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公开(公告)号：CN104024941B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201280065651.8
申请日：2012-11-23
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/004 , G03F7/00 , H01L21/027 , G03F7/26
CPC classification number: G03F7/094 , G03F7/0752 , G03F7/09 , G03F7/091 , G03F7/40 , H01L21/0276 , H01L21/0332
Abstract: 本发明涉及一种用于形成硬掩模的组合物，其包括溶剂和包含由式1和2表示的重复单元的共聚物，一种利用其形成图案的方法，以及一种包括通过所述方法形成的图案的半导体集成电路装置。
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公开(公告)号：CN104024941A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280065651.8
申请日：2012-11-23
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/004 , G03F7/00 , H01L21/027 , G03F7/26
CPC classification number: G03F7/094 , G03F7/0752 , G03F7/09 , G03F7/091 , G03F7/40 , H01L21/0276 , H01L21/0332
Abstract: 本发明涉及一种用于形成硬掩模的组合物，其包括溶剂和包含由式1和2表示的重复单元的共聚物，一种利用其形成图案的方法，以及一种包括通过所述方法形成的图案的半导体集成电路装置。
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公开(公告)号：CN104718497B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201380053489.2
申请日：2013-09-02
Applicant: 第一毛织株式会社
Abstract: 揭示硬罩幕组成物以及使用硬罩幕组成物的图案形成方法。硬罩幕组成物包括由下列化学式1表示的高分子、由下列化学式2表示的单体以及溶剂，其中所包含的单体的含量等同于或高于高分子的含量。一实施例的硬罩幕组成物确保耐热性以及耐蚀刻性，且满足填沟特性。
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公开(公告)号：CN104024940B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201280065648.6
申请日：2012-11-29
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F1/38 , G03F7/004 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: C07C39/21 , C07C39/225 , C08G65/38 , G03F1/00 , G03F7/094 , G03F7/20 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/0332 , H01L21/31144
Abstract: 本发明涉及一种由式1表示的用于硬掩模组合物的单体、包含该单体的硬掩模组合物、以及使用该硬掩模组合物形成图案的方法。
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公开(公告)号：CN104768912B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201380056460.X
申请日：2013-03-19
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C07C49/792 , G03F7/004
CPC classification number: G03F7/027 , C07C49/788 , C07C49/792 , C07C49/796 , C07C49/798 , C07C49/83 , C07C49/835 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/30 , G03F7/36
Abstract: 本发明是关于一种由化学式1表示的硬掩膜组成物用单体、一种含括所述单体的硬掩膜组成物，及一种使用所述硬掩膜组成物形成图案的方法。由所述硬掩膜组成物形成的薄层具有对抗蚀刻气体的充分的耐蚀刻性且因而具有更低的蚀刻速率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104253024B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201410063061.2
申请日：2014-02-24
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/311 , C08G61/02
CPC classification number: G03F7/094 , G03F7/09 , G03F7/091 , G03F7/11 , G03F7/162 , G03F7/30 , G03F7/36 , G03F7/40
Abstract: 本发明公开了硬掩模组合物、使用其形成图案的方法以及包括该图案的半导体集成电路装置，其中该硬掩模组合物包括由以下化学式1表示的单体、包含由以下化学式2表示的部分的聚合物、包含由以下化学式3表示的部分的聚合物、或者它们的组合，以及溶剂。在以下化学式1至3中，A、A′、A″、L、L′、X、X′、m、n、Ar、B、Xa以及Xb与具体实施方式中限定的相同。[化学式1][化学式2][化学式3]
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公开(公告)号：CN103904024B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310516715.8
申请日：2013-10-28
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/311 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/76804 , H01L21/76808 , H01L23/5226 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了形成半导体器件的双镶嵌结构的方法以及由其制造的半导体器件。该方法包括：（a）在衬底上形成第一和第二绝缘层；（b）形成具有在第二绝缘层上形成通孔的图案的抗蚀剂掩模；（c）形成向下至第一绝缘层下端的通孔；（d）以旋涂法在通孔中和第二绝缘层上形成硬掩模层；（e）形成具有在硬掩模层上形成槽孔的图案的抗蚀剂掩模；（f）形成通过抗蚀剂掩模向下深入到第二绝缘层下端的第一槽孔；（g）去除通孔中和第二绝缘层上的硬掩模层的一部分；（h）通过去除通孔的顶角和第一槽孔的底角之间的第二绝缘层的一部分形成第二槽孔；（i）去除保留在通孔中和第二绝缘层上的硬掩模层；（j）通过用导电材料填充通孔和第二槽孔形成上部导线。
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公开(公告)号：CN105026389A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201380073499.2
申请日：2013-05-08
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C07D407/10 , G03F7/004 , C08G59/22
CPC classification number: G03F7/11 , C07D303/14 , C07D303/32 , C09D5/00 , C09D7/63 , C09D163/00 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F7/34 , C07D407/10 , C08G59/22 , G03F7/004
Abstract: 揭示一种以下列化学式1表示的用于硬遮罩组成物的单体、包含所述单体的硬遮罩组成物及使用所述硬遮罩组成物形成图案的方法。
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公开(公告)号：CN104718497A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201380053489.2
申请日：2013-09-02
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: G03F7/004 , G03F7/0035 , G03F7/094
Abstract: 揭示硬罩幕组成物以及使用硬罩幕组成物的图案形成方法。硬罩幕组成物包括由下列化学式1表示的高分子、由下列化学式2表示的单体以及溶剂，其中所包含的单体的含量等同于或高于高分子的含量。
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公开(公告)号：CN104253024A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410063061.2
申请日：2014-02-24
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/311 , C08G61/02
CPC classification number: G03F7/094 , G03F7/09 , G03F7/091 , G03F7/11 , G03F7/162 , G03F7/30 , G03F7/36 , G03F7/40 , G03F7/092 , C08G61/02 , C08G2261/314 , G03F7/00 , H01L21/0271
Abstract: 本发明公开了硬掩模组合物、使用其形成图案的方法以及包括该图案的半导体集成电路装置，其中该硬掩模组合物包括由以下化学式1表示的单体、包含由以下化学式2表示的部分的聚合物、包含由以下化学式3表示的部分的聚合物、或者它们的组合，以及溶剂。在以下化学式1至3中，A、A′、A″、L、L′、X、X′、m、n、Ar、B、Xa以及Xb与具体实施方式中限定的相同。[化学式1][化学式2][化学式3]
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