紫外灯珠辅助异质材料同步去除抛光盘装置

    公开(公告)号:CN120023752A

    公开(公告)日:2025-05-23

    申请号:CN202510443393.1

    申请日:2025-04-10

    Abstract: 本发明提供一种紫外灯珠辅助异质材料同步去除抛光盘装置,涉及抛光技术领域,其包括:抛光垫、抛光盘、隔板、紫外灯珠模块、冷却模块和支撑架;隔板设置在支撑架上,抛光盘设置在隔板上,抛光垫设置在抛光盘上;抛光垫上设置有若干个第一通孔,抛光盘上设置有若干个第二通孔;各第一通孔和各第二通孔内均设置有导光灯柱;各第一通孔和各第二通孔均呈设定规律排布设置;紫外灯珠模块和冷却模块均设置在支撑架内;紫外灯珠模块设置在冷却模块上;紫外灯珠模块包括若干个紫外灯珠;紫外灯珠的数量与第二通孔的数量相同;各紫外灯珠呈设定规律排布设置且与各第二通孔相对应设置。本发明实现紫外光的均匀照射,促进材料的均匀去除。

    一种基于微悬臂转移的微球探针制备方法

    公开(公告)号:CN110155938B

    公开(公告)日:2022-01-28

    申请号:CN201910501377.8

    申请日:2019-06-11

    Abstract: 本发明提供了一种基于微悬臂转移的微球探针制备方法,属于微纳米制造技术领域。本发明工艺简单,成本低廉,可以用于微纳加工或压痕力学特性等测试的微球探针的制备;本发明可以实现任意颗粒材料的灵活粘接,并且与任意受体平台任意匹配;悬臂在转移微球的同时能够充当传递层,增加微球与受体平台的接触面积,进而降低接触压力以减小受体平台的变形;通过微悬臂可以实现探针制备过程中微球在受体尖端的准确定位,且可以避免尺寸较小的微球在粘接时完全浸入胶水,污染微球探针表面。

    一种基于微悬臂转移的微球探针制备方法

    公开(公告)号:CN110155938A

    公开(公告)日:2019-08-23

    申请号:CN201910501377.8

    申请日:2019-06-11

    Abstract: 本发明提供了一种基于微悬臂转移的微球探针制备方法,属于微纳米制造技术领域。本发明工艺简单,成本低廉,可以用于微纳加工或压痕力学特性等测试的微球探针的制备;本发明可以实现任意颗粒材料的灵活粘接,并且与任意受体平台任意匹配;悬臂在转移微球的同时能够充当传递层,增加微球与受体平台的接触面积,进而降低接触压力以减小受体平台的变形;通过微悬臂可以实现探针制备过程中微球在受体尖端的准确定位,且可以避免尺寸较小的微球在粘接时完全浸入胶水,污染微球探针表面。

    一种具有接触力测控的晶圆滚刷旋转刷洗装置

    公开(公告)号:CN119993876A

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202510202188.6

    申请日:2025-02-24

    Abstract: 本发明公开了一种具有接触力测控的晶圆滚刷旋转刷洗装置,包括旋转平台电机、箱体、梁、滚刷电机、后压力传感器、微型模组、滚刷电机轴、滚刷和前压力传感器,所述旋转平台电机位于箱体的底部,梁的一端安装于箱体内,另一端穿过箱体与前压力传感器相连,所述后压力传感器与梁连接并位于箱体内。所述滚刷电机位于箱体内,滚刷电机的转轴端与滚刷电机轴的端部相连,滚刷电机轴与滚刷相连,滚刷的另一端与连接件相连。

    基于压痕诱导选择性刻蚀的单晶硅表面针尖的加工方法

    公开(公告)号:CN106567131B

    公开(公告)日:2020-11-24

    申请号:CN201610981246.0

    申请日:2016-11-08

    Abstract: 本发明公开了一种基于压痕诱导选择性刻蚀的单晶硅表面针尖的加工方法,包括以下步骤:S1、将单晶硅(100)表面清洗干净,对单晶硅(100)表面进行氧化层去除处理;S2、利用Berkovich探针在单晶硅(100)表面做压痕坑;S3、采用氢氧化钾‑水‑异丙醇溶液对单晶硅(100)表面进行刻蚀,得到针尖阵列结构。本发明所提供的单晶硅表面针尖的加工方法,采用纳米压痕与KOH溶液后续刻蚀相结合的方法,即可用于制备单针尖结构也可用于制备多针尖阵列结构,该方法操作简单、灵活、高效、成本低廉。

    基于压痕诱导选择性刻蚀的单晶硅表面针尖的加工方法

    公开(公告)号:CN106567131A

    公开(公告)日:2017-04-19

    申请号:CN201610981246.0

    申请日:2016-11-08

    Abstract: 本发明公开了一种基于压痕诱导选择性刻蚀的单晶硅表面针尖的加工方法,包括以下步骤:S1、将单晶硅(100)表面清洗干净,对单晶硅(100)表面进行氧化层去除处理;S2、利用Berkovich探针在单晶硅(100)表面做压痕坑;S3、采用氢氧化钾‑水‑异丙醇溶液对单晶硅(100)表面进行刻蚀,得到针尖阵列结构。本发明所提供的单晶硅表面针尖的加工方法,采用纳米压痕与KOH溶液后续刻蚀相结合的方法,即可用于制备单针尖结构也可用于制备多针尖阵列结构,该方法操作简单、灵活、高效、成本低廉。

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