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公开(公告)号：CN104768912A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201380056460.X
申请日：2013-03-19
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C07C49/792 , G03F7/004
CPC classification number: G03F7/027 , C07C49/788 , C07C49/792 , C07C49/796 , C07C49/798 , C07C49/83 , C07C49/835 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/30 , G03F7/36
Abstract: 本发明是关于一种由化学式1表示的硬掩膜组成物用单体、一种含括所述单体的硬掩膜组成物，及一种使用所述硬掩膜组成物形成图案的方法。
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公开(公告)号：CN105026389B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201380073499.2
申请日：2013-05-08
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C07D407/10 , G03F7/004 , C08G59/22
CPC classification number: G03F7/11 , C07D303/14 , C07D303/32 , C09D5/00 , C09D7/63 , C09D163/00 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F7/34
Abstract: 本发明揭示一种用于硬遮罩组成物的单体、包含所述单体的硬遮罩组成物及使用所述组成物形成图案的方法。本发明的用于硬遮罩组成物的单体，是以下列化学式1表示：[化学式1]其中，在以上的化学式1中，A是取代或未取代的多环芳香基，A'是取代或未取代的C6‑C20亚芳基，X是环氧基，Y是氢、羟基、C1至C10的烷基氨基、氨基、＝O或它们的组合，l是0至6的整数，及m和n是各自独立地为1至4的整数。本发明提供的用于硬遮罩组成物的单体，由于优异的交联而减少释气。
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公开(公告)号：CN104024941B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201280065651.8
申请日：2012-11-23
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/004 , G03F7/00 , H01L21/027 , G03F7/26
CPC classification number: G03F7/094 , G03F7/0752 , G03F7/09 , G03F7/091 , G03F7/40 , H01L21/0276 , H01L21/0332
Abstract: 本发明涉及一种用于形成硬掩模的组合物，其包括溶剂和包含由式1和2表示的重复单元的共聚物，一种利用其形成图案的方法，以及一种包括通过所述方法形成的图案的半导体集成电路装置。
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公开(公告)号：CN104024941A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280065651.8
申请日：2012-11-23
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/004 , G03F7/00 , H01L21/027 , G03F7/26
CPC classification number: G03F7/094 , G03F7/0752 , G03F7/09 , G03F7/091 , G03F7/40 , H01L21/0276 , H01L21/0332
Abstract: 本发明涉及一种用于形成硬掩模的组合物，其包括溶剂和包含由式1和2表示的重复单元的共聚物，一种利用其形成图案的方法，以及一种包括通过所述方法形成的图案的半导体集成电路装置。
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公开(公告)号：CN102143990A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200880130954.7
申请日：2008-12-31
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C08G77/04
CPC classification number: C08G77/04 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明提供一种适合用于制造半导体电容器的节点分离工艺的化合物。聚合物的分子量在贮存期间维持基本不改变。此外，聚合物以所需要的速率溶解于碱性显影溶液中，且在溶解速率(DR)无任何显著改变的情况下，在贮存期间具有高度稳定性。本发明还提供包含此化合物的组合物。该组合物在贮存期间具有高度稳定性。因此，该组合物适合用于填充半导体装置内部的小间隙。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104718497B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201380053489.2
申请日：2013-09-02
Applicant: 第一毛织株式会社
Abstract: 揭示硬罩幕组成物以及使用硬罩幕组成物的图案形成方法。硬罩幕组成物包括由下列化学式1表示的高分子、由下列化学式2表示的单体以及溶剂，其中所包含的单体的含量等同于或高于高分子的含量。一实施例的硬罩幕组成物确保耐热性以及耐蚀刻性，且满足填沟特性。
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公开(公告)号：CN104768912B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201380056460.X
申请日：2013-03-19
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C07C49/792 , G03F7/004
CPC classification number: G03F7/027 , C07C49/788 , C07C49/792 , C07C49/796 , C07C49/798 , C07C49/83 , C07C49/835 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/30 , G03F7/36
Abstract: 本发明是关于一种由化学式1表示的硬掩膜组成物用单体、一种含括所述单体的硬掩膜组成物，及一种使用所述硬掩膜组成物形成图案的方法。由所述硬掩膜组成物形成的薄层具有对抗蚀刻气体的充分的耐蚀刻性且因而具有更低的蚀刻速率。
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公开(公告)号：CN103896736B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201310300799.1
申请日：2013-07-17
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: C07C33/26 , C07C43/23 , G03F7/0752 , G03F7/09 , G03F7/40
Abstract: 本发明公开了用于硬掩模组合物的单体和包含单体的硬掩模组合物及使用硬掩模组合物形成图案的方法。用于硬掩模组合物的单体，由下面化学式1表示，其中在化学式1中，A0、A1、A2、L1、L1′、L2、L2′、X1、X2、m和n与具体实施方式中相同。[化学式1]
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公开(公告)号：CN102143990B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN200880130954.7
申请日：2008-12-31
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C08G77/04
CPC classification number: C08G77/04 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明提供一种适合用于制造半导体电容器的节点分离工艺的化合物。聚合物的分子量在贮存期间维持基本不改变。此外，聚合物以所需要的速率溶解于碱性显影溶液中，且在溶解速率(DR)无任何显著改变的情况下，在贮存期间具有高度稳定性。本发明还提供包含此化合物的组合物。该组合物在贮存期间具有高度稳定性。因此，该组合物适合用于填充半导体装置内部的小间隙。
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公开(公告)号：CN102070735A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010237809.8
申请日：2010-07-23
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C08F120/28 , C08F220/28 , C09D133/16 , H01L23/29 , H01L21/311
CPC classification number: C08F220/22 , C08F20/22 , C08F120/28 , C08F220/24 , C08F220/28 , C08F220/38 , C09D133/14 , C09J133/02 , C09J133/06 , G03F7/0752 , G03F7/11 , G03F7/2041 , C08F220/06 , C08F230/08
Abstract: 本发明披露了一种聚合物、用于保护层的组合物、以及使用其的图案化方法，尤其是一种通过聚合由化学式1表示的单体所获得的聚合物、包括该聚合物的保护层组合物、以及图案化方法。[化学式1]在化学式1中，每个符号与在具体实施方式中限定的相同。
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