的每一者的包层材料形成。在所述多个波导核心层的外部波导核心层内传播的光是经由所述多个波导核心层中的相邻者之间的渐逝耦合引导朝向所述多个波导核心层的内部波导核心层。
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公开(公告)号：CN219871849U
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202321014348.7
申请日：2023-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/124
Abstract: 本实用新型实施例公开一种垂直光栅耦合器。所述光栅耦合器包含具有第一光栅的第一波导、具有第二光栅的第二波导及定位于所述第一波导与所述第二波导之间的电介质层。所述第一光栅包含由多个第一光栅间隙分离的多个第一光栅脊，且所述第二光栅包含由多个第二光栅间隙分离的多个第二光栅脊。所述第一光栅、所述第二光栅及所述电介质层位于所述第一波导与所述第二波导之间的垂直重叠区域中。所述第一光栅及所述第二光栅具有不同光栅周期，且所述多个第一光栅间隙及第二光栅间隙中的每一者填充有所述电介质层。
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公开(公告)号：CN222319166U
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202420725753.8
申请日：2024-04-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种光学模块。波导，包括肋且还包括分别位于所述肋的相对侧的第一凸起和第二凸起。此外，波导由第一半导体部分形成。光侦测器位于波导中并包括肋中的PN结。PN结的P型区延伸至第一凸起，PN结的N型区延伸至第二凸起。此外，第一凸起和第二凸起容置重掺杂P型和N型接触件区。半导体区位在PN结上。半导体区包括不同于第一半导体部分的第二半导体部分。本实用新型可以第二半导体部分可以具有比第一半导体部分更小的带隙以提高量子效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN222259753U
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202420788492.4
申请日：2024-04-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本实用新型实施例的各种实施例提供光学装置偏振旋转器和模态转换器。本实用新型实施例的光学装置包括偏振旋转器和模态转换器。偏振旋转器包括具有第一端和第二端的直波导段、从第二端延续的第一加宽波导段、从第一加宽波导段延续的第一渐缩波导段、设置在第一加宽波导段上方的第二加宽波导段以及从第二加宽波导段延续的第二渐缩波导段。模态转换器包括从第二渐缩波导段延续的第三渐缩波导段以及设置在第三渐缩波导段上方的第三加宽波导段。偏振旋转器的输出端耦合到模态转换器的输入端。
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公开(公告)号：CN220553009U
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202321123456.8
申请日：2023-05-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本实用新型实施例公开一种光子偏振分束器。所述分束器包括第一波导、位于所述第一波导上方的第二波导及所述第一波导与所述第二波导之间的双折射耦合器。所述双折射耦合器具有大于所述第一波导的折射率的TM模式的有效折射率及小于所述第一波导的所述折射率的TE模式的有效折射率。所述第二波导包括多个向外渐缩腿及下游连接到主体的相邻腿之间的间隙。所述垂直分束器使用较小表面积。
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公开(公告)号：CN2731710Y
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200420077232.9
申请日：2004-08-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/485
CPC classification number: H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/05093 , H01L2224/13099 , H01L2224/45124 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2224/48
Abstract: 本实用新型是提供一种覆晶封装的焊垫。其中该焊垫适用于集成电路芯片且设置于集成电路芯片的边角或全部表面。在此，该焊垫具有多个沟槽于其上，且该沟槽的延伸方向大抵正交于芯片中心的放射方向。
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公开(公告)号：CN222580281U
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202421291766.5
申请日：2024-06-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/124
Abstract: 本实用新型实施例提供一种光学模块，包括衬底；上覆在衬底的第一光栅耦合器；以及上覆在第一光栅耦合器的第二光栅耦合器，其中第二光栅耦合器被配置为接收输入光学讯号的第一横向模式，而将输入光学讯号的第二横向模式传递到第一光栅耦合器，并且其中第一光栅耦合器被配置为接收输入光学讯号的第二横向模式。
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公开(公告)号：CN220820288U
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202321123453.4
申请日：2023-05-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/124
Abstract: 本实用新型实施例涉及一种垂直光子光栅滤波器。所述滤波器包括第一波导、第二波导及多个布拉格光栅。所述布拉格光栅形成于所述第一波导与所述第二波导之间的电介质层中，且位于所述第一波导与所述第二波导之间的垂直重叠区域中。每一布拉格光栅具有不同光栅周期。所述垂直滤波器使用较小表面积且提供改进滤波能力。
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