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公开(公告)号：CN104078431A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410300624.5
申请日：2014-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/31 , H01L23/538 , H01L21/768 , H01L21/56
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/73204 , H01L2224/92125
Abstract: 本发明涉及一种双层底充胶填充的铜凸点封装互连结构及方法，其特征在于结构上由双层底充胶填充，第一层在芯片端，在圆片上采用旋涂工艺制作；第二层在基板端，在倒装焊完成以后通过毛细效应进行填充；第一层底充胶的玻璃化温度和杨氏模量较低第二层底充胶的玻璃化温度和杨氏模量；(2)芯片与基板的连接是由铜凸点和含锡焊料凸点两部分构成，实现高密度连接；(3)铜凸点分两次制作，以保证第一层底充胶的完全填充和确保凸点与含锡焊料的足够接触。提供的整个工艺过程与现有IC工艺兼容，有较高的垂直互连密度、较好的电气连接特性、较高的机械稳定性。通过加速热循环等测试可以得出，具有此种封装结构的芯片，寿命得到了较大提高。
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公开(公告)号：CN104465428B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201310423177.8
申请日：2013-09-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/603
Abstract: 本发明提供一种铜‑铜金属热压键合的方法，所述方法至少包括步骤：先提供待键合的第一圆片和第二圆片，所述第一圆片包括第一衬底、第一钝化层及第一Ti‑Cu合金薄膜，所述第二圆片包括第二衬底、第二钝化层及第二Ti‑Cu合金薄膜；再将所述第一圆片的第一Ti‑Cu合金薄膜表面和第二圆片的第二Ti‑Cu合金薄膜表面进行热压键合；最后在保护性气体中进行退火处理，使第一Ti‑Cu合金薄膜中的Ti原子向第一钝化层表面扩散，第二Ti‑Cu合金薄膜中的Ti原子向第二钝化层表面扩散，并最终在第一、第二钝化层表面形成Ti粘附/阻挡层，而Cu原子向键合面扩散，实现键合。本发明的方法在键合前仅需要对两个衬底分别进行一次共溅射，溅射次数减少了一半，工艺相对简单，可靠性好，且工艺成本较低，最后经过退火处理扩散形成Ti粘附/阻挡层，并使铜的键合效果更佳。
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公开(公告)号：CN103187312A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110448249.5
申请日：2011-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/48 , H01L23/498
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明提供一种圆片级封装结构中的重布线层的制备方法及形成的结构。其中，根据基于介质薄膜来制备圆片级封装结构中的重布线层的方法，先将预制的介质薄膜黏贴在已涂覆粘接剂的待封装的圆片表面；随后再基于所述待封装的圆片表面的电气连接点的数量在所述介质薄膜表面制作重布线导线层，形成相应数量的相互隔离的导电区域，且使每一个导电区域电气连接一个电气连接点；随后在每一个导电区域表面形成一个导电凸点，由此形成圆片级封装结构。本发明的优点包括：不需要高温固化过程，可以有效降低圆片翘曲与内应力，可以很容易实现多层重布线结构，同时该结构还允许内嵌其他无源器件。
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公开(公告)号：CN102507669A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110369062.6
申请日：2011-11-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/22
Abstract: 本发明涉及一种基于聚酰亚胺和填充物腐蚀的湿度传感器结构改进及方法，其特征在于在电极板之间的聚酰亚胺层中填充材料后腐蚀制作出多孔薄膜，经光刻后a)沿电极板方向制作单个空腔；b)沿电极板方向制作多个空腔；c)垂直电极板方向制作多个空腔；d)在电极板之间的多孔聚酰亚胺薄膜中多个独立的空腔；或e)在电极板之间的多孔聚酰亚胺薄膜中保留多个独立的聚酰亚胺块。制作是首先在硅圆片上溅射金属层作为种子层，然后电镀出电容电极板，再涂覆聚酰亚胺胶作为电容的介电材料，并在聚酰亚胺中填充光纤、玻璃粉末或金属颗粒材料，最后腐蚀聚酰亚胺中的填充材料获得多孔聚酰亚胺薄膜；最后，采用光刻的方法，形成空腔，增加多孔薄膜与空气的接触面积，提高传感器的灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103794513B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210418831.1
申请日：2012-10-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明涉及一种增强介质层PI和金属层Cu层粘附性的方法。其主要步骤为：首先，对介质层PI进行表面预处理，然后选择及控制溅射的粘附/种子层金属类型和厚度。溅射完成后，进行退火处理，增加PI和粘附/种子层金属的结合度，最后，再进行金属Cu的电镀。通过以上步骤，使PI和Cu之间的粘附性得到很大提高。本发明提供的方法适合于圆片级封装再布线结构以及UBM制作。
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公开(公告)号：CN103794544A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201210419100.9
申请日：2012-10-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76838 , C23C28/00 , C25D5/02
Abstract: 本发明提供一种电镀铜的方法，先提供一需要制作电镀铜布线的基底，采用溅射法于所述基底表面形成用于电镀铜的种子层；然后依据所述电镀铜布线于所述种子层表面制作图形掩膜并腐蚀所述种子层；接着采用电镀法于未被所述图形掩膜覆盖的种子层表面制作电镀铜层；最后去除所述图形掩膜及所述图形掩膜覆盖的种子层，以完成制作。本发明具有以下有益效果：本发明首先可以消除电镀铜与溅射铜界面的孔洞，其次可以消除高温退火时形成的孔洞。由此电镀铜的方法获得电镀铜具有无孔洞，电阻小等特点。此工艺改进适于半导体、集成电路等使用电镀铜的方法制作铜引线的领域。
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公开(公告)号：CN103794513A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201210418831.1
申请日：2012-10-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明涉及一种增强介质层PI和金属层Cu层粘附性的方法。其主要步骤为：首先，对介质层PI进行表面预处理，然后选择及控制溅射的粘附/种子层金属类型和厚度。溅射完成后，进行退火处理，增加PI和粘附/种子层金属的结合度，最后，再进行金属Cu的电镀。通过以上步骤，使PI和Cu之间的粘附性得到很大提高。本发明提供的方法适合于圆片级封装再布线结构以及UBM制作。
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