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公开(公告)号：CN105843274A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610182808.5
申请日：2016-03-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: G05D23/19 , G05D23/20 , H01S5/02 , H01S5/02415
Abstract: 一种基于热电致冷器的温控电路，包括：温度采集模块，用于检测待检测区的温度并输出温度信号；控制器，用于根据所述温度采集模块输入的温度信号，对所述热电致冷器进行控制；以及热电致冷器，用于制冷。以及一种采用其的量子级联激光器。本发明温控电路的温度控制精度小于等于0.1℃，配合小型风冷装置，可以代替传统水冷系统，实现量子级联激光器在室温工作状态下稳定的温度控制，大大减少冷却系统体积，同时无机械振动，有利于系统稳定工作；此外，该温控电路体积小，安装方便，使用寿命长，操作简单，无噪声，特别适合于便携式激光器系统的温度控制。
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公开(公告)号：CN103490280B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310447427.1
申请日：2013-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种可调谐分布反馈量子级联激光器阵列器件及其制备方法。所述阵列器件包括：在衬底上依次生长的下波导层、下限制层、有源区、上限制层、上波导层、梯度掺杂盖层和高掺层；阵列器件，其包含多个DFB激光器，每个DFB激光器具有脊型波导结构，且脊型波导的一侧留有引线区；脊上面的高掺层上为取样布拉格光栅结构，阵列中不同DFB激光器脊型波导上面的取样布拉格光栅具有不同的取样周期；二氧化硅层，其覆盖了整个脊型波导结构的表面区域；正面电极层，其生长在二氧化硅层的上面及高掺层取样布拉格光栅的上面；电隔离沟，其位于阵列器件中两个DFB激光器的脊型波导结构之间；背面金属电极层，其生长在衬底的下表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105244761A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510706103.4
申请日：2015-10-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种量子级联激光器相干阵列结构，包括：一衬底；一下波导层；一有源层，该有源层在横向被分成若干个不等宽度的微米条阵列，中间的微米条最宽，向两侧微米条宽度依次递减；一半绝缘InP：Fe层，该半绝缘InP：Fe层位于有源层的两侧且等宽度用来隔离微米条阵列；一上波导层。以及一种采用该相干阵列结构的量子级联激光器及其制造方法。本发明通过啁啾的有源脊宽度设计调整了微米条阵列间的增益分配，使基超模具有最低的波导损耗从而优先激射，从而改善了光束质量，同时利用半绝缘InP作为有源层的分隔区和光场的耦合区，不但实现了阵列的相干激射而且显著降低了有源区的工作温度，从而有利于提高器件的输出功率。
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公开(公告)号：CN102611003B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201210105753.X
申请日：2012-04-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种量子点级联激光器，包括下波导、量子点有源区层以及上波导，所述量子点有源区层是多周期级联的，其每个周期包括：多个量子阱/垒对，用于对其能带结构进行调整，以提供电子的量子输运通道；量子点插层，用于实现量子点参与子带激射。并且，所述量子阱/垒对的量子阱材料为InxGa1-xAs，0＜x＜1；所述量子阱/垒对的量子垒材料为InyAl1-yAs，0＜y＜1。本发明通过在量子点有源区层中适当位置引入多个量子点插层使量子点激光器的性能指标，如功率转化效率、特征温度以及阈值电流密度等将得到很大的改善。
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公开(公告)号：CN103091778A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310028764.7
申请日：2013-01-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种采用双全息曝光制备量子级联激光器掩埋双周期光栅方法，包括如下步骤：步骤1：在半导体衬底上依次外延生长下波导层、下光限制层、激光器有源区和上光限制层，获得有光限制层结构的量子级联激光器外延芯片；步骤2：对外延芯片进行清洗；步骤3：在外延芯片表面均匀涂光刻胶；步骤4：采用全息曝光的方法，对光刻胶进行相应剂量和不同台面夹角的两次曝光；步骤5：对曝光处理后的外延芯片进行显影定形，得到光刻胶光栅图形；步骤6：将外延芯片进行坚膜处理，然后利用等离子去胶机去除残留的光刻胶；步骤7：以光刻胶光栅图形为掩膜腐蚀外延芯片，将光栅图形转移至光限制层上；步骤8：利用有机溶剂清洗掉光刻胶光栅图形，制备出双周期光栅，完成制备。
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公开(公告)号：CN102611003A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210105753.X
申请日：2012-04-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种量子点级联激光器，包括下波导、量子点有源区层以及上波导，所述量子点有源区层是多周期级联的，其每个周期包括：多个量子阱/垒对，用于对其能带结构进行调整，以提供电子的量子输运通道；量子点插层，用于实现量子点参与子带激射。并且，所述量子阱/垒对的量子阱材料为InxGa1-xAs，0＜x＜1；所述量子阱/垒对的量子垒材料为InyAl1-yAs，0＜y＜1。本发明通过在量子点有源区层中适当位置引入多个量子点插层使量子点激光器的性能指标，如功率转化效率、特征温度以及阈值电流密度等将得到很大的改善。
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公开(公告)号：CN216598389U
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202122545351.9
申请日：2021-10-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/02315 , H01S5/0239 , H01S5/40 , H01S5/34
Abstract: 本实用新型提供一种激光器光源系统，包括：集成板装置，包括：铜板，设置有多个台阶，多个所述台阶整体呈阶梯状；多个激光光源，设置于多个所述台阶上，且每个所述台阶设置有一个所述激光光源；所述激光光源用于两端发射激光，分别形成第一光路与第二光路；光源反馈装置，包括：闪耀光栅，用于对接收到的所述第一光路进行色散处理，形成反馈光；其中，所述激光光源通过接收到的所述反馈光的作用，所述激光光源进行发射固定波长的激光；光反射装置，包括：转镜，用于对接收到的各所述激光光源发出的第二光路进行同轴以输出光的形式输出。
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