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公开(公告)号：CN110248124A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910090962.3
申请日：2019-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 提供图像传感器、包括其的图像检测系统以及操作其的方法。所述图像传感器可包括被配置为响应于入射在像素上的光生成图像信号的像素。像素可包括被配置为在感测时间段期间收集由入射在像素上的光产生的电荷的电荷收集电路以及浮置扩散区。所述图像传感器还可包括被配置为存储所述电荷并在感测时间段之后的转移时间段期间被配置为将所述电荷的至少一部分转移到浮置扩散区的存储单元。从存储单元转移到浮置扩散区的电荷量可由施加到存储单元的存储控制端的存储控制信号的电压电平来控制。
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公开(公告)号：CN103777750B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201310504921.7
申请日：2013-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/01 , G06F3/0487 , G06F1/3293 , H04M1/73
Abstract: 本发明公开了一种移动系统、一种三维图像传感器的操作方法以及一种具有多个深度像素和彩色像素的图像传感器的操作方法。移动系统可以包括：位于所述移动系统的第一表面上的三维图像传感器，所述三维图像传感器构造成进行第一感测以检测对象的接近度并且通过获取对象的距离信息来进行第二感测以识别对象的手势；以及/或者位于所述移动系统的第一表面上的显示装置，所述显示装置用于显示所述第一感测和所述第二感测的结果。移动系统可以包括：光源单元；多个深度像素；以及/或者多个彩色像素。可以基于所述移动系统的操作模式启动光源单元、多个深度像素或多个彩色像素。
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公开(公告)号：CN108257985A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201711442531.6
申请日：2017-12-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/144
Abstract: 本公开提供了光传感器。第一基板包括多个单元像素区域。深沟槽隔离结构设置在第一基板中并使所述多个单元像素区域彼此隔离。多个光电转换器的每个设置在所述多个单元像素区域中的对应一个中。多个微透镜设置在第一基板上。多个分光器设置在第一基板上。所述多个分光器的每个设置在所述多个微透镜中的对应一个与所述多个光电转换器中的对应一个之间。多个光电转换增强层的每个设置在所述多个分光器中的对应一个与所述多个光电转换器中的对应一个之间。
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公开(公告)号：CN103677259B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201310426326.6
申请日：2013-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/01 , G06F9/4401
CPC classification number: H04N5/2228 , A63F13/213 , G06F3/0346 , H04N21/4126 , H04N21/4223 , H04N21/44231
Abstract: 描述了用于把主体引导回多媒体系统的可识别范围内的方法、系统和设备。根据所描述的方法之一，当确定目标已经离开多媒体系统的可识别范围时，从用户已经用来控制多媒体系统的便携式电子设备（或者控制器）中获取传感器信息，并且所获取的传感器信息被用来确定用户相对于可识别范围在何处。在一个例子中，用户被要求利用便携式电子设备做出姿态，并且关于该姿态的传感器信息被用来确定用户的相对位置。在另一例子中，用户离开可识别范围时被记录的传感器信息被用来确定用户的相对位置。
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公开(公告)号：CN102694998B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210080668.2
申请日：2012-03-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01S17/89 , G01B11/22 , G01S7/4816 , G01S7/4914 , G01S7/4915 , G01S7/497 , H04N13/207 , H04N13/271
Abstract: 提供了一种深度传感器、深度信息误差补偿方法及信号处理系统。根据至少一个示例性实施例，深度信息误差补偿方法包括：将调制的光输出到目标对象；在第一时间间隔中的不同检测时间点对多个第一像素信号进行检测，所述第一像素信号表示在第一时间间隔期间从目标对象反射的光；在第二时间间隔的不同检测时间点对多个第二像素信号进行检测，所述第二像素信号表示在第二时间间隔期间从目标对象反射的光；将所述多个第一像素信号的每个第一像素信号和所述多个第二像素信号的每个第二像素信号进行比较并根据所述比较步骤计算到目标对象的深度信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101308867B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200810096571.4
申请日：2008-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/10 , H01L29/792 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/8247 , G11C16/02
CPC classification number: H01L21/28282 , G11C16/349 , H01L27/11568 , H01L29/42332 , H01L29/42336 , H01L29/42348 , H01L29/42352 , H01L29/66833 , H01L29/792
Abstract: 本发明提供了一种存储装置、一种制造该存储装置的方法以及一种操作该存储装置的方法。所述存储装置可以包括：沟道区，具有上端，其中，上端的两侧弯曲，两侧的弯曲部分允许在编程或擦除中将电荷注入到两侧的弯曲部分中，使得注入有电荷的弯曲部分与确定阈值电压的部分分开；栅极结构，在沟道区上。
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公开(公告)号：CN101651145A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200910165721.7
申请日：2009-08-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14641 , H04N5/332 , H04N5/3696 , H04N5/37457 , H04N13/229 , H04N13/257
Abstract: 提供了一种三维图像传感器的像素阵列。该像素阵列包括多个单元像素图案，每一单元像素图案包括按照阵列形式排列的颜色像素以及距离测量像素。所述多个单元像素图案按照这样的方式排列，使得彼此相邻地安排距离测量像素组。
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公开(公告)号：CN101459185A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200810173918.0
申请日：2008-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L31/02165
Abstract: 提供一种光电二极管、图像感测装置和图像传感器。所述图像感测装置包括p－n结光电二极管，所述p－n结光电二极管在其上表面上具有金属图案层。所述图像传感器包括所述图像感测装置和形成在所述金属图案层之上的微透镜。金属图案层滤除具有第一波长的光。
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公开(公告)号：CN101414599A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810144945.5
申请日：2008-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/525
CPC classification number: H01L23/5252 , G11C17/16 , H01L27/1021 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种反熔丝结构和反熔丝阵列结构。反熔丝结构包括：位线，在半导体基底内被形成为第一扩散区；绝缘层，形成在位线上；字线，形成在绝缘层上。反熔丝阵列结构包括以阵列形式布置的多个反熔丝结构。
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公开(公告)号：CN101373637A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810134074.9
申请日：2008-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
CPC classification number: G11C16/3418
Abstract: 本发明提供了一种读取存储单元数据的方法和非易失性存储装置，所述装置将低电压施加到与可从其读取数据的存储单元相邻的存储单元。所述读取非易失性存储装置的存储单元数据的方法包括将第一电压施加到多个存储单元中的读取存储单元的控制栅极；将第三电压施加到与所述读取存储单元相邻的存储单元的控制栅极；将第二电压施加到除了读取存储单元和相邻存储单元之外的存储单元的控制栅极。
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