公开(公告)号：CN119451564A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202410735275.3

申请日：2024-06-07

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 白石信仁 ,  国宗依信 ,  加藤好美 ,  伊藤望 ,  杨梦楠 ,  园田贤一郎

IPC: H10N97/00

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括第一介电膜、在第一介电膜上设置的电阻器元件以及在电阻器元件上设置的第二介电膜。电阻器元件包括硅、铬和碳。电阻器元件中的硅浓度从电阻器元件的中心部分朝向电阻器元件的上表面增加，并且从电阻器元件的中心部分朝向电阻器元件的下表面也增加。

公开(公告)号：CN115910988A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211064748.9

申请日：2022-09-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 伊藤望 ,  前川和义 ,  高桥裕治 ,  土屋泰章 ,  白石信仁

IPC: H01L23/522 ,  H10N97/00 ,  H01L21/768

Abstract: 公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括绝缘层、第一导电膜、第二导电膜和薄膜电阻器。绝缘层具有贯穿部分。第一导电膜形成在贯穿部分中，使得凹部形成在贯穿部分的上部处。第二导电膜形成在第一导电膜的上表面和贯穿部分的内表面上。薄膜电阻器包括硅和金属。薄膜电阻器形成在第二导电膜和绝缘层上。

公开(公告)号：CN115954170A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202211191902.9

申请日：2022-09-28

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 伊藤望 ,  国宗依信 ,  安部谦一郎 ,  白石信仁

IPC: H01C7/02 ,  H01C7/04 ,  H01C7/00 ,  H01C17/06

Abstract: 本公开涉及电阻器材料、电阻器元件以及电阻器元件的制造方法。电阻器材料包括多个具有正电阻温度系数的晶相和具有负电阻温度系数并且电阻率高于晶相的非晶相，其中晶相和非晶相处于混合状态。另外，提供了一种具有由上述电阻器材料构成的电阻器膜的电阻器元件，并且提供了一种通过形成具有负电阻温度系数的非晶材料的膜并且对该膜进行退火处理以获取电阻器元件来制造电阻器元件的方法。

公开(公告)号：CN117116886A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310577277.X

申请日：2023-05-22

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 冈部翔太 ,  伊藤望 ,  高桥裕治

IPC: H01L23/48

Abstract: 本公开涉及一种半导体器件及其制造方法，其中半导体器件包括第一金属膜，第一金属膜形成具有键合垫的最上层布线。在第一金属膜的晶粒边界处的杂质的浓度高于在第一金属膜中的晶粒中的杂质的浓度。第一金属膜中包括的晶粒的最大颗粒尺寸小于5μm。