公开(公告)号：CN1947252A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200580013167.0

申请日：2005-04-26

申请人： 微米技术有限公司

发明人： L·C·特兰 ,  F·D·费什博恩

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L27/10888 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11531 ,  H01L27/24 ,  Y10S257/906 ,  Y10S257/908

摘要： 本发明包括存储器阵列、和用于形成存储器阵列的方法。在存储器阵列制造过程中使用图案化的蚀刻停止，该蚀刻停止覆盖存储节点接触位置，同时给位线接触位置留下开口。在蚀刻停止上和位线接触位置上形成绝缘材料，穿过绝缘材料形成沟槽。在沟槽内设置导电材料，从而形成位线互连，该位线互连与位线接触位置电接触并通过蚀刻停止与存储节点接触位置电隔离。在随后的处理中，穿过蚀刻停止形成开口，该开口到达存储节点接触位置。然后在开口内形成存储器存储器件，其与存储节点接触位置电接触。

公开(公告)号：CN1961416A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200580014332.4

申请日：2005-04-28

申请人： 微米技术有限公司

发明人： L·C·特兰 ,  F·D·费什博恩

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L27/105

CPC分类号： H01L21/7681 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823475

摘要： 本发明包括用于形成与半导体结构相关联的电连接的方法。提供其上具有导电线的半导体衬底，该半导体衬底具有至少两个与该导电线相邻的扩散区。在扩散区上方形成图案化蚀刻停止层。图案化的蚀刻停止层具有一对贯穿其的开口，所述开口沿着基本与线的轴平行的行。在蚀刻停止层上形成绝缘材料。对该绝缘材料进行蚀刻以在绝缘材料内形成沟槽，并将开口从蚀刻停止层延伸到扩散区。沟槽的至少一部分直接在开口的上方并沿着线的轴延伸。在开口内和在沟槽内形成导电材料。