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公开(公告)号：CN103247639A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210026720.6
申请日：2012-02-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种图像传感器圆片级封装方法及其结构。包括以下步骤：提供一包含若干芯片的图像传感器晶片(1)，与一透明基板(5)键合；之后对图像传感器晶片(1)进行背减薄；在图像传感器晶片背部、与所述焊盘电极(4)对应的位置打孔，形成若干第一通孔；然后喷涂绝缘层(8)并固化；在第一通孔内的绝缘层上继续形成横截面为倒梯形的第二通孔至暴露出所述焊盘电极(4)；所述第一通孔与第二通孔同轴；接着依次溅射金属种子层(10)、电镀形成金属互联层(11)；接着依次制备第二钝化层(12)和焊料凸点(13)。本发明整个工艺过程在圆片级完成，在降低封装成本的基础上具有较高的互连密度。同时，制作的互连结构具有较高的可靠性。
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公开(公告)号：CN103794583A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201210425918.1
申请日：2012-10-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种增强焊球与UBM粘附性的方法，其主要步骤为：首先对焊盘表面进行处理并溅射粘附层和种子层，之后电镀金属铜，电镀完成之后在铜UBM上制作凹坑，可通过腐蚀或激光打孔的方法来实现；最后制作焊球并回流。通过以上步骤，可使焊球与UBM之间的结合面积更大，粘附能力更强，提高了封装可靠性。本发明不需要添加制作额外的粘附材料，只需要在UBM上制作多个凹坑，增加焊球与UBM的接触面积，以提高其粘附性能。
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公开(公告)号：CN103681719A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310697584.8
申请日：2013-12-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种可见光圆片级封装结构和方法，所述方法至少包括步骤：提供透明封装基板，在所述透明封装基板表面键合硅晶圆，所述硅晶圆中制造有暴露所述透明封装基板的腔体；在所述腔体中四周的底部和侧壁表面、以及硅晶圆的背面制备互连结构；采用凸点技术将所述可见光器件倒装焊接在所述腔体底部的互连结构上；在所述硅晶圆背面的互连结构上形成外凸点；最后进行划片形成独立的封装器件。本发明的封装方法采用两次倒装焊的技术，实现可见光器件芯片到晶圆的圆片级封装，避免了不同的可见光器件由于衬底材料、制造工艺、使用限制等因素带来的技术困难。
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公开(公告)号：CN102507669A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110369062.6
申请日：2011-11-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/22
Abstract: 本发明涉及一种基于聚酰亚胺和填充物腐蚀的湿度传感器结构改进及方法，其特征在于在电极板之间的聚酰亚胺层中填充材料后腐蚀制作出多孔薄膜，经光刻后a)沿电极板方向制作单个空腔；b)沿电极板方向制作多个空腔；c)垂直电极板方向制作多个空腔；d)在电极板之间的多孔聚酰亚胺薄膜中多个独立的空腔；或e)在电极板之间的多孔聚酰亚胺薄膜中保留多个独立的聚酰亚胺块。制作是首先在硅圆片上溅射金属层作为种子层，然后电镀出电容电极板，再涂覆聚酰亚胺胶作为电容的介电材料，并在聚酰亚胺中填充光纤、玻璃粉末或金属颗粒材料，最后腐蚀聚酰亚胺中的填充材料获得多孔聚酰亚胺薄膜；最后，采用光刻的方法，形成空腔，增加多孔薄膜与空气的接触面积，提高传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN103500729B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201310492853.7
申请日：2013-10-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种硅转接板结构及其圆片级制作方法，该方法至少包括以下步骤：S1：提供一硅圆片，采用湿法腐蚀在所述硅圆片正面及背面形成上下分布的至少一对凹槽；一对凹槽共用凹槽底部；S2：采用湿法腐蚀在所述凹槽底部中形成至少一个硅通孔；所述硅通孔由上下对称的上通孔及下通孔连接而成；所述上通孔及下通孔具有倾斜侧壁；S3：在所述硅通孔的侧壁表面形成通孔介质层；S4：在所述通孔介质层表面形成通孔金属层；S5：最后划片形成独立的硅转接板。本发明的硅转接板中，硅通孔具有倾斜侧壁，可以形成一孔多线结构，提高互连线密度；凹槽结构有利于实现更高密度的系统集成；本发明的制作方法还具有工艺难度低、适合于工业化生产的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102544040B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210014615.0
申请日：2012-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/146 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种利用硅通孔(TSV)技术实现砷化镓(GaAs)图像传感器圆片级封装的方法。其特征在于其步骤包括：机械加工与湿法腐蚀配合使用加工出凹槽；在凹槽中制作一树脂绝缘层；然后用激光方法在树脂上制作通孔；槽内和通孔内电镀，实现晶片正面电极的背部引出；做钝化层和焊料凸点。整个工艺过程在圆片级完成，在降低封装成本的基础上具有较高的互连密度。同时，制作的互连结构具有较高的可靠性。
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公开(公告)号：CN103500729A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310492853.7
申请日：2013-10-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L23/5226 , H01L21/76898 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种硅转接板结构及其圆片级制作方法，该方法至少包括以下步骤：S1：提供一硅圆片，采用湿法腐蚀在所述硅圆片正面及背面形成上下分布的至少一对凹槽；一对凹槽共用凹槽底部；S2：采用湿法腐蚀在所述凹槽底部中形成至少一个硅通孔；所述硅通孔由上下对称的上通孔及下通孔连接而成；所述上通孔及下通孔具有倾斜侧壁；S3：在所述硅通孔的侧壁表面形成通孔介质层；S4：在所述通孔介质层表面形成通孔金属层；S5：最后划片形成独立的硅转接板。本发明的硅转接板中，硅通孔具有倾斜侧壁，可以形成一孔多线结构，提高互连线密度；凹槽结构有利于实现更高密度的系统集成；本发明的制作方法还具有工艺难度低、适合于工业化生产的优点。
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公开(公告)号：CN103824787B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201210465809.2
申请日：2012-11-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/603
Abstract: 本发明提供一种基于粘接剂的晶圆键合方法。首先，由依次放置着键合陪片、涂敷有粘结剂的第一晶圆片、夹具隔片、第二晶圆片的键合夹具将各晶圆片送入键合设备腔体；随后控制所述键合设备腔体的温度及压力，使第一晶圆片与第二晶圆片键合。本发明使用键合陪片，可有效改善异质晶圆材料键合因热膨胀系数差异所引起的翘曲问题，并能有效提高器件的可靠性，降低后续工艺难度。
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公开(公告)号：CN103855173A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210517170.8
申请日：2012-12-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种图像传感器的圆片级封装方法及封装结构，该封装方法包括：在一传感晶片的有源面形成第一钝化层；在第一钝化层上沉积至少1个金属煽出电极；将传感晶片的有源面与一透明基板键合；在传感晶片的背面沉积第二钝化层，并在第二钝化层上刻出划槽标记；在划槽标记处制作凹槽；在传感晶片背面制作第三钝化层；在凹槽底制作贯通金属煽出电极的通孔；制作金属互连线使其通过通孔将金属煽出电极引出至第三钝化层的背面；制作完全覆盖金属互连线的第四钝化层；在第四钝化层刻蚀开口露出金属互连线的一端；在第四钝化层上制作UBM层和焊锡凸点。本发明可靠性强、成本低、具有较小的信号延迟和较高的互连密度。
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公开(公告)号：CN102544040A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210014615.0
申请日：2012-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/146 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种利用硅通孔(TSV)技术实现砷化镓(GaAs)图像传感器圆片级封装的方法。其特征在于其步骤包括：机械加工与湿法腐蚀配合使用加工出凹槽；在凹槽中制作一树脂绝缘层；然后用激光方法在树脂上制作通孔；槽内和通孔内电镀，实现晶片正面电极的背部引出；做钝化层和焊料凸点。整个工艺过程在圆片级完成，在降低封装成本的基础上具有较高的互连密度。同时，制作的互连结构具有较高的可靠性。
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