CMOS像素、图像传感器、摄像机和用于读取CMOS像素的方法

    公开(公告)号:CN109479105A

    公开(公告)日:2019-03-15

    申请号:CN201780043178.6

    申请日:2017-07-10

    Inventor: S·弗里茨

    CPC classification number: H04N5/37457 H04N5/35563 H04N5/3559 H04N5/37452

    Abstract: 一种CMOS像素,该CMOS像素具有双转换增益读取电路,该双转换增益读取电路具有至少一个第一光电二极管(PD1)、扩散区域(FD),该扩散区域具有第一电容(CFD),该第一电容用于接收至少一个第一光电二极管(PD1)的电荷,其中,该双转换增益读取电路构造用于借助第一增益因子并且借助第二增益因子来读取扩散区域(FD)的电荷,其中,CMOS像素具有至少一个第二光电二极管(PD2),其中,该扩散区域(FD)还构造用于接收至少一个第二光电二极管(PD2)的电荷,并且该双转换增益读取电路构造用于借助至少一个第三增益因子和至少一个第四增益因子来读取扩散区域(FD)的电荷。

    调节像素亮度特性的图像处理设备

    公开(公告)号:CN108076270A

    公开(公告)日:2018-05-25

    申请号:CN201711105592.3

    申请日:2017-11-10

    Abstract: 公开了一种调节像素亮度特性的图像处理设备。图像处理设备设置有:图像获取单元,该图像获取单元从安装在车辆上的成像单元获取图像;灯确定单元,该灯确定单元确定安装在车辆上的灯的状态;以及调节单元,该调节单元调节要由成像单元捕获的对象处的亮度与图像中的像素值之间的关系。调节单元被配置成:当灯确定单元确定灯的状态处于近光状态时,将像素值为下限处的亮度设置成低于在灯确定单元确定灯的状态处于远光状态的情况下的像素值为下限处的亮度。

    固态成像设备和相机系统

    公开(公告)号:CN102984472B

    公开(公告)日:2017-06-23

    申请号:CN201210314443.9

    申请日:2012-08-30

    Applicant: 索尼公司

    Abstract: 一种固态成像设备,包括:像素单元,其中以矩阵样式布置像素;以及像素信号读出单元,包括执行从像素单元读出的像素信号的模拟‑数字(AD)转换的AD转换单元,其中在所述像素单元中包括的每个像素包括划分像素,所述划分像素被划分到感光性级别或电荷累积量彼此不同的区域,所述像素信号读出单元包括正常读出模式和多倍读出模式,并包括根据读出模式的改变而改变帧的配置的功能,以及其中AD转换单元通过在对划分像素信号执行AD转换时对划分像素信号进行相加来获得一个像素的像素信号。

    成像装置和驱动固态成像器件的方法

    公开(公告)号:CN102859995B

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201180020186.1

    申请日:2011-04-15

    Abstract: 本发明提供一种成像装置,该成像装置能够实现颜色再现性的改善和动态范围的扩展,而与被摄对象无关。该成像装置包括固态成像器件(5)和驱动单元(10),该固态成像器件(5)具有多对光谱灵敏度特性不同的光电转换元件(51W)和(51N),该驱动单元(10)独立地控制光电转换元件(51W)和(51N)的曝光时间,其中每一对中的光电转换元件(51W)主要具有光谱灵敏度的波长范围和每一对中的光电转换元件(51N)主要具有光谱灵敏度的波长范围落入可见光的特定颜色的相应波长范围内,所述多对包括具有不同特定颜色的多种类型的对,以及驱动单元(10)可切换地执行第一控制和第二控制,在第一控制中光电转换元件(51W)的曝光时间长于光电转换元件(51N)的曝光时间,在第二控制中光电转换元件(51N)的曝光时间长于光电转换元件(51W)的曝光时间。

    固态摄像器和固态摄像系统

    公开(公告)号:CN103024304B

    公开(公告)日:2015-10-28

    申请号:CN201210070827.0

    申请日:2012-03-16

    Inventor: 关根弘一

    Abstract: 本发明涉及固态摄像器和固态摄像系统。某些实施例提供了包括第一像素、第二像素和输出电路的固态摄像器。所述第一像素具有第一光电二极管以及在所述光电二极管之上形成的第一微透镜。所述第二像素具有第二光电二极管以及在所述第二光电二极管之上形成并小于所述第一微透镜的第二微透镜。进一步地,所述第二像素具有所述第一像素的1/n倍的敏感性和所述第一像素的n倍的光电转换周期。所述输出电路输出基于所述第一信号电荷的电荷量的第一检测信号和基于所述第二信号电荷的电荷量的第二检测信号之差的差分信号。

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