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公开(公告)号：CN102402122B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201010275918.9
申请日：2010-09-07
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
Inventor： 钱志浩
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种光刻机漏光检测方法和使用该方法的系统，属于光刻技术领域。在光刻版上设置用于直接曝光的主管芯区域和用于漏光曝光的副管芯区域，仅透过主管芯区域对涂覆有光刻胶的晶圆曝光；获取晶圆上副管芯区域漏光完全成像时，主管芯区域的临界曝光能量，并计算所用光刻胶生成图形所需的最小能量值与所述临界曝光能量的比值。上述测试利用光刻机本身曝光模式，不需要额外的设备，因此测试方法简便。
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公开(公告)号：CN102374381B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201010260457.8
申请日：2010-08-23
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 一种防止吹扫气体倒灌的气柜装置，包括柜体和设置在所述柜体内的气体管路，所述气体管路包括工艺管路和与工艺管路可控连通的用于清洁工艺管路的吹扫管路，所述工艺管路通过特气瓶阀与特气瓶连接，所述吹扫管路和工艺管路之间由可抽真空的安全管路隔开。本发明通过在吹扫管路上设置安全气动阀，对安全管路抽至真空状态，消除了吹扫气体倒灌至工艺管路或者是特气瓶的安全隐患，防止整支特气瓶的报废。
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公开(公告)号：CN103247628A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210025330.7
申请日：2012-02-06
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L27/11 , H01L21/8244
CPC classification number: H01L27/1104 , H01L27/0207
Abstract: 本发明实施例公开了一种SRAM器件及其制造方法。所述SRAM器件包括：衬底；位于所述衬底上的阱区，所述阱区被浅沟槽隔离开来；位于所述阱区内、与所述浅沟槽相邻的源区；位于所述阱区上的层间介质，所述层间介质内设置有与所述源区相连的接触孔，所述接触孔在源区与浅沟槽连线的方向上使所述源区成对称分布。本发明所提供的SRAM器件，在器件的边缘处所产生的漏电较小，器件的良率较高。
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公开(公告)号：CN102087994B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200910252940.9
申请日：2009-12-04
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
Inventor： 章舒
IPC: H01L21/768
Abstract: 一种接触孔的填充方法，包括：提供带有接触孔的半导体衬底；第一填充阶段，采用溅射工艺，将导电介质部分填充所述接触孔，所述第一填充阶段中的溅射温度大于400℃；第二填充阶段，采用溅射工艺，将导电介质填充满所述接触孔，所述第二填充阶段中的溅射温度大于400℃。本发明能在高温下对接触孔进行填充，提高导电介质的流动性，实现完全填满整个接触孔。
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公开(公告)号：CN102086506B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200910188494.X
申请日：2009-12-03
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
Inventor： 刘岩
IPC: C23C14/34
Abstract: 一种靶材冷却装置，包括靶和靶座，所述靶包括相互连接的凸起部和靶材，所述靶座设有凹槽，所述靶与靶座套接，靶的凸起部收容在靶座的凹槽中，所述靶材与靶座贴合；所述凸起部与所述凹槽的形状相匹配。通过调整靶材凸起部的高度与/或调整靶座凹槽的深度，使靶材和靶座无缝接触，进而达到靶材充分冷却，使得靶材的工作效率提高，进而提高了半导体器件的产量，从而提高了整体的经济效益。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102024491B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN200910196045.X
申请日：2009-09-22
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Inventor： 郭术明
IPC: G11C11/401 , G11C11/4063 , G11C11/408 , G11C11/4091
Abstract: 本发明涉及一种随机读写存储器及其控制方法。该随机读写存储器包括多个呈阵列排布的存储单元，每一存储单元包括第一晶体管、第二晶体管和存储电容，该存储电容连接于该第一晶体管、第二晶体管之间，该第一晶体管用于控制数据读出或者写入该存储电容，该第二晶体管用于控制对该存储电容的数据刷新。本发明的随机读写存储器有较快的读写速度，又具有较小的存储单元面积和工作功耗。
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公开(公告)号：CN103208416A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310116218.9
申请日：2013-04-03
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Inventor： 章安娜
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种空腔结构刻蚀后清洗和干燥的方法,其首先对刻蚀后的硅片进行硅屑漂洗工艺处理，漂洗工艺结束后将硅片放入普通的甩干机中，将甩干机的程序设置为：转速1000-1200r/min，工艺时间20-30min，整个工艺过程通入氮气，对硅片进行甩干处理。本发明的方法能够很好的解决特殊工艺中空腔结构清洗后圆片干燥的问题，工艺过程中圆片上空腔结构保存完整，为下步工艺提供可能，能够保证特殊工艺中具有空腔结构产品开发的顺利进行。
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公开(公告)号：CN103165579A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110413966.4
申请日：2011-12-13
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L23/544 , G01B11/22
CPC classification number: H01L22/30 , H01L21/30608 , H01L21/3083 , H01L22/12
Abstract: 本发明公开了一种硅湿法腐蚀深度的监控结构及相关监控方法。该监控结构包括形成在单晶硅材料上的至少两个顶面为矩形的湿法腐蚀凹槽；且至少有两个湿法腐蚀凹槽的顶面宽度分别为Wu和Wl，Wu＝du/0.71，Wl＝dl/0.71，du为所要监控的湿法腐蚀深度最大值，dl为所要监控的湿法腐蚀深度最小值。所述监控方法根据具有监控图形的版图对单晶硅片进行各向异性的湿法腐蚀，形成所需监控的腐蚀槽以及用于监控该腐蚀槽深度的监控结构，然后对所得监控结构进行监视，从而实现对湿法腐蚀深度的监控。本发明可以直观、便捷地监控产品腐蚀槽的腐蚀深度，成本较低，并可达到较高的监控精度。
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公开(公告)号：CN102086966B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN200910188493.5
申请日：2009-12-03
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
Inventor： 孙顺兴
Abstract: 本发明涉及一种外延设备气体的供应方法，从氢气气源设备单独引出混合器氢气管路，提供混合器氢气。本发明从氢气气源设备单独引出管路提供混合器氢气进行工艺，操作简单，有效避免了其他腔体进行切换时引起氢气的波动对第二关键气体造成的干扰，保证了工艺参数的稳定，提高了外延设备的有效利用率，降低了芯片和设备维护的成本。
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公开(公告)号：CN103107080A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310011772.0
申请日：2013-01-11
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683
CPC classification number: H01L22/26 , H01L21/3065 , H01L21/6831
Abstract: 本发明公开了一种解决深沟槽刻蚀工艺中圆片表面糊胶的刻蚀方法，包括如下步骤：a.利用静电吸盘对圆片进行静电吸附，并稳定工艺所需要的气氛；b.进行圆片主工艺子步骤，所述主工艺子步骤的时间小于圆片主工艺要求的时间；c.解除所述静电吸盘对所述圆片的静电吸附，并进行静电释放；d.判断之前进行的所有的所述主工艺子步骤的累积时间是否达到要求，如果判断结果为“是”，则进行步骤e，如果判断结果为“否”，则再次进行步骤a；e.圆片制造结束，进行圆片的传输。该刻蚀方法避免圆片持续与静电吸盘接触，减少了圆片表面静电积聚，从而解决了DSIE工艺中圆片表面糊胶和位置碎片的问题。
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