公开(公告)号：CN109801838A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201811235228.3

申请日：2018-10-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁明晖 ,  吴承翰 ,  张庆裕 ,  林进祥 ,  王筱姗

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/004

Abstract: 提供包含使用光刻胶材料的半导体结构的形成方法。半导体结构的形成方法包括在基底之上形成材料层以及在材料层之上形成光刻胶层。半导体结构的形成方法还包括在光刻胶层上进行曝光制程以及显影光刻胶层。并且，光刻胶层是由光刻胶材料所形成，光刻胶材料包含感光性聚合物，且感光性聚合物具有第一感光性官能基团及第一酸不稳定基团，第一感光性官能基团键合至感光性聚合物的主链，第一酸不稳定基团键合至第一感光性官能基团。

公开(公告)号：CN109782553A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811179196.X

申请日：2018-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 訾安仁 ,  郑雅如 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: G03F7/32

Abstract: 一种光刻胶显影剂，包含具有25 pKa>9.5的pKa的碱；以及螯合物。

公开(公告)号：CN109755179A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811290160.9

申请日：2018-10-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林立彦 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: H01L21/8234 ,  G03F7/004

Abstract: 提供半导体结构的形成方法，此方法包括：形成材料层于基底上；以及形成光刻胶层于材料层上；通过进行曝光制程将光刻胶层的一部分曝光。光刻胶层包含一化合物，此化合物具有碳主链，且光酸产生基团和/或抑制剂基团键合至该碳主链。此方法还包括：在光刻胶层上进行烘烤制程；以及蚀刻光刻胶层的一部分，以形成图案化光刻胶层。此方法也包括：通过使用图案化光刻胶层作为屏蔽将材料层图案化；以及移除图案化光刻胶层。

公开(公告)号：CN108957959A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201711114378.4

申请日：2017-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王筱姗 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/82

Abstract: 根据一些实施例，本发明提供一种微影图案化的方法。该方法包括：形成开口于基底上方的第一层中；及涂布接枝溶液于第一层上方并填充于开口中。接枝溶液包括接枝化合物及溶剂。接枝化合物包括接枝单元，其化学键结至连接单元，且连接单元化学键结至聚合物主链。连接单元包括烷基链段。接枝单元能附接至第一层。上述方法更包括：固化接枝溶液，使得接枝化合物附接至第一层的表面，从而形成第二层于第一层的上述表面上方。

公开(公告)号：CN108931892A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201711169387.3

申请日：2017-11-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘朕与 ,  赖韦翰 ,  林子扬 ,  翁明晖 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: G03F7/32

Abstract: 本公开实施例提供负型显影剂与对应的光刻技术，以克服分辨率、线路边缘粗糙度、与敏感度的权衡得失障碍(特别是对极紫外线技术)，可达进阶技术节点的高图案保真度。例示性的光刻方法包含形成负型光致抗蚀剂层于工件上；以极紫外线曝光负型光致抗蚀剂层；以及在负型显影剂中移除负型光致抗蚀剂层的未曝光部分，以形成图案化负型光致抗蚀剂层。负型显影剂包括logP值大于1.82的有机溶剂。有机溶剂为酯类衍生物R1COOR2。R1与R2为碳数小于或等于4的碳氢链。在一些实施方式中，R1、R2、或R1与R2两者为丙基，比如正丙基、异丙基、或2-甲基丙基。

公开(公告)号：CN103926796B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201310753797.8

申请日：2013-12-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张庆裕

IPC: G03F7/16 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/20 ,  H01L21/02109 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0276

Abstract: 用于光刻的涂层材料和方法。提供了一种方法，该方法包括提供衬底和在衬底上形成底部抗反射涂层（BARC）。该BARC包括覆在第二部分上面的第一部分，第二部分具有不同于第一部分的组成。不同的组成可以提供BARC在显影剂中的不同溶解性质。在BARC的第一部分上形成光刻胶层。然后照射光刻胶层并对光刻胶层进行显影。显影包括利用显影剂去除光刻胶层的区域和BARC的第一部分和第二部分的区域。

公开(公告)号：CN108807150A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201711248892.7

申请日：2017-12-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 訾安仁 ,  郑雅如 ,  张庆裕

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3213 ,  C08F12/08 ,  C08K3/011 ,  C08K5/0025 ,  G03F7/0042 ,  G03F7/025 ,  G03F7/027 ,  G03F7/029 ,  G03F7/033 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/094 ,  H01L21/0274

Abstract: 本公开实施例提供的材料组成与应用其的方法，包括提供基板并形成光致抗蚀剂层于基板上。在多种实施例中，光致抗蚀剂层包括具有自由基产生剂、有机核心、与有机溶剂的金属络合物。举例来说，有机核心包括至少一交联点位。在一些实施例中，对光致抗蚀剂层进行曝光工艺。在曝光工艺后，显影曝光的光致抗蚀剂层以形成图案化光致抗蚀剂层。

公开(公告)号：CN107045263A

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201611071435.0

申请日：2016-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 訾安仁 ,  张庆裕

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/34

CPC classification number: G03F7/325 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/20 ,  G03F7/38 ,  G03F7/34 ,  G03F2007/2067

Abstract: 本公开提供半导体装置的形成方法与材料。此方法包含形成光致抗蚀剂于基板上。光致抗蚀剂包含酸活性基团(ALG)连接至极性单元。此方法亦包含以射线束曝光光致抗蚀剂、烘烤光致抗蚀剂；以及对光致抗蚀剂进行显影工艺。

公开(公告)号：CN106876251A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201610785776.8

申请日：2016-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 訾安仁 ,  张庆裕 ,  王建惟

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。提供半导体基材。形成包含感光性添加剂成分的图案化层在半导体基材上。感光性添加剂成分包含金属阳离子。在金属阳离子及一或多个阴离子之间形成一或多个键。一或多个阴离子的每一者为保护基及高分子链键结成分的一者。高分子链键结成分与图案化层的高分子链键结。以辐射对半导体基材进行曝光。

公开(公告)号：CN106483776A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610088332.9

申请日：2016-02-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘朕与 ,  张庆裕

IPC: G03F7/32

Abstract: 光刻图案化的方法，所述方法包括在衬底上方形成材料层；将材料层的部分暴露于辐射；以及在显影剂中去除所述材料层的暴露部分，产生图案化的材料层。显影剂包括有机溶剂和碱性溶质，其中，以重量计，所述有机溶剂多于所述显影剂的50％。在一个实施例中，所述显影剂还包括以重量计，小于50％的所述显影剂的水。本发明实施例涉及用于光刻的新显影剂。