公开(公告)号：CN108461398A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810022481.4

申请日：2018-01-10

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 安部谦一郎

IPC: H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/53261 ,  H01L23/53295 ,  H01L29/0649 ,  H01L21/3205

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明提供一种减少导电膜的电阻值变化的半导体器件。根据实施例的半导体器件包括半导体基板、布线层、介电膜、金属膜和层间介电膜。半导体基板具有第一表面。布线层布置在第一表面上方。布线层具有第一部分，以及与第一部分分开设置的第二部分。介电膜布置在第一部分上方。金属膜布置在介电膜上方。层间介电膜覆盖了介电膜和金属膜，并且位于第一部分和第二部分之间。空气间隙设置在位于第一部分和第二部分之间的层间介电膜内。空气间隙在与第一表面交叉的方向上延伸。

公开(公告)号：CN115954170A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202211191902.9

申请日：2022-09-28

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 伊藤望 ,  国宗依信 ,  安部谦一郎 ,  白石信仁

IPC: H01C7/02 ,  H01C7/04 ,  H01C7/00 ,  H01C17/06

Abstract: 本公开涉及电阻器材料、电阻器元件以及电阻器元件的制造方法。电阻器材料包括多个具有正电阻温度系数的晶相和具有负电阻温度系数并且电阻率高于晶相的非晶相，其中晶相和非晶相处于混合状态。另外，提供了一种具有由上述电阻器材料构成的电阻器膜的电阻器元件，并且提供了一种通过形成具有负电阻温度系数的非晶材料的膜并且对该膜进行退火处理以获取电阻器元件来制造电阻器元件的方法。