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公开(公告)号：CN102590731A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210014614.6
申请日：2012-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R31/28
CPC classification number: H01L2224/05554
Abstract: 本发明涉及一种实现红外焦平面阵列探测器中硅读出电路测试的方法，其特征在于采取倒装方式实现硅读出电路与测试基板间的互连；实现硅测试基板与硅读出电路的对接互连后，通过对测试基板上焊盘的重排实现硅测试基板焊盘的重排；采取较复杂的版图设计来避免复杂的工艺过程以减少需排布的焊盘数量；采取lift-off工艺实现测试基板上的焊盘制作，并通过铟电镀的方式在需重新排布的焊盘上制作一层薄的铟镀层；通过打线(wire bonding)工艺实现硅基板与PCB板间的互连，最后读出电路的控制、信号输入和输出均在PCB板上完成。本发明将版图设计和简单工艺结合即可实现硅读出电路的测试。
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公开(公告)号：CN102544040A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210014615.0
申请日：2012-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/146 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种利用硅通孔(TSV)技术实现砷化镓(GaAs)图像传感器圆片级封装的方法。其特征在于其步骤包括：机械加工与湿法腐蚀配合使用加工出凹槽；在凹槽中制作一树脂绝缘层；然后用激光方法在树脂上制作通孔；槽内和通孔内电镀，实现晶片正面电极的背部引出；做钝化层和焊料凸点。整个工艺过程在圆片级完成，在降低封装成本的基础上具有较高的互连密度。同时，制作的互连结构具有较高的可靠性。
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公开(公告)号：CN101996906B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201010275967.2
申请日：2010-09-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/81
Abstract: 本发明涉及一种凹槽中焊接实现焊料倒扣焊的工艺方法，其特征在于：(a)使用普通硅片作为倒扣焊基板，在基板上采用TMAH湿法腐蚀形成斜槽；(b)采用全加法工艺，在斜槽内制作铜焊盘；不必制备阻焊层；(c)采用倒扣焊机实现锡凸点与斜槽中焊盘之间的对准，凸点插入斜槽内并和焊盘进行焊接。本发明提供的工艺最终可以实现焊盘间距74μm/焊盘宽度50μm的焊盘结构，优于目前的“减法工艺”和“半加法工艺”得到的焊盘面积与焊盘间间距的关系参数。而且该倒扣焊工艺不需要制作阻焊层结构，利用腐蚀槽的阻挡作用凹槽可限制焊料的流动，防止回流过程中焊料的流动造成相邻焊盘之间的短接。
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公开(公告)号：CN101840856B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201010156028.6
申请日：2010-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/302 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及封装制作晶圆TSV过程中所采用的腐蚀槽和工艺方法，其特征在于所述的腐蚀槽壁具有垂直的特征，腐蚀槽表面积为经光刻后涂覆的BCB的表面积的1.2-1.3倍，腐蚀槽的垂直槽壁的深度略小于涂覆的BCB厚度，BCB是涂覆在裸支撑晶圆上。涂覆的所述的腐蚀槽的制作材料是TSV晶圆。所述的TSV封装制作工艺步骤是：在裸支撑晶圆上溅射金属层，再涂覆一层BCB后进行光刻；TSV晶圆正面首先DRIE刻蚀出腐蚀槽，腐蚀槽位置与支撑晶圆上光刻后的BCB位置相对应，然后DRIE刻蚀TSV阵列；支撑晶圆带有BCB的一面与TSV晶圆的正面经对准后在键合机中键合，熔融BCB在延展过程中被腐蚀槽阻挡，该结构起到控制BCB的键合尺寸的作用。
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公开(公告)号：CN101712449B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200910198655.3
申请日：2009-11-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS圆片级气密封装的双腐蚀槽结构及方法，其特征在于在硅盖板上，在玻璃浆料密封环落入的区域两侧有两条环状的腐蚀槽。所述的两条环状腐蚀槽内边缘的间距为玻璃浆料密封环宽度的1.0-1.2倍。所述腐蚀槽的深度为30-40μm。所述的封装方法是先在丝网印刷前，在硅盖板玻璃浆料密封环落入的区域的两侧，用刻蚀工艺刻蚀两条环状的腐蚀槽阵列，然后玻璃浆料经丝网印刷机定位印刷到硅盖板的双腐蚀槽之间的位置，与带有MEMS器件阵列的硅片实现键合。由于双腐蚀槽的结构严格限制了玻璃浆料的键合尺寸，因而大大提高了气密封装的成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102097672A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010522672.0
申请日：2010-10-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01P11/00 , H01L21/768 , H01P3/06
Abstract: 本发明涉及一种用于微波频段穿硅同轴线的制作方法，其特征在于在硅片(1)的A面氧化层上光刻出同轴线图形，使用深反应离子体刻蚀工艺刻蚀出同轴线通孔，同轴线通孔的深度小于硅片的厚度；在硅片(2)的A面上溅射种子层，再覆盖一层光敏BCB，经过光刻得到同轴线的电镀图形，然后使用BCB键合工艺将硅片(1)和(2)的A面对准并低温键合；使用化学机械抛光工艺将硅片(1)的B面研磨至露出通孔，电镀同轴线；最后将硅片(2)从B面磨掉，去除种子层金属。本发明采用光刻等与微电子工艺相兼容的圆片级工艺，保证了传输线的精度，能实现大批量制造。该穿硅同轴传输线降低了高密度三维封装中信号在通过硅片时微波性能受到的影响，避免了穿硅传输线损耗过大。
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公开(公告)号：CN101246828B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810034624.X
申请日：2008-03-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明涉及一种基板可重复使用的制备微小焊球的方法。其特征在于首先采用IC制作工艺，制备了可重复使用的基板：以硅片为基底，热氧化处理后正面溅射金属导电层，沉积阻挡层并光刻出阻挡层开口露出导电层金属；其次，在可重复使用的基板上制备微小焊球：在基板上溅射金属牺牲层覆盖在导电层开口上，涂覆厚光刻胶并光刻出电镀窗口，然后电镀焊料，电镀完成后去除厚光刻胶，回流焊料形成焊料球，然后腐蚀去除金属牺牲层，使焊料球从可重复使用的基板上完全脱落，最后收集得到焊料球。制备过程简单，能耗小，工艺可控性好，克服了生产能力低的瓶颈；且制备的焊球表面光洁，最小粒径小于0.15mm，球形度好且尺寸一致性好。
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公开(公告)号：CN101656249A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910054616.6
申请日：2009-07-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L25/00 , H01L27/00 , H01L23/522 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/19105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种用于微波多芯片模块圆片级封装的多层互连结构、制备方法及其应用。特征在于利用苯并环丁烯BCB等作为介质层，以光刻、电镀、机械抛光等圆片级加工工艺相结合实现金属/有机聚合物的多层互连结构，并可嵌入集成多种无源元器件和互连传输线。整个工艺过程与IC工艺相匹配，并在圆片级的基础上完成，具有较高的封装集成度和较低的高频传输损耗。该结构在提高封装密度和集成度，降低封装成本的同时可以有效地集成多种功能器件单元，减小各元器件间的互连损耗，提高整个模块的性能。
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公开(公告)号：CN100530636C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200710048038.6
申请日：2007-11-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L25/00 , H01L25/065 , H01L23/498 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15159 , H01L2924/15311 , H01L2924/19106 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提出了一种基于印制电路板实现三维立体高密度封装的多芯片模块结构(3D-MCM)。在封装基板上加工制作出独特的腔体结构，用于放置芯片和分布电路连接走线，从而形成立体封装结构。回型球栅阵列(BGA)的引脚输出形式的设计，既满足了对模块I/O数目的要求又为腔体的设计提供了空间。多个芯片的互连采用了传统的引线键合和新型的芯片倒装方法相结合的方式。这种多芯片模块集多种封装技术于一体，有效地提高了封装密度，减少了封装尺寸，缩短了互连距离。
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公开(公告)号：CN101434374A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810207646.1
申请日：2008-12-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件圆片级芯片尺寸的封装结构及实现方法。所述封装结构特征在于①利用TMAH湿法减薄硅片作为封装结构的盖板；②利用凸点替代封装结构中的垂直通孔，所述的凸点是由在减薄的硅盖板上TMAH湿法腐蚀开出的垂直通孔，植入焊球，回流后形成，凸点同时作为封装结构的输入和输出端口；③由焊点(617)与凸点(608)的电连接实现被封器件与外界之间的电互联，由焊环(314)实现上下盖板的键合并提供器件工作所需的真空气密环境。它是采用盖板和MEMS器件的晶片键合，然后TMAH湿法腐蚀，通过在盖板上形成斜槽，最后一次性完成通孔的金属化以及盖板表面凸点制备的，不需使用干法刻蚀制备垂直互连通孔，降低了封装成本。
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