公开(公告)号：CN108922574A

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201810637327.8

申请日：2018-06-20

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 解晨晨 ,  李喜 ,  陈后鹏 ,  王倩 ,  雷宇 ,  蔡道林 ,  郭家树 ,  宋志棠

IPC: G11C11/56 ,  G11C11/4091

Abstract: 本发明提供一种相变存储器的高速数据读出电路及读出方法，所述数据读出电路包括：钳位电路、参考读电流产生电路、目标相变存储单元、参数匹配单元、电压_电流型全差分读电路及比较电路；其中，所述钳位电路通过所述参考读电流产生电路与所述目标相变存储单元所在位线和所述参数匹配单元所在位线连接，所述参考读电流产生电路与所述钳位电路连接，所述目标相变存储单元与所述参考读电流产生电路连接，所述参数匹配单元与所述参考读电流产生电路连接，所述电压_电流型全差分读电路与所述钳位电路连接，所述比较电路与所述电压_电流型全差分读电路连接。通过本发明解决了现有相变存储器数据读出电路的数据读取速度较慢的问题。

公开(公告)号：CN108597558A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201810368154.4

申请日：2018-04-23

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴磊 ,  陈一峰 ,  蔡道林 ,  卢瑶瑶 ,  刘源广 ,  闫帅 ,  李阳 ,  宋志棠

IPC: G11C29/56 ,  G06F17/50

Abstract: 本发明提供一种优选相变存储器写操作电流的系统及方法，该方法包括：基于写操作电流变化步长对写操作电流进行调节，使其由最小写操作电流依次增大至最大写操作电流；每次获取写操作电流后，对待操作单元进行写操作并对其进行电学测试，获取与写操作电流对应的电阻数据及V-I特性曲线；每次写操作之前还基于相同预设擦参数对待操作单元进行擦操作；对不同写操作电流对应的电阻数据进行统计分析，筛选出使待操作单元成功进行写操作的真写操作电流；并对真写操作电流对应的V-I特性曲线进行拟合获取若干亚阈值斜率；及对获取的各亚阈值斜率进行统计分析获取最优写操作电流。通过本发明，解决了现有方法无法筛选出最优写操作电流的问题。

公开(公告)号：CN108520765A

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201810304264.4

申请日：2018-04-08

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 卢瑶瑶 ,  蔡道林 ,  陈一峰 ,  闫帅 ,  宋志棠 ,  吴磊 ,  刘源广 ,  李阳

IPC: G11C13/00

Abstract: 本发明提供一种相变存储器阵列中的位线寄生参数的测量系统及方法，包括：若干条平行间隔排布的字线；若干条平行间隔排布的位线；相变存储器阵列；驱动电路，与各位线相连接；至少一测试结构，包括驱动电路、可变电阻器、可变电容器及第二相变存储器单元；其中，可变电阻器与可变电容器串联成的串联电路一端与驱动电路相连接，另一端与第二相变存储器单元相连接；第二相变存储器单元的结构与第一相变存储器单元的结构相同。本发明可以简单便捷地得到相变存储器阵列中的位线寄生参数，为相变存储器阵列中的各相变存储器单元均能够被充分操作弥补能量损耗提供依据，为得到比较一致的电阻分布，提高相变存储器芯片的工作可靠性提供基础。

公开(公告)号：CN105023606B

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201510501083.7

申请日：2015-08-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 魏宏阳 ,  陈一峰 ,  蔡道林 ,  宋志棠 ,  陈小刚

IPC: G11C13/00

Abstract: 本发明提供一种相变存储器及其恢复数据的方法，包括：获取基准参考电阻值的预写相变存储单元；存储数据的正常访问相变存储单元；控制写入数据及读取数据的电学控制模块；控制温度的温度控制模块。在预写地址和正常访问地址中写入数据；改变环境温度；读取预写地址内的数据，获取基准参考电阻值；读取正常访问地址内的数据，以基准参考电阻值作为参考标准，若数据失效则恢复失效数据。本发明的相变存储器及其恢复数据的方法能快速判定相变存储器中的数据是否失效并恢复失效数据，操作简单、快速、效率高。

公开(公告)号：CN106024054A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610349687.9

申请日：2016-05-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 蔡道林 ,  陈一峰 ,  宋志棠 ,  王月青 ,  霍如如 ,  魏宏阳 ,  卢瑶瑶

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/004

Abstract: 本发明提供一种具有保持力测试功能的相变存储器，包括：对行地址信号进行译码以开启存储阵列相应字线的行译码器单元；对列地址信号进行译码的列译码器单元；输出测试电压/电流信号的电压源/电流源单元；开启存储阵列中相应位线，并将测试电压/电流信号加载到相应存储单元上的列选择器单元；读取加载有测试电压/电流信号的存储单元上的电流/电压的电流/电压读出单元，以测试保持力特性。本发明在进行保持力测试时，对存储单元施加电压/电流，外部监控设备通过电流/电压读出模块对存储单元的电流/电压变化情况进行记录，统计存储状态失效的时间，从而得到相变存储器的保持力特性，操作简单、准确性高。

公开(公告)号：CN105869671A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610178596.3

申请日：2016-03-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王月青 ,  蔡道林 ,  陈一峰 ,  宋志棠 ,  魏宏阳 ,  霍如如

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C13/0097

Abstract: 本发明提供一种相变存储器单元的写初始化方法及其阵列的写初始化方法，所述单元的写初始化方法包括如下步骤：S1：采用初始化写脉冲操作相变存储器单元，在所述相变存储器单元中形成非晶区域；所述非晶区域大于相变存储器默认写脉冲产生的非晶区域；S2：采用擦脉冲将所述相变存储器单元操作至低阻状态，使所述初始化写脉冲形成的非晶区域转化为面心立方晶粒区域；S3：采用默认写脉冲操作所述相变存储器单元。其中，在一次初始化后，可进一步验证初始化效果，并根据需要选择是否需要再次初始化。本发明使用初始化写脉冲，对阵列各单元的FCC晶粒区域进行控制，可以有效提高阵列平均写电阻，降低写电流，同时使得相变存储阵列的电阻分布更加集中。

公开(公告)号：CN104282332A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201310290019.X

申请日：2013-07-10

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈后鹏 ,  张怡云 ,  王倩 ,  范茜 ,  许伟义 ,  金荣 ,  胡佳俊 ,  李喜 ,  蔡道林 ,  宋志棠

IPC: G11C13/00

Abstract: 本发明提供一种具有实时触发器状态保存功能的触发器电路。该触发器电路至少包括：触发器电路本体；连接在所述触发器电路本体输出端的写控制电路，用于基于写信号来传输所述触发器电路本体的状态；包含由相变材料构成的存储单元的存储电路，连接所述写控制电路，用于存储所述触发器电路本体的状态，并基于读信号输出所存储的状态；以及状态恢复电路，连接所述存储电路，用于使所述触发器电路本体的状态恢复至所述存储电路所存储的状态。本发明的电路能随时把触发器的状态保存在存储电路中，也可以在某一特殊指令的控制下保存一个特殊的状态，例如掉电时对触发器状态的保存；上电时，可把保存在存储电路中中的数据读出，使触发器恢复到掉电时的状态。

公开(公告)号：CN102982841A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210549545.9

申请日：2012-12-18

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李喜 ,  宋志棠 ,  陈一峰 ,  陈后鹏 ,  蔡道林

IPC: G11C11/56

Abstract: 本发明提供一种相变存储器的编程系统及方法，该编程系统至少包括：擦操作控制模块，用于产生擦操作驱动通道的控制信号；擦操作使能模块，与所述擦操作控制模块相连接，用于产生擦操作的使能信号；擦操作驱动模块，与所述擦操作使能模块相连接，用于产生擦操作脉冲，所述擦操作驱动模块在所述对应的擦操作控制模块产生的控制信号的控制下，根据擦操作使能信号是否有效依次产生擦操作脉冲。本发明提供的相变存储器的编程方法，将相变存储器的驱动通道分为若干组，在相变存储器进行编程操作时，相变存储器需要进行擦操作的位按照分组依次进行，这样可以在不降低写操作性能的基础上降低相变存储器芯片的擦操作瞬时峰值功耗。

公开(公告)号：CN102831931A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201110164882.1

申请日：2011-06-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈后鹏 ,  王倩 ,  蔡道林 ,  金荣 ,  陈小刚 ,  宋志棠

IPC: G11C14/00

Abstract: 本发明提供一种具有掉电数据保持功能的触发器，应用于集成电路系统中，其至少包括：具有数据输出端及数据恢复置位端的双置位端触发单元；用于根据电源电压发出掉电或上电置位信号的电源监测单元；用以生成set或reset信号的信号生成单元；以及相变存储单元，该相变存储单元在掉电时写入与所述set或reset信号相对应的数据至所述存储器中，在上电时，自所述存储器中读出存储的数据并输出给所述双置位端触发单元的数据恢复置位端，以使所述双置位端触发单元恢复掉电数据，藉此发明以实现数据保持所需的操作时间在纳秒量级以及可长时间保持的目的，进而降低高速掉电数据保护电路设计的成本。

公开(公告)号：CN102403988A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110435853.4

申请日：2011-12-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王兆敏 ,  蔡道林 ,  陈后鹏 ,  宋志棠

IPC: H03K17/22

Abstract: 本发明提供一种上电复位电路，所述上电复位电路包括检压模块、施密特触发器、反相控制模块及脉冲整形模块。电源上电过程，检压模块检测电源电压变化并输出采样信号；采样信号进入施密特触发器输出阶跃信号，所述阶跃信号一方面输出至所述检压模块用于控制检压模块的快速泻流以拉低采样信号，另一方面通过反相控制模块反相后用于控制检压模块的开关泄流，最后所述阶跃信号经过脉冲整形模块的延迟与异或后输出上电复位信号。本设计结构简单，利用两路反馈控制信号与施密特触发器本身的迟滞特性，本电路得到很高稳定性和抗噪特性且上电结束后电路静态功耗很低。