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公开(公告)号：CN1665127B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200510051803.0
申请日：2005-03-03
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 上村圣
IPC: H03G3/10
CPC classification number: H03G1/0094 , H03F2200/213 , H03F2200/252
Abstract: 可变电容电路可以包括MOS电容器，以及配置为改变MOS电容器的应用电压以改变MOS电容器的电容的应用电压切换部分。可变电容电路将MOS电容器连接到电子电路。在此，电子电路可以是电压放大电路，并且可变电容电路可以作为增益切换电路，该增益切换电路配置为通过改变连接到电压放大电路的电容来改变电压放大电路的增益。
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公开(公告)号：CN105470245A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510634371.X
申请日：2015-09-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/495 , H01L21/98
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，目的在于提高半导体器件的可靠性。半导体器件具有半导体芯片(CP1、CP2)、多个引线、多个导线和将它们进行封固的封固部。半导体芯片(CP1)具有焊盘电极(P1a、P1b)和将焊盘电极(P1a、P1b)之间进行电连接的内部布线(NH)。半导体芯片(CP2)的焊盘电极(P2a)和半导体芯片(CP1)的焊盘电极(P1a)经由导线(BW1)电连接，半导体芯片(CP1)的焊盘电极(P1b)经由导线(BW2)与引线(LD1)电连接。引线(LD1)和半导体芯片(CP1)之间的距离比引线(LD1)和半导体芯片(CP2)之间的距离小。而且，焊盘电极(P1a、P1b)及内部布线(NH)都不与形成在半导体芯片(CP1)内的任意电路电连接。
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公开(公告)号：CN101202295B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200710196479.0
申请日：2007-12-05
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 上村圣
IPC: H01L27/148 , H04N5/335
CPC classification number: H04N5/37213 , H01L27/148 , H04N5/3692
Abstract: 一种固态成像装置，包括：像素阵列，包括沿电荷转移方向布置的多个光接收元件，所述多个光接收元件把光信号转换为电信号；设置在所述像素阵列的每一侧上的第一电荷转移单元和第二电荷转移单元，用于把从像素阵列输入的信号电荷沿所述电荷转移方向进行转移；第一浮置扩散区，与第一电荷转移单元相连；第二浮置扩散区，与第二电荷转移单元相连；配线层，把第一浮置扩散区与第二浮置扩散区相连；以及连接至所述配线层的输出电路，输出根据第一浮置扩散区和第二浮置扩散区的电势的信号电压。
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公开(公告)号：CN105491753A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510624073.2
申请日：2015-09-25
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L27/0629 , B60R16/03 , H01L29/4236 , H01L29/7827 , H03K17/145 , H05B33/089 , H05B37/0227 , H05B39/04 , H05B37/02 , H03K17/08
Abstract: 本发明涉及半导体装置以及包含该半导体装置的车载电子装置和汽车。一种负载驱动装置，其包括：温度检测器，当输出晶体管的温度和环境温度之间的温差大于基准温差时，其将温差检测信号设置为激活，当输出晶体管的温度高于基准温度时，其将超温检测信号设置为激活；限流器，当任何一个检测信号变为激活时，其限制输出晶体管的GS电流；以及所述输出晶体管，当任何一个检测信号变为激活时，其不管外部输入信号如何而断开。当输出晶体管的温度和环境温度之间的温差等于或小于基准温差时，温度检测器将温差检测信号设置为非激活，当输出晶体管温度等于或小于基准温度时，温度检测器将超温检测信号设置为非激活。
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公开(公告)号：CN105470245B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201510634371.X
申请日：2015-09-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/495 , H01L21/98
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，目的在于提高半导体器件的可靠性。半导体器件具有半导体芯片(CP1、CP2)、多个引线、多个导线和将它们进行封固的封固部。半导体芯片(CP1)具有焊盘电极(P1a、P1b)和将焊盘电极(P1a、P1b)之间进行电连接的内部布线(NH)。半导体芯片(CP2)的焊盘电极(P2a)和半导体芯片(CP1)的焊盘电极(P1a)经由导线(BW1)电连接，半导体芯片(CP1)的焊盘电极(P1b)经由导线(BW2)与引线(LD1)电连接。引线(LD1)和半导体芯片(CP1)之间的距离比引线(LD1)和半导体芯片(CP2)之间的距离小。而且，焊盘电极(P1a、P1b)及内部布线(NH)都不与形成在半导体芯片(CP1)内的任意电路电连接。
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公开(公告)号：CN109120248A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810556517.7
申请日：2018-05-31
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03K17/08 , H03K17/687 , G01K7/01
Abstract: 本公开的实施例涉及半导体器件和电子控制单元。热传感器检测输出晶体管的温度，并且冷传感器检测远离输出晶体管的位置的温度。当热传感器的温度上升超过参考温度时，温度检测电路断言超温检测信号，并且当热传感器和冷传感器之间的温差超过参考温差时，上述电路断言温差检测信号。限流电路生成针对冷传感器的温度以负温度特性连续可变的受限电流信号，并且当超温检测信号被断言时将输出晶体管的驱动电流控制为取决于受限电流信号的信号电平的电流值。
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公开(公告)号：CN106053929A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610230862.2
申请日：2016-04-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G01R19/25
Abstract: 本发明涉及半导体器件的电流检测方法和半导体器件。提供了一种具有高度精确的电流检测功能的半导体器件。使用将两个半导体芯片安装在一个封装中的半导体器件来执行电流检测。第一半导体芯片提供有用于经由负载驱动端子向负载供应电力的电力供应晶体管以及用于检测流过负载驱动端子的电流的电流检测电路。在半导体器件的检查过程中，检查第一半导体芯片中的电流检测电路的电性能，并将作为检查结果获得的修正等式的信息写入第二半导体芯片的存储器电路中。第二半导体芯片基于写入该存储器电路中的修正等式的信息来修正由电流检测电路获得的检测结果。
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公开(公告)号：CN205039149U
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201520764929.1
申请日：2015-09-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/52 , H01L23/49 , H01L23/492 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49503 , H01L23/3114 , H01L23/4952 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/585 , H01L25/0655 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/33505 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48111 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本实用新型提供一种半导体器件，目的在于提高半导体器件的可靠性。半导体器件具有半导体芯片(CP1、CP2)、多个引线、多个导线和将它们进行封固的封固部。半导体芯片(CP1)具有焊盘电极(P1a、P1b)和将焊盘电极(P1a、P1b)之间进行电连接的内部布线(NH)。半导体芯片(CP2)的焊盘电极(P2a)和半导体芯片(CP1)的焊盘电极(P1a)经由导线(BW1)电连接，半导体芯片(CP1)的焊盘电极(P1b)经由导线(BW2)与引线(LD1)电连接。引线(LD1)和半导体芯片(CP1)之间的距离比引线(LD1)和半导体芯片(CP2)之间的距离小。而且，焊盘电极(P1a、P1b)及内部布线(NH)都不与形成在半导体芯片(CP1)内的任意电路电连接。
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