公开(公告)号：CN1992359B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN200610064047.X

申请日：2006-09-22

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 大前晓 ,  盐见治典 ,  风田川统之 ,  网隆明 ,  宫嵨孝夫 ,  平松雄司 ,  畑田出穗 ,  冈野展贤 ,  冨谷茂隆 ,  簗嵨克典 ,  日野智公 ,  成井启修

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供在其一个主表面上具有多个突起部的异质衬底并且在异质衬底的每个凹入部上经过形成三角形截面的状态，生长第一氮化物基III-V族化合物半导体层，突起部由与异质衬底不同类型的材料制成，凹入部的底表面为三角形的底；在异质衬底上从第一氮化物基III-V族化合物半导体层横向生长第二氮化物基III-V族化合物半导体层；以及在第二氮化物基III-V族化合物半导体层上顺序生长第一导电型的第三氮化物基III-V族化合物半导体层、有源层和第二导电型的第四氮化物基III-V族化合物半导体层。

公开(公告)号：CN101807522B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201010125298.0

申请日：2008-05-19

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 大前晓 ,  有持佑之 ,  御友重吾 ,  风田川统之 ,  日野智公

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/16

CPC classification number: H01L33/16 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L2224/48465

Abstract: 本发明公开半导体层生长方法及半导体发光元件制造方法。在此公开一种生长半导体层的方法，该方法包括在六方晶体结构基板的(1-102)面上生长具有(11-20)面方位的六方晶体结构半导体层的步骤，使得至少一个面向外，该面选自(11-22)面、(0001)面、(000-1)面、(33-62)面和(1-100)面。本发明还涉及一种制造半导体发光元件的方法。

公开(公告)号：CN1147921C

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：CN99124388.9

申请日：1999-11-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 日野智公 ,  浅野竹春 ,  朝妻庸纪 ,  喜嶋悟 ,  船户健次 ,  富谷茂隆

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0332 ,  H01S5/2077 ,  H01S5/32341

Abstract: 在衬底上制作至少上表面为氮化物的多层薄膜作为生长掩模并利用生长掩模选择生长III-V族氮化物半导体。生长掩模可以是氧化物和其上的氮化物；金属和其上的氮化物；氧化物、由氮化物和氧化物组成的薄膜以及其上的氮化物；或第一金属，其上与第一金属不同的第二金属和其上的氮化物。氧化物可以是SiO2，氮化物可以是TiN或SiN，由氮化物和氧化物组成的薄膜可以是SiNO，金属可以是Ti或Pt。

公开(公告)号：CN101409231A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200810179947.8

申请日：2008-05-19

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 大前晓 ,  有持佑之 ,  御友重吾 ,  风田川统之 ,  日野智公

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/16 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L2224/48465

Abstract: 在此公开一种生长半导体层的方法，该方法包括在六方晶体结构基板的(1－100)面上生长具有(11－22)或(10－13)面方位的六方晶体结构半导体层的步骤。本发明还涉及一种制造半导体发光元件的方法、一种半导体发光元件以及一种具有一个或多个半导体发光元件的电子器件。

公开(公告)号：CN1822406A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610008643.6

申请日：2006-02-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 里泰雄 ,  御友重吾 ,  横关弥树博 ,  日野智公 ,  成井启修

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3235 ,  H01S5/343

Abstract: 提供了一种能够实现长寿命的半导体发光器件，一种制造该半导体发光器件的方法和一种使用该半导体发光器件的光模块。所述半导体发光器件具有有源层，其中层叠由Ga1－xInxNyAs1－y－zSbz混晶(0≤x＜1，0＜y＜1，0≤z＜1，且0＜y+z＜1)制成的阱层和由GaNvAs1－v混晶(0≤v＜1)制成的势垒层。所述有源层中的氢的杂质浓度为3×1019cm－3或更小，且所述有源层中的铝的杂质浓度为1×1018cm－3或更小。因此，抑制了工作电流增大且能够实现长寿命。可以通过在生长有源层时减小被用作氮的原材料的有机氮化合物的流量来减小氢浓度。

公开(公告)号：CN1670917A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510055793.8

申请日：2005-03-21

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 里泰雄 ,  日野智公 ,  成井启修

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/1035 ,  H01L31/1844 ,  H01L31/1852 ,  H01L33/0062 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种制造化合物半导体以及制造半导体器件的方法，该半导体包括衬底和相对于该衬底的晶格失配比为2％或更多的化合物半导体层，该制造半导体的方法包括：在所述衬底上形成缓冲层的第一外延生长步骤，该缓冲层在厚度方向上具有预定分布的晶格失配比来减小应变；和在缓冲层上形成化合物半导体层的第二外延生长步骤。第一外延生长步骤在600℃或更低的温度下通过金属有机化学气相沉积来进行。

公开(公告)号：CN1501444A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN03127864.7

申请日：1999-11-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 日野智公 ,  浅野竹春 ,  朝妻庸纪 ,  喜嶋悟 ,  船户健次 ,  富谷茂隆

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0332 ,  H01S5/2077 ,  H01S5/32341

Abstract: 在衬底上制作至少上表面为氮化物的多层薄膜作为生长掩模并利用生长掩模选择生长III－V族氮化物半导体。生长掩模可以是氧化物和其上的氮化物；金属和其上的氮化物；氧化物、由氮化物和氧化物组成的薄膜以及其上的氮化物；或第一金属，其上与第一金属不同的第二金属和其上的氮化物。氧化物可以是SiO2，氮化物可以是TiN或SiN，由氮化物和氧化物组成的薄膜可以是SiNO，金属可以是Ti或Pt。

公开(公告)号：CN101188267B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200710305145.2

申请日：2007-10-18

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 渡部义昭 ,  日野智公 ,  冈野展贤 ,  仓持尚叔 ,  菊地雄一郎 ,  大桥达男

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明公开一种制造发光装置的方法和一种发光装置。所述方法包括步骤：(A)在衬底上方顺序形成第一导电类型的第一化合物半导体层、有源层、和不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二化合物半导体层；以及(B)暴露一部分所述第一化合物半导体层，在所述第一化合物半导体层的所述暴露部分上形成第一电极并且在所述第二化合物半导体层上形成第二电极，其中所述方法在所述步骤(B)之后还包括步骤：(C)利用SOG层至少覆盖所述第一化合物半导体层的所述暴露部分、所述有源层的暴露部分、所述第二化合物半导体层的暴露部分、和一部分所述第二电极。在本发明中，小孔或裂纹不容易产生并且电极被有极好的台阶覆盖性的覆盖层(绝缘层)覆盖。

公开(公告)号：CN100438104C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200610008643.6

申请日：2006-02-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 里泰雄 ,  御友重吾 ,  横关弥树博 ,  日野智公 ,  成井启修

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3235 ,  H01S5/343

Abstract: 提供了一种能够实现长寿命的半导体发光器件，一种制造该半导体发光器件的方法和一种使用该半导体发光器件的光模块。所述半导体发光器件具有有源层，其中层叠由Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz混晶(0≤x＜1，0＜y＜1，0≤z＜1，且0＜y+z＜1)制成的阱层和由GaNvAs1-v混晶(0≤v＜1)制成的势垒层。所述有源层中的氢的杂质浓度为3×1019cm-3或更小，且所述有源层中的铝的杂质浓度为1×1018cm-3或更小。因此，抑制了工作电流增大且能够实现长寿命。可以通过在生长有源层时减小被用作氮的原材料的有机氮化合物的流量来减小氢浓度。

公开(公告)号：CN1976076A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610160943.6

申请日：2006-12-01

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 渡部义昭 ,  日野智公 ,  小林俊雅 ,  成井启修

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，该半导体发光器件具有高反射率，并且在反光层和半导体层之间具有高电接触属性。该半导体发光器件是通过在透明衬底上顺序层叠半导体层、反光层和保护层形成的。半导体层是通过顺序层叠缓冲层、GaN层、n型接触层、n型覆层、有源层、p型覆层和p型接触层形成的。反光层是通过在以例如从100℃到小于400℃的温度加热衬底的同时在p型接触层的表面上沉积Ag合金形成的。在形成了半导体层、反光层和保护层后，半导体层、反光层和保护层在预定时间中被以比在加热衬底时的温度范围高的温度范围内的环境温度加热。