公开(公告)号：CN112820770A

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN202110012100.6

申请日：2015-07-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 土屋秀昭 ,  木村央 ,  井手隆 ,  国宗依信

IPC: H01L29/417

Abstract: 本发明公开了一种可提高电极的电迁移耐力的技术。漏极电极(DE)的一部分形成于漏极垫(DP)的侧面(DSF)中。此时，漏极电极(DE)与漏极垫(DP)一体形成，且在俯视下从侧面(DSF)起在第1方向(y方向)上延伸。凹部(DRE)位于在俯视下与漏极电极(DE)重合的区域上。漏极电极(DE)的至少一部分填埋在凹部(DRE)中。从第1方向(y方向)上看，凹部(DRE)中面向漏极垫(DP)的侧面(侧面RDS)嵌入漏极垫(DP)中。

公开(公告)号：CN104009037B

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201410067215.5

申请日：2014-02-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 井上真雄 ,  丸山祥辉 ,  西田彰男 ,  国宗依信 ,  舟山幸太

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。为了控制层叠多晶硅膜的晶粒生长，提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在衬底上（10）形成第一多晶硅膜（21）；在第一多晶硅膜（21）的表面上形成层间氧化物层（22）；在第一多晶硅膜（21）上方形成与层间氧化物层（22）接触的第二多晶硅膜（23）；以及在形成第二多晶硅膜（23）之后，在包含氮的气体气氛下，在高于第一和第二多晶硅膜的膜形成温度的温度下执行退火。

公开(公告)号：CN119451564A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202410735275.3

申请日：2024-06-07

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 白石信仁 ,  国宗依信 ,  加藤好美 ,  伊藤望 ,  杨梦楠 ,  园田贤一郎

IPC: H10N97/00

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括第一介电膜、在第一介电膜上设置的电阻器元件以及在电阻器元件上设置的第二介电膜。电阻器元件包括硅、铬和碳。电阻器元件中的硅浓度从电阻器元件的中心部分朝向电阻器元件的上表面增加，并且从电阻器元件的中心部分朝向电阻器元件的下表面也增加。

公开(公告)号：CN105280690B

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN201510413155.2

申请日：2015-07-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 土屋秀昭 ,  木村央 ,  井手隆 ,  国宗依信

IPC: H01L29/417

Abstract: 本发明公开了一种可提高电极的电迁移耐力的技术。漏极电极(DE)的一部分形成于漏极垫(DP)的侧面(DSF)中。此时，漏极电极(DE)与漏极垫(DP)一体形成，且在俯视下从侧面(DSF)起在第1方向(y方向)上延伸。凹部(DRE)位于在俯视下与漏极电极(DE)重合的区域上。漏极电极(DE)的至少一部分填埋在凹部(DRE)中。从第1方向(y方向)上看，凹部(DRE)中面向漏极垫(DP)的侧面(侧面RDS)嵌入漏极垫(DP)中。

公开(公告)号：CN105280690A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510413155.2

申请日：2015-07-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 土屋秀昭 ,  木村央 ,  井手隆 ,  国宗依信

IPC: H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53223 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/088 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L29/41725

Abstract: 本发明公开了一种可提高电极的电迁移耐力的技术。漏极电极(DE)的一部分形成于漏极垫(DP)的侧面(DSF)中。此时，漏极电极(DE)与漏极垫(DP)一体形成，且在俯视下从侧面(DSF)起在第1方向(y方向)上延伸。凹部(DRE)位于在俯视下与漏极电极(DE)重合的区域上。漏极电极(DE)的至少一部分填埋在凹部(DRE)中。从第1方向(y方向)上看，凹部(DRE)中面向漏极垫(DP)的侧面(侧面RDS)嵌入漏极垫(DP)中。

公开(公告)号：CN112820770B

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202110012100.6

申请日：2015-07-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 土屋秀昭 ,  木村央 ,  井手隆 ,  国宗依信

IPC: H01L29/417

Abstract: 本发明公开了一种可提高电极的电迁移耐力的技术。漏极电极(DE)的一部分形成于漏极垫(DP)的侧面(DSF)中。此时，漏极电极(DE)与漏极垫(DP)一体形成，且在俯视下从侧面(DSF)起在第1方向(y方向)上延伸。凹部(DRE)位于在俯视下与漏极电极(DE)重合的区域上。漏极电极(DE)的至少一部分填埋在凹部(DRE)中。从第1方向(y方向)上看，凹部(DRE)中面向漏极垫(DP)的侧面(侧面RDS)嵌入漏极垫(DP)中。

公开(公告)号：CN115954170A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202211191902.9

申请日：2022-09-28

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 伊藤望 ,  国宗依信 ,  安部谦一郎 ,  白石信仁

IPC: H01C7/02 ,  H01C7/04 ,  H01C7/00 ,  H01C17/06

Abstract: 本公开涉及电阻器材料、电阻器元件以及电阻器元件的制造方法。电阻器材料包括多个具有正电阻温度系数的晶相和具有负电阻温度系数并且电阻率高于晶相的非晶相，其中晶相和非晶相处于混合状态。另外，提供了一种具有由上述电阻器材料构成的电阻器膜的电阻器元件，并且提供了一种通过形成具有负电阻温度系数的非晶材料的膜并且对该膜进行退火处理以获取电阻器元件来制造电阻器元件的方法。

公开(公告)号：CN104009037A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410067215.5

申请日：2014-02-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 井上真雄 ,  丸山祥辉 ,  西田彰男 ,  国宗依信 ,  舟山幸太

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L29/4925 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66825

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。为了控制层叠多晶硅膜的晶粒生长，提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在衬底上（10）形成第一多晶硅膜（21）；在第一多晶硅膜（21）的表面上形成层间氧化物层（22）；在第一多晶硅膜（21）上方形成与层间氧化物层（22）接触的第二多晶硅膜（23）；以及在形成第二多晶硅膜（23）之后，在包含氮的气体气氛下，在高于第一和第二多晶硅膜的膜形成温度的温度下执行退火。