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公开(公告)号：CN102402122B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201010275918.9
申请日：2010-09-07
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
Inventor： 钱志浩
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种光刻机漏光检测方法和使用该方法的系统，属于光刻技术领域。在光刻版上设置用于直接曝光的主管芯区域和用于漏光曝光的副管芯区域，仅透过主管芯区域对涂覆有光刻胶的晶圆曝光；获取晶圆上副管芯区域漏光完全成像时，主管芯区域的临界曝光能量，并计算所用光刻胶生成图形所需的最小能量值与所述临界曝光能量的比值。上述测试利用光刻机本身曝光模式，不需要额外的设备，因此测试方法简便。
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公开(公告)号：CN102621828A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201110037171.8
申请日：2011-01-27
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种二次显影方法，属于半导体制造的光刻技术领域。该二次显影方法，用于对同一层已曝光的光刻胶进行湿法显影，其包括步骤：(1)在所述光刻胶上第一次涂覆显影液；(2)第一次浸润所述光刻胶以初步显影；(3)基本去除所述光刻胶表面的显影生成物和残余的所述显影液；(4)在所述光刻胶上第二次涂覆显影液；以及(5)第二次浸润所述光刻胶以全部显影。该显影方法成本低、显影效果好的优点，并不会整体增加显影时间。
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公开(公告)号：CN102610498A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201110025603.3
申请日：2011-01-24
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/00 , G03F7/38 , G03F7/40
Abstract: 一种光刻胶层的形成方法，其特征在于，包括下列步骤：在晶圆上涂覆光刻胶层；对光刻胶层进行软烘烤，优化软烘烤温度和时间；对光刻胶层进行固胶处理，优化固胶温度和时间，使软烘烤及固胶后光刻胶层的缩胶量最小。本发明使缩胶量达到最小，进而使后续形成的半导体器件关键尺寸与目标尺寸接近一致，防止了降低半导体器件可靠性及电性能的缺陷。
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公开(公告)号：CN102456594A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201010528136.1
申请日：2010-11-01
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明实施例公开了一种去边宽度检测方法及装置。所述方法包括：利用叠对量测仪器对晶片进行初始坐标定位；从初始坐标引出射线分别与晶片去边边缘和晶片物理边缘相交，得到晶片物理边缘上第一点和晶片去边边缘上的第二点；获取晶片物理边缘上第一点的坐标，将该坐标记为第一坐标；获取晶片去边边缘上第二点的坐标，将该坐标记为第二坐标；根据所述第一坐标和第二坐标，计算得到晶片的去边宽度。根据本发明所提供的方法计算出的去边宽度，相比传统方法得到的结果要准确，且满足去边宽度的精度要求；而且，本发明所采用的叠对量测仪器成本较低，适合于各企业使用，因此，使用范围不受限制。
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公开(公告)号：CN102402122A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201010275918.9
申请日：2010-09-07
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
Inventor： 钱志浩
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种光刻机漏光检测方法和使用该方法的系统，属于光刻技术领域。在光刻版上设置用于直接曝光的主管芯区域和用于漏光曝光的副管芯区域，仅透过主管芯区域对涂覆有光刻胶的晶圆曝光；获取晶圆上副管芯区域漏光完全成像时，主管芯区域的临界曝光能量，并计算所用光刻胶生成图形所需的最小能量值与所述临界曝光能量的比值。上述测试利用光刻机本身曝光模式，不需要额外的设备，因此测试方法简便。
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公开(公告)号：CN102540771A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010606503.5
申请日：2010-12-24
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种正性光刻胶用显影液，包括：碱性物质、水、表面活性剂和蛋白水解酶。本发明还提供了一种光刻工艺中的显影方法，包括以下步骤：提供半导体晶片，所述半导体晶片上具有由正性光刻胶形成的光敏材料层，所述光敏材料层与所述半导体晶片之间具有胺类增黏剂形成的膜；向所述光敏材料层喷洒上述技术方案所述的显影液，使所述光敏材料层可溶解区域的光敏材料溶解；向所述光敏材料层喷洒去离子水，去除所述溶解后的光敏材料。本发明提供的正性光刻胶显影液中，蛋白水解酶能够催化曝光过程中生成的溶解度较小的肽键化合物进行水解，使其溶于显影液中，从而减少了光刻胶残留的缺陷，不会对后续的刻蚀工艺或离子注入工艺造成影响。
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公开(公告)号：CN102623316A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201110037089.5
申请日：2011-01-27
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种制备沟槽底部辅助栅介质层以及沟槽DMOS管的方法，属于沟槽DMOSFET器件领域。该沟槽底部辅助栅介质层的制备方法包括以下步骤：(1)提供已形成所述沟槽的衬底，并氧化形成第一栅氧介质层；(2)在所述第一栅氧介质层上沉积形成辅助栅介质层；(3)涂覆光刻胶以覆盖所述辅助栅介质层；(4)控制干法刻蚀条件刻蚀所述光刻胶、以使仅在所述沟槽中残留一定厚度的光刻胶；(5)以所述残留的光刻胶为掩膜刻蚀所述辅助栅介质层；以及(6)去除沟槽中所残留的光刻胶。该沟槽DMOS管的制备方法包括以上所述的沟槽底部辅助栅介质层的制备方法过程。本发明具有工艺稳定、一致性好、成本低且生成效率高的特点。
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