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公开(公告)号：CN104575606A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310471186.4
申请日：2013-10-10
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及一种带有自检测电路的读出电路及控制方法，所述电路包括预充电电路和控制电路，所述预充电电路和所述控制电路连接于第一节点，用于对存储器单元进行充电，所述读出电路还包括检测电路，所述检测电路和所述预充电电路连接于所述第一节点；所述检测电路包括第三非门、第四非门、第一与非门、第六非门、第一触发器和第八非门；通过第三非门的反转来检测第一非门反转的这种方式，可以大大节省对第一节点A的充电时间，从而相应地减少整个电路的读取时间。同时还可以避免在预充电结束后，线路再出现充电的状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103390588A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201210141757.3
申请日：2012-05-09
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Inventor： 郭术明
IPC: H01L21/8246 , G06F17/50
CPC classification number: H01L27/115 , G06F17/5068 , G11C17/12 , H01L27/0207 , H01L27/11233
Abstract: 本发明提供一种基于OTP存储器制作MROM存储器的方法，依据OTP存储器版图，去除所述用于存储数据“0”的OTP存储单元的第二MOS管的浮栅以使该OTP存储单元转化为用于存储数据“0”的MROM存储单元，并保留所述OTP存储器版图中用于存储数据“1”的OTP存储单元的原有结构作为用于存储数据“1”的MROM存储单元，以形成MROM存储器版图，然后依据MROM存储器版图制作MROM存储器。本发明对经过调试、存储数据确定好的OTP存储器版图修改成MROM存储器版图，在制作过程中只需要修改一层掩膜就可以把制作OTP的工艺转化为制作MROM的工艺。本发明大大的节省了器件的编程、测试的时间和成本，简化了工艺过程，从而大大地降低了产品的成本，提高了利润。
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公开(公告)号：CN102024491A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910196045.X
申请日：2009-09-22
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
Inventor： 郭术明
IPC: G11C11/401 , G11C11/4063 , G11C11/408 , G11C11/4091
Abstract: 本发明涉及一种随机读写存储器及其控制方法。该随机读写存储器包括多个呈阵列排布的存储单元，每一存储单元包括第一晶体管、第二晶体管和存储电容，该存储电容连接于该第一晶体管、第二晶体管之间，该第一晶体管用于控制数据读出或者写入该存储电容，该第二晶体管用于控制对该存储电容的数据刷新。本发明的随机读写存储器有较快的读写速度，又具有较小的存储单元面积和工作功耗。
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公开(公告)号：CN101872642A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200910026432.9
申请日：2009-04-23
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
Inventor： 郭术明
Abstract: 本发明揭示一种随机存储器的存储读取方法，该随机存储器包括第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管，第一晶体管的栅极与写字线连接，第一晶体管的漏极与写位线连接，第一晶体管的源极与第二晶体管的栅极连接，第二晶体管的漏极接地，第二晶体管的源极与第三晶体管的漏极连接、第三晶体管的栅极与读字线连接，第三晶体管的源极与读位线连接。写位线的电位输入不同电压时写入不同的存储值，与第一晶体管源极连接的第二晶体管栅极电压不同则由第二晶体管与第三晶体管组成的放电电路电流不同，则读位线的电位不同，设置不同的参考电压，比较读位线与参考电压的大小以读取不同的存储值。
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公开(公告)号：CN103390588B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210141757.3
申请日：2012-05-09
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Inventor： 郭术明
IPC: H01L21/8246 , G06F17/50
CPC classification number: H01L27/115 , G06F17/5068 , G11C17/12 , H01L27/0207 , H01L27/11233
Abstract: 本发明提供一种基于OTP存储器制作MROM存储器的方法，依据OTP存储器版图，去除所述用于存储数据“0”的OTP存储单元的第二MOS管的浮栅以使该OTP存储单元转化为用于存储数据“0”的MROM存储单元，并保留所述OTP存储器版图中用于存储数据“1”的OTP存储单元的原有结构作为用于存储数据“1”的MROM存储单元，以形成MROM存储器版图，然后依据MROM存储器版图制作MROM存储器。本发明对经过调试、存储数据确定好的OTP存储器版图修改成MROM存储器版图，在制作过程中只需要修改一层掩膜就可以把制作OTP的工艺转化为制作MROM的工艺。本发明大大的节省了器件的编程、测试的时间和成本，简化了工艺过程，从而大大地降低了产品的成本，提高了利润。
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公开(公告)号：CN102024491B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN200910196045.X
申请日：2009-09-22
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司
Inventor： 郭术明
IPC: G11C11/401 , G11C11/4063 , G11C11/408 , G11C11/4091
Abstract: 本发明涉及一种随机读写存储器及其控制方法。该随机读写存储器包括多个呈阵列排布的存储单元，每一存储单元包括第一晶体管、第二晶体管和存储电容，该存储电容连接于该第一晶体管、第二晶体管之间，该第一晶体管用于控制数据读出或者写入该存储电容，该第二晶体管用于控制对该存储电容的数据刷新。本发明的随机读写存储器有较快的读写速度，又具有较小的存储单元面积和工作功耗。
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