公开(公告)号：CN1501444A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN03127864.7

申请日：1999-11-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 日野智公 ,  浅野竹春 ,  朝妻庸纪 ,  喜嶋悟 ,  船户健次 ,  富谷茂隆

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0332 ,  H01S5/2077 ,  H01S5/32341

Abstract: 在衬底上制作至少上表面为氮化物的多层薄膜作为生长掩模并利用生长掩模选择生长III－V族氮化物半导体。生长掩模可以是氧化物和其上的氮化物；金属和其上的氮化物；氧化物、由氮化物和氧化物组成的薄膜以及其上的氮化物；或第一金属，其上与第一金属不同的第二金属和其上的氮化物。氧化物可以是SiO2，氮化物可以是TiN或SiN，由氮化物和氧化物组成的薄膜可以是SiNO，金属可以是Ti或Pt。

公开(公告)号：CN1147921C

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：CN99124388.9

申请日：1999-11-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 日野智公 ,  浅野竹春 ,  朝妻庸纪 ,  喜嶋悟 ,  船户健次 ,  富谷茂隆

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0332 ,  H01S5/2077 ,  H01S5/32341

Abstract: 在衬底上制作至少上表面为氮化物的多层薄膜作为生长掩模并利用生长掩模选择生长III-V族氮化物半导体。生长掩模可以是氧化物和其上的氮化物；金属和其上的氮化物；氧化物、由氮化物和氧化物组成的薄膜以及其上的氮化物；或第一金属，其上与第一金属不同的第二金属和其上的氮化物。氧化物可以是SiO2，氮化物可以是TiN或SiN，由氮化物和氧化物组成的薄膜可以是SiNO，金属可以是Ti或Pt。

公开(公告)号：CN1380726A

公开(公告)日：2002-11-20

申请号：CN02105969.1

申请日：2002-04-12

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 东條剛 ,  内田史朗 ,  喜嶋悟

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/22 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/2218 ,  H01S5/2219 ,  H01S5/32341

Abstract: 在此公开具有大约410纳米的振荡波长的一种凸脊波导型氮基III－V族组合物半导体激光器件,其具有较低的驱动电压、较高的FFP的半宽值θ”、以及较高的弯曲能级(即,在高输出范围上具有良好的光输出注入电流特性)。除了电流限制层之外,该激光器件在结构上类似于现有的半导体激光器件。其具有由SiO2膜(600埃厚度)和通过汽相淀积在SiO2膜上形成的无定型Si膜(300埃厚度)所构成的叠层膜。该叠层膜覆盖凸脊的侧面以及从凸脊的底部向两侧延伸的p－AlGaN包层。该SiO2膜和Si膜具有各自的厚度,确定该厚度使得基本水平横向模式的吸收系数大于初级水平横向模式的吸收系数。这种结构导致较高的弯曲能级,并且抑制高阶水平横向模式,较大的有效折射率差值Δn,以及较大的θ”数值,而不需减小凸脊的宽度。

公开(公告)号：CN1302519C

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN03127864.7

申请日：1999-11-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 日野智公 ,  浅野竹春 ,  朝妻庸纪 ,  喜嶋悟 ,  船户健次 ,  富谷茂隆

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

Abstract: 在衬底上制作至少上表面为氮化物的多层薄膜作为生长掩模并利用生长掩模选择生长Ⅲ-V族氮化物半导体。生长掩模可以是氧化物和其上的氮化物；金属和其上的氮化物；氧化物、由氮化物和氧化物组成的薄膜以及其上的氮化物；或第一金属，其上与第一金属不同的第二金属和其上的氮化物。氧化物可以是SiO2，氮化物可以是TiN或SiN，由氮化物和氧化物组成的薄膜可以是SiNO，金属可以是Ti或Pt。

公开(公告)号：CN1185770C

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：CN02105969.1

申请日：2002-04-12

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 东條剛 ,  内田史朗 ,  喜嶋悟

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/22 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/2218 ,  H01S5/2219 ,  H01S5/32341

Abstract: 在此公开具有大约410纳米的振荡波长的一种凸脊波导型氮基III-V族组合物半导体激光器件，其具有较低的驱动电压、较高的FFP的半宽值θ”、以及较高的弯曲能级(即，在高输出范围上具有良好的光输出注入电流特性)。除了电流限制层之外，该激光器件在结构上类似于现有的半导体激光器件。其具有由SiO2膜(600埃厚度)和通过汽相淀积在SiO2膜上形成的无定型Si膜(300埃厚度)所构成的叠层膜。该叠层膜覆盖凸脊的侧面以及从凸脊的底部向两侧延伸的p-AlGaN包层。该SiO2膜和Si膜具有各自的厚度，确定该厚度使得基本水平横向模式的吸收系数大于初级水平横向模式的吸收系数。这种结构导致较高的弯曲能级，并且抑制高阶水平横向模式，较大的有效折射率差值Δn，以及较大的θ”数值，而不需减小凸脊的宽度。

公开(公告)号：CN1258094A

公开(公告)日：2000-06-28

申请号：CN99124388.9

申请日：1999-11-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 日野智公 ,  浅野竹春 ,  朝妻庸纪 ,  喜嶋悟 ,  船户健次 ,  富谷茂隆

IPC: H01L21/20 ,  H01S5/323 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0332 ,  H01S5/2077 ,  H01S5/32341

Abstract: 在衬底上制作至少上表面为氮化物的多层薄膜作为生长掩模并利用生长掩模选择生长Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体。生长掩模可以是氧化物和其上的氮化物;金属和其上的氮化物;氧化物、由氮化物和氧化物组成的薄膜以及其上的氮化物;或第一金属,其上与第一金属不同的第二金属和其上的氮化物;氧化物可以是SiO2,氮化物可以是TiN或SiN,由氮化物和氧化物组成的薄膜可以是SiNO,金属可以是Ti或Pt。