公开(公告)号：CN101933124A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200980103969.9

申请日：2009-01-16

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 仕田裕贵 ,  清水崇文 ,  池田正俊 ,  洼内翔 ,  柴田阳介 ,  内仓和一 ,  竹村彰浩

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明的化学机械研磨用水系分散体是包含(A)二氧化硅微粒和(B1)有机酸的化学机械研磨用水系分散体，其中前述(A)二氧化硅微粒具有下述化学性质。从通过ICP发光分析法或ICP质量分析法进行的元素分析和通过离子色谱分离法进行的铵离子定量分析测定的钠、钾和铵离子的含量满足：钠含量：5～500ppm，选自钾和铵离子的至少一种的含量：100～20000ppm的关系。

公开(公告)号：CN100526015C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200610057704.8

申请日：2006-02-23

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 仕田裕贵 ,  服部雅幸

IPC: B24B29/00 ,  H01L21/304 ,  C09G1/02

Abstract: 一种化学机械研磨方法，其中，包含通过连续进行第一研磨工序和比该第一研磨工序研磨速度慢的第二研磨工序来化学机械地研磨被研磨面的过程；在前述第一研磨工序和前述第二研磨工序中使用的化学机械研磨用水系分散体是水系分散体(I)和水溶液(II)的混合物；在前述第一研磨工序和前述第二研磨工序中，通过改变前述水系分散体(I)和前述水溶液(II)的混合比来改变研磨速度。

公开(公告)号：CN101933124B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200980103969.9

申请日：2009-01-16

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 仕田裕贵 ,  清水崇文 ,  池田正俊 ,  洼内翔 ,  柴田阳介 ,  内仓和一 ,  竹村彰浩

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/3105 ,  C01G1/02

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

Abstract: 本发明的化学机械研磨用水系分散体是包含(A)二氧化硅微粒和(B1)有机酸的化学机械研磨用水系分散体，其中前述(A)二氧化硅微粒具有下述化学性质。从通过ICP发光分析法或ICP质量分析法进行的元素分析和通过离子色谱分离法进行的铵离子定量分析测定的钠、钾和铵离子的含量满足：钠含量：5～500ppm，选自钾和铵离子的至少一种的含量：100～20000ppm的关系。

公开(公告)号：CN1974636B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200610160614.1

申请日：2006-11-29

Applicant: JSR株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 仕田裕贵 ,  松井之辉 ,  重田厚 ,  平沢信一 ,  加藤宽和 ,  木下正子 ,  西冈岳 ,  矢野博之

IPC: C08J5/14 ,  H01L21/304 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/7681 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76835

Abstract: 提供能够确保有机膜的平坦性、且能够抑制刮痕产生的有机膜研磨用化学机械研磨浆料和化学机械研磨方法，以及布线阻抗和布线间容量被减少、且布线收率高的半导体装置的制造方法。有机膜研磨用化学机械研磨浆料含有表面具有官能团的聚合物粒子和水溶性高分子。

公开(公告)号：CN101410955B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200780011516.4

申请日：2007-03-27

Applicant: JSR株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 内仓和一 ,  仕田裕贵 ,  桥口裕一 ,  南幅学 ,  福岛大 ,  竖山佳邦 ,  矢野博之

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/7684 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供化学机械研磨用水系分散体，含有作为磨粒的成分(A)、喹啉羧酸和吡啶羧酸中至少一方的成分(B)、除了喹啉羧酸和吡啶羧酸以外的有机酸的成分(C)、作为氧化剂的成分(D)以及作为具有三键的非离子型表面活性剂的成分(E)，所述成分(B)的配合量(WB)与所述成分(C)的配合量(WC)的质量比(WB/WC)为0.01以上且小于2，所述成分(E)由下述通式(1)表示。(式中，m和n各自独立为1以上的整数，并且满足m+n≦50)。

公开(公告)号：CN101537599B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200910127065.1

申请日：2006-02-23

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 仕田裕贵 ,  服部雅幸

IPC: B24B37/04 ,  C09G1/02 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨方法，在采用镶嵌法制造半导体装置的工序中，通过连续进行第一研磨工序和比该第一研磨工序研磨速度慢的第二研磨工序，化学机械地研磨埋设于配线用凹部的金属配线部以外的应除去的剩余金属配线材料，第一研磨工序和第二研磨工序中使用的化学机械研磨用水系分散体混合物是水系分散体(I)和水溶液(II)的混合物，在第一研磨工序和第二研磨工序中，通过改变水系分散体(I)和水溶液(II)的混合比来改变研磨速度，第二研磨工序中所述剩余金属配线材料的研磨速度为第一研磨工序中所述剩余金属配线材料的研磨速度的10～80％。该方法可有效地除去剩余的配线材料，而且能够给予高品质被研磨面。

公开(公告)号：CN101537599A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910127065.1

申请日：2006-02-23

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 仕田裕贵 ,  服部雅幸

IPC: B24B37/04 ,  C09G1/02 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨方法，在采用镶嵌法制造半导体装置的工序中，通过连续进行第一研磨工序和比该第一研磨工序研磨速度慢的第二研磨工序，化学机械地研磨埋设于配线用凹部的金属配线部以外的应除去的剩余金属配线材料，第一研磨工序和第二研磨工序中使用的化学机械研磨用水系分散体混合物是水系分散体(I)和水溶液(II)的混合物，在第一研磨工序和第二研磨工序中，通过改变水系分散体(I)和水溶液(II)的混合比来改变研磨速度，第二研磨工序中所述剩余金属配线材料的研磨速度为第一研磨工序中所述剩余金属配线材料的研磨速度的10～80％。该方法可有效地除去剩余的配线材料，而且能够给予高品质被研磨面。

公开(公告)号：CN101490814A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780026430.9

申请日：2007-09-27

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 浪江祐司 ,  金野智久 ,  元成正之 ,  仕田裕贵 ,  竹村彰浩

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/30625 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨用水系分散体，其特征在于，含有(A)重均分子量为500,000～2,000,000且在分子内具有杂环的第一水溶性高分子、(B)重均分子量为1,000～10,000且具有选自羧基及磺基中的一种的第二水溶性高分子或其盐、(C)氧化剂、以及(D)磨料，pH为7～12。

公开(公告)号：CN101410955A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200780011516.4

申请日：2007-03-27

Applicant: JSR株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 内仓和一 ,  仕田裕贵 ,  桥口裕一 ,  南幅学 ,  福岛大 ,  竖山佳邦 ,  矢野博之

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: H01L21/7684 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明提供化学机械研磨用水系分散体，含有作为磨粒的成分(A)、喹啉羧酸和吡啶羧酸中至少一方的成分(B)、除了喹啉羧酸和吡啶羧酸以外的有机酸的成分(C)、作为氧化剂的成分(D)以及作为具有三键的非离子型表面活性剂的成分(E)，所述成分(B)的配合量(WB)与所述成分(C)的配合量(WC)的质量比(WB/WC)为0.01以上且小于2，所述成分(E)由上述通式(1)表示。(式中，m和n各自独立为1以上的整数，并且满足m+n≤50)。

公开(公告)号：CN101328399A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810126648.8

申请日：2008-06-17

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 国谷英一郎 ,  仕田裕贵 ,  内仓和一

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1409 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明涉及化学机械研磨用水系分散体制备用试剂盒及其应用。本发明的目的在于提供一种化学机械研磨用水系分散体的制备方法、以及即使是在浓缩状态下长期保存稳定性也优异的化学机械研磨用水系分散体制备用试剂盒，所述化学机械研磨用水系分散体在利用化学机械研磨的被研磨面的平坦化工序中能够抑制凹陷、磨蚀、划痕乃至磨齿等表面缺陷。本发明的化学机械研磨用水系分散体制备用试剂盒，具备第1组合物和第2组合物，所述第1组合物包含平均一次粒径为15nm～40nm的胶态二氧化硅和碱性化合物、且pH为8～11，所述第2组合物包含聚(甲基)丙烯酸和除其以外的具有2个以上羰基的有机酸、且pH为1～5。