公开(公告)号：CN117116886A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310577277.X

申请日：2023-05-22

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 冈部翔太 ,  伊藤望 ,  高桥裕治

IPC: H01L23/48

Abstract: 本公开涉及一种半导体器件及其制造方法，其中半导体器件包括第一金属膜，第一金属膜形成具有键合垫的最上层布线。在第一金属膜的晶粒边界处的杂质的浓度高于在第一金属膜中的晶粒中的杂质的浓度。第一金属膜中包括的晶粒的最大颗粒尺寸小于5μm。

公开(公告)号：CN111354784B

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN201911258253.8

申请日：2019-12-10

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 高桥裕治 ,  渡边正树 ,  佐原政司 ,  山田健太郎 ,  坂下正树 ,  前田真一 ,  山田义明

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/43

Abstract: 本公开实施例涉及半导体器件及其制造方法。具有包括Au‑Sb合金的背电极的半导体器件的特性被改进。该半导体器件具有半导体衬底和该包括Au‑Sb合金层的背电极。背电极被形成在半导体衬底上。Au‑Sb合金层中的Sb浓度等于或大于15wt％，并且等于或小于37wt％。Au‑Sb合金层的厚度等于或大于20nm，并且等于或小于45nm。

公开(公告)号：CN115910988A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211064748.9

申请日：2022-09-01

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 伊藤望 ,  前川和义 ,  高桥裕治 ,  土屋泰章 ,  白石信仁

IPC: H01L23/522 ,  H10N97/00 ,  H01L21/768

Abstract: 公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括绝缘层、第一导电膜、第二导电膜和薄膜电阻器。绝缘层具有贯穿部分。第一导电膜形成在贯穿部分中，使得凹部形成在贯穿部分的上部处。第二导电膜形成在第一导电膜的上表面和贯穿部分的内表面上。薄膜电阻器包括硅和金属。薄膜电阻器形成在第二导电膜和绝缘层上。

公开(公告)号：CN111354784A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201911258253.8

申请日：2019-12-10

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 高桥裕治 ,  渡边正树 ,  佐原政司 ,  山田健太郎 ,  坂下正树 ,  前田真一 ,  山田义明

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/43

Abstract: 本公开实施例涉及半导体器件及其制造方法。具有包括Au-Sb合金的背电极的半导体器件的特性被改进。该半导体器件具有半导体衬底和该包括Au-Sb合金层的背电极。背电极被形成在半导体衬底上。Au-Sb合金层中的Sb浓度等于或大于15wt％，并且等于或小于37wt％。Au-Sb合金层的厚度等于或大于20nm，并且等于或小于45nm。