公开(公告)号：CN101894816A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010176519.7

申请日：2010-05-10

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 安村文次 ,  土屋文男 ,  伊东久范 ,  井手琢二 ,  川边直树 ,  佐藤齐尚

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/607

CPC classification number: H01L22/32 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0613 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48157 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种可以防止半导体器件的最上层中的保护膜断裂以及改进半导体器件可靠性的技术。在半导体芯片的主表面上方形成的键合焊盘为四边形形状，并且按照以下方式在每个键合焊盘上方的保护膜中形成开口，即，每个键合焊盘的接线键合区域中的保护膜交叠宽度变得宽于每个键合焊盘的探针区域中的保护膜交叠宽度。

公开(公告)号：CN109828192A

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201811183044.7

申请日：2018-10-11

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 竹内干 ,  小西信也 ,  土屋文男 ,  岛田将树

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及半导体器件和半导体系统，目的在于提供可以消除共因故障的复制监控电路的技术。一种半导体器件具有：第一监控电路，监控半导体器件的温度或电压在正常操作范围内；以及第二监控电路，监控第一监控电路的正常操作。第一和第二监控电路基于不同的原理生成温度或电压的信息。

公开(公告)号：CN101894816B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201010176519.7

申请日：2010-05-10

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 安村文次 ,  土屋文男 ,  伊东久范 ,  井手琢二 ,  川边直树 ,  佐藤齐尚

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/607

CPC classification number: H01L22/32 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0613 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48157 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种可以防止半导体器件的最上层中的保护膜断裂以及改进半导体器件可靠性的技术。在半导体芯片的主表面上方形成的键合焊盘为四边形形状，并且按照以下方式在每个键合焊盘上方的保护膜中形成开口，即，每个键合焊盘的接线键合区域中的保护膜交叠宽度变得宽于每个键合焊盘的探针区域中的保护膜交叠宽度。

公开(公告)号：CN112528579B

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202010951604.X

申请日：2020-09-11

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 竹内干 ,  高泽义生 ,  土屋文男 ,  押田大介 ,  太田直矢 ,  岛田将树 ,  小西信也

IPC: G06F30/3308 ,  G06F119/04 ,  G06F119/08 ,  G06F119/14

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置、电子器械和电子系统。根据实施例的半导体装置包括：保持电路、包括确定阈值的操作的控制电路，以及无线通信电路。保持电路包括缓冲器和应力计数器。该缓冲器被配置为在每个预定时段获得具有温度依赖性的热应力信息，并且应力计数器被配置为累加该热应力信息并将累加值保持为累加应力计数值。根据该实施例的半导体装置，在下降功耗的同时，可以无线传送累加热应力信息。

公开(公告)号：CN110888412A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201910706163.4

申请日：2019-08-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 太田直矢 ,  竹内干 ,  土屋文男 ,  岛田将树 ,  小西信也 ,  押田大介

IPC: G05B23/02

Abstract: 本公开的实施例涉及半导体器件和分析系统。一种半导体器件包括：具有预定功能的模块；用于获取关于模块中发生的错误的错误信息的错误信息获取电路；用于获取应力累积值作为施加到半导体器件的应力的累积值的应力获取电路；用于存储分析数据作为用于分析半导体器件的状态的数据的分析数据存储装置，错误发生时的错误信息和应力累积值彼此相关联。

公开(公告)号：CN108334657A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201711274398.8

申请日：2017-12-06

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 竹内干 ,  土屋文男 ,  小西信也

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。所述半导体装置可以基于施加到所述半导体装置的劣化应力的累积值，诸如，电源电压或者环境温度，高精确度地预测磨损故障，所述半导体装置包括：第一电路，所述第一电路保持第一累积劣化应力计数值；第二电路，所述第二电路保持第二累积劣化应力计数值；第三电路，所述第三电路保持累积操作时间的计数值或者与所述累积操作时间的计数值对应的值；以及第四电路或者操作单元，所述第四电路或者所述操作单元接收所述第一累积劣化应力计数值、所述第二累积劣化应力计数值、和所述累积操作时间的计数值或者与所述累积操作时间的值对应的值。

公开(公告)号：CN110888412B

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN201910706163.4

申请日：2019-08-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 太田直矢 ,  竹内干 ,  土屋文男 ,  岛田将树 ,  小西信也 ,  押田大介

IPC: G05B23/02

Abstract: 本公开的实施例涉及半导体器件和分析系统。一种半导体器件包括：具有预定功能的模块；用于获取关于模块中发生的错误的错误信息的错误信息获取电路；用于获取应力累积值作为施加到半导体器件的应力的累积值的应力获取电路；用于存储分析数据作为用于分析半导体器件的状态的数据的分析数据存储装置，错误发生时的错误信息和应力累积值彼此相关联。

公开(公告)号：CN109828192B

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN201811183044.7

申请日：2018-10-11

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 竹内干 ,  小西信也 ,  土屋文男 ,  岛田将树

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及半导体器件和半导体系统，目的在于提供可以消除共因故障的复制监控电路的技术。一种半导体器件具有：第一监控电路，监控半导体器件的温度或电压在正常操作范围内；以及第二监控电路，监控第一监控电路的正常操作。第一和第二监控电路基于不同的原理生成温度或电压的信息。

公开(公告)号：CN112528579A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010951604.X

申请日：2020-09-11

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 竹内干 ,  高泽义生 ,  土屋文男 ,  押田大介 ,  太田直矢 ,  岛田将树 ,  小西信也

IPC: G06F30/3308 ,  G06F119/04 ,  G06F119/08 ,  G06F119/14

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置、电子器械和电子系统。根据实施例的半导体装置包括：保持电路、包括确定阈值的操作的控制电路，以及无线通信电路。保持电路包括缓冲器和应力计数器。该缓冲器被配置为在每个预定时段获得具有温度依赖性的热应力信息，并且应力计数器被配置为累加该热应力信息并将累加值保持为累加应力计数值。根据该实施例的半导体装置，在下降功耗的同时，可以无线传送累加热应力信息。

公开(公告)号：CN106024744A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610424138.3

申请日：2010-05-10

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 安村文次 ,  土屋文男 ,  伊东久范 ,  井手琢二 ,  川边直树 ,  佐藤齐尚

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L22/32 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0613 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48157 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种可以防止半导体器件的最上层中的保护膜断裂以及改进半导体器件可靠性的技术。在半导体芯片的主表面上方形成的键合焊盘为四边形形状，并且按照以下方式在每个键合焊盘上方的保护膜中形成开口，即，每个键合焊盘的接线键合区域中的保护膜交叠宽度变得宽于每个键合焊盘的探针区域中的保护膜交叠宽度。