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    具有垂直超薄体晶体管的可编程存储器的寻址和译码器电路
    91.
    发明授权
    具有垂直超薄体晶体管的可编程存储器的寻址和译码器电路 失效

    公开(公告)号：CN100350613C

    公开(公告)日：2007-11-21

    申请号：CN02804798.2

    申请日：2002-02-06

    申请人： 微米技术有限公司

    发明人： L·福尔贝斯

    IPC分类号： H01L27/108

    CPC分类号： H01L29/66825 ,  G11C29/789 ,  H01L21/84 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11553 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7881

    摘要： 本发明提供用于可编程存储器的寻址和译码器电路的结构和方法。存储器寻址和译码器电路包括多条地址线和多条输出线，由此地址线和输出线形成一个阵列。多个垂直柱体在输出线和地址线交叉处从半导体衬底向外延伸。每个柱体包括由氧化层分隔的单晶的第一接触层和第二接触层。靠近该多个垂直柱体选择性地设置多个单晶的超薄垂直浮栅晶体管。每个单晶的垂直浮栅晶体管包括耦连到第一接触层的超薄单晶垂直的第一源/漏区、耦连到第二接触层的超薄单晶垂直的第二源/漏区、以及与氧化层相对设置并耦连第一和第二源/漏区的超薄单晶垂直体区。浮栅与超薄单晶垂直体区相对。多条地址线的每一条地址线作为一个控制栅、设置在柱体的行之间并与单晶垂直浮栅晶体管的浮栅相对。

    在开口中形成导电材料用以在电容中形成电极的方法
    92.
    发明授权
    在开口中形成导电材料用以在电容中形成电极的方法 失效

    公开(公告)号：CN100342520C

    公开(公告)日：2007-10-10

    申请号：CN03820195.X

    申请日：2003-08-28

    申请人： 微米技术有限公司

    发明人： H·E·罗德斯 ,  R·H·莱恩

    IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/334

    CPC分类号： H01L27/10852 ,  H01L21/76877 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10855 ,  H01L28/91

    摘要： 使用支撑层辅助平面化处理以在开口内形成导电材料(例如Ⅷ族金属)的方法和结构。而且，这种方法和结构可以使用Ⅷ族金属作为平面化处理的蚀刻终止或终点，随后蚀刻除去不需要的Ⅷ族金属部分。在开口内提供导电材料(44)的一个典型方法包括，提供具有至少一个表面的基底组件，并提供通过基底组件表面限定的开口。开口由至少一个表面限定。至少一种导电材料(44)(例如至少一种Ⅷ族金属，如铂和/或铑)形成在开口内限定该开口的至少一个表面上，并且形成在基底组件表面的一部分上。支撑膜(46)(例如氧化物材料)形成在导电材料上，并且填充材料(48)(例如光刻胶材料)形成在支撑膜的至少一部分上。所述填充材料至少填充开口。然后，至少开口外面的填充材料通过平面化除去。然后除去开口外部的支撑膜、开口外部的所述至少一种导电材料、开口内部的填充材料和开口内部的支撑膜。

    具有垂直U形晶体管的DRAM单元
    93.
    发明公开
    具有垂直U形晶体管的DRAM单元 无效

    公开(公告)号：CN101044615A

    公开(公告)日：2007-09-26

    申请号：CN200580035636.9

    申请日：2005-08-30

    申请人： 微米技术有限公司

    发明人： 维尔纳·云林

    IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L21/336 ,  H01L27/108 ,  H01L29/423

    CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/11 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11517 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/78

    摘要： 本发明包含具有U形晶体管(2406)的半导体结构(100)，所述U形晶体管(2406)通过蚀刻半导体衬底(110)形成。在一个实施方案中，将所述晶体管的源极/漏极区设置在由衬底(110)中相交的沟槽限定的支柱对的顶部上。一根支柱通过在环绕的沟槽上方延伸的槽脊(2407)连接到所述对中的另一根支柱上。所述槽脊和所述支柱的下部限定在U形结构的相反侧的U形沟道，面向在这些相反侧的沟槽中的栅极结构，形成两面环绕的晶体管。任选地，还使用栅极电极材料填充在一对支柱之间的空间以限定三面环绕的栅极晶体管。每一对源极/漏极区中的一个延伸至位线(2914)，并且另一个延伸至存储器存储器件，如电容器(2910)。本发明还包括形成半导体结构的方法。

    掩模材料转化
    94.
    发明公开
    掩模材料转化 有权

    公开(公告)号：CN101044595A

    公开(公告)日：2007-09-26

    申请号：CN200580035659.X

    申请日：2005-08-23

    申请人： 微米技术有限公司

    发明人： 米尔扎夫·K·阿巴切夫 ,  古尔特基·桑赫

    IPC分类号： H01L21/033 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311

    CPC分类号： H01L21/308 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139

    摘要： 掩模图案如间距倍增的隔体的尺寸通过在将它们形成之后，控制在所述图案中的特征的增长得到控制。为了形成间距倍增的隔体(175a)的图案，首先形成芯棒的图案，使其覆盖在半导体衬底(110)上面。然后通过在所述芯棒上面沉积材料的覆盖层，并且从水平面上优先除去隔体材料，在所述芯棒的侧壁上形成隔体。然后选择性除去所述芯棒，从而留下自立的隔体的图案。所述隔体包含已知在氧化之后增加尺寸的材料，如多晶硅和非晶硅。所述隔体被氧化以使它们增长至需要的宽度(95)。在达到所述需要的宽度之后，可以使用隔体(175a)用作掩模以将下层(150)和所述衬底(110)形成图案。有利地，因为通过氧化使所述隔体(175a)增长，所以可以在所述芯棒上面沉积较薄的覆盖层，从而允许沉积更共形的覆盖层并且加宽用于形成隔体的加工窗口。

    分层电阻可变存储装置和制造方法
    99.
    发明公开
    分层电阻可变存储装置和制造方法 无效

    公开(公告)号：CN1965418A

    公开(公告)日：2007-05-16

    申请号：CN200580018247.5

    申请日：2005-03-24

    申请人： 微米技术有限公司

    发明人： K·A·坎贝尔 ,  J·李 ,  A·麦蒂尔 ,  J·T·穆尔

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625

    摘要： 本发明涉及提供一种具有改进的数据保持和切换特性的电阻可变存储元件的方法和设备。按照本发明，所提供的电阻可变存储元件具有至少一个含金属层(18)以及顶部和底部电极(14，22)，所述含金属层(18)优选地为硒化银层，位于两个硫属化物玻璃层(17，20)之间，所述两个硫属化物玻璃层(17，20)优选地具有GexSe100－x的成分。在至少第二硫属化物玻璃层(20)的上面设置金属层(50)，其优选地为银层，并且在所述银层上面布置导电粘合层(30)。按照本发明的另一个实施例，所提供的电阻可变存储元件具有第一硫属化物玻璃层(17)，银层(40′)位于所述第一硫属化物玻璃层上面，硒化银层(18)位于所述银层上面，第二硫属化物玻璃层(20)位于所述硒化银层上面，并且可选地使第二银层位于所述第二硫属化物玻璃层上面。

    用于半导体结构的电连接的形成方法
    100.
    发明公开
    用于半导体结构的电连接的形成方法 有权

    公开(公告)号：CN1961416A

    公开(公告)日：2007-05-09

    申请号：CN200580014332.4

    申请日：2005-04-28

    申请人： 微米技术有限公司

    发明人： L·C·特兰 ,  F·D·费什博恩

    IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L27/105

    CPC分类号： H01L21/7681 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823475

    摘要： 本发明包括用于形成与半导体结构相关联的电连接的方法。提供其上具有导电线的半导体衬底，该半导体衬底具有至少两个与该导电线相邻的扩散区。在扩散区上方形成图案化蚀刻停止层。图案化的蚀刻停止层具有一对贯穿其的开口，所述开口沿着基本与线的轴平行的行。在蚀刻停止层上形成绝缘材料。对该绝缘材料进行蚀刻以在绝缘材料内形成沟槽，并将开口从蚀刻停止层延伸到扩散区。沟槽的至少一部分直接在开口的上方并沿着线的轴延伸。在开口内和在沟槽内形成导电材料。